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求助:關于開關電源MOS管過熱問題,我已經無法解決,希望求援各位大佬,真心感謝

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樓主
UC3843做反激電源驅動MOS,在很低功率下也發熱高達100℃,這是為什么?我把相關資料放在討論欄,請各位指導下思路
原理圖如下
采用UC3843做驅動,已更換了4款mos管,發現都有溫度過高的情況。變壓器參數下文會給出。相關MOS管測溫情況也給出。

pcb布局,如果有問題請指出

mos管運行3分鐘后,溫度變化,十分鐘后超過100℃。表中列出其中兩款mos管的溫度變化

變壓器參數:
電路各部分波形正常,工作在DCM模式
VDS+VGS
vgs米勒平臺
測FB腳信號2.5V(黃色波形),CS電流檢測在0.5-0.6V.
下面是我已經嘗試的一些措施:
1、已嘗試加大RCD吸收,電容加大容易帶載不穩,電阻減小帶載正常,但mos管發熱沒改善;
2、柵極電阻從47Ω,逐步減小至10Ω,柵極驅動從300多ns加快至100多ns,但mos管發熱沒改善;
3、更換輸入電容更小的mos管,沒改善。
4、環路補償做了改動,TL431的動態補償改較小電容10pf,電阻增大330K,mos管發熱沒改善;
5、輔助繞組加大限流電阻。電壓由21V降低12V.mos管發熱沒改善;
目前已做完變壓器更換,RCD吸收,及環路補償調整,發熱問題沒改善,有經驗的前輩們幫忙看看,大家暢所欲言,提供一些寶貴的建議。也許能讓我想到一些我忽略的可能,謝謝




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沙發
ID:57657 發表于 2025-11-12 08:05 | 只看該作者
若電路是正常的,MOS管加大面積散熱片與風扇
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板凳
ID:56665 發表于 2025-11-12 08:14 | 只看該作者
散熱器面積太小。
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地板
ID:876947 發表于 2025-11-12 10:03 | 只看該作者
63KHZ的頻率,D3用1N4007這樣的低頻管不合適;將C10換成203降低頻率試試;變壓器高頻導磁率太低換一個淺灰色變壓器芯試試?變壓器耦合縫隙太小造成臨界磁飽和。試后反饋一下咱們共同學習一下?
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5#
ID:876947 發表于 2025-11-12 10:16 | 只看該作者
追加一條:將變壓器4、5腳調換試試。
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6#
ID:491875 發表于 2025-11-12 11:54 | 只看該作者
看錯了R5,R6
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7#
ID:491875 發表于 2025-11-12 12:14 | 只看該作者
把R18改成10-22Ω看看。有可能是MOS管驅動電流不足導致MOS管進入飽和狀態的時間延長而有相當一部分時間處于放大狀態
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8#
ID:1162888 發表于 2025-11-12 12:44 | 只看該作者
發表于 2025-11-12 10:16
追加一條:將變壓器4、5腳調換試試。

好的,下午將D3更換為fr107.誤差放大器試過將電阻增大放大10倍,輸出不穩。下午降頻試試。變壓器引腳這里是什么問題?如果更換就與原邊繞組同步了,現在輔助繞組的接法的是與副邊一樣的接法,mos導通的時候原邊充能,關斷的時候放給副邊和輔助繞組。
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9#
ID:57414 發表于 2025-11-12 13:31 | 只看該作者
1、把變壓器匝比改到10試試。
2、你的MOS管在導通時,有二次導通現象,先解決這個問題。然后想辦法優化電源效率,把效率做到85%以上,溫升即可降下來。
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10#
ID:1162920 發表于 2025-11-12 13:40 | 只看該作者
有經驗的前輩們幫忙看看
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11#
ID:876947 發表于 2025-11-12 15:33 | 只看該作者
本帖最后由 白水大蝦2016 于 2025-11-13 11:02 編輯
1109 發表于 2025-11-12 13:31
1、把變壓器匝比改到10試試。
2、你的MOS管在導通時,有二次導通現象,先解決這個問題。然后想辦法優化電 ...

從原理圖看主繞組跟副繞組是同相的,反激電源的主繞組跟副繞組應該反相。另外變壓器主繞組30匝我感覺太少了(半導體材料用氮化鎵除外),對200W以下的反激電源來說初級匝數應在50匝以上(經驗)。
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12#
ID:1153607 發表于 2025-11-12 17:21 | 只看該作者
先把散熱加大再說,什么東西也不能在極限值附件工作。另外好像有寄生振蕩!需要解決。加上負極性加速三極管,你的管子在米勒效應下管不住了。
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13#
ID:1162888 發表于 2025-11-12 19:01 | 只看該作者
老愚童63 發表于 2025-11-12 12:14
把R18改成10-22Ω看看。有可能是MOS管驅動電流不足導致MOS管進入飽和狀態的時間延長而有相當一部分時間處于 ...

謝謝指導。改了,改到10Ω的時候,開關速度加快一半。VGS米勒振蕩更大了,發熱跟原來差不多。
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14#
ID:1162888 發表于 2025-11-12 19:05 | 只看該作者
白水大蝦2016 發表于 2025-11-12 15:33
從原理圖看主繞組跟副繞組是同相的,反激電源的主繞組跟副繞組應該反相。另外變壓器主繞組30匝我感覺太少 ...

噢,原來是這樣。學到了。我是按照網上給出的一些思路來計算的。Ae法或AP法選磁芯,原邊匝數一般在30-50匝,電感在300-800uH.其實我也沒完全搞懂比較適合的在那個區間。
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15#
ID:1162888 發表于 2025-11-12 19:05 | 只看該作者
發表于 2025-11-12 13:40
有經驗的前輩們幫忙看看

謝謝。意見都很有用
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16#
ID:1162888 發表于 2025-11-12 19:10 | 只看該作者
1109 發表于 2025-11-12 13:31
1、把變壓器匝比改到10試試。
2、你的MOS管在導通時,有二次導通現象,先解決這個問題。然后想辦法優化電 ...

是的。我也注意到這個問題。二次近乎關斷再導通,這個環節開關損耗是非常大的。下午我加大柵極電阻,把米勒效應跟寄生電感造成振蕩做了優化,盡量平緩。好像溫度是有降下來了。具體我明天得詳細測試,才能給出肯定答復。
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17#
ID:876947 發表于 2025-11-12 19:24 | 只看該作者
本帖最后由 白水大蝦2016 于 2025-11-13 11:01 編輯
小魚的發放 發表于 2025-11-12 12:44
好的,下午將D3更換為fr107.誤差放大器試過將電阻增大放大10倍,輸出不穩。下午降頻試試。變壓器引腳這里 ...

從原理圖看主繞組跟副繞組是同相的,反激電源的主繞組跟副繞組應該反相。另外變壓器主繞組30匝我感覺太少了(半導體材料用氮化鎵除外),對200W以下的反激電源來說初級匝數應在50匝以上(經驗)。
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18#
ID:1041808 發表于 2025-11-22 11:59 | 只看該作者
把你的這個電源原理圖發過來共享一下行不行
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19#
ID:876947 發表于 2025-11-23 10:22 | 只看該作者
樓主的實驗怎么樣了啊?分享一下吧?
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20#
ID:1162888 發表于 2025-11-25 11:46 | 只看該作者
發表于 2025-11-23 10:22
樓主的實驗怎么樣了啊?分享一下吧?

已經解決了,謝謝各位大佬的指導。今天做個更新
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21#
ID:1162888 發表于 2025-11-25 11:57 | 只看該作者
通過加大柵極電阻,減緩充電的時間。把米勒平臺的振鈴調成水平就能解決發熱問題。
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22#
ID:1162888 發表于 2025-11-25 12:28 | 只看該作者
發表于 2025-11-23 10:22
樓主的實驗怎么樣了啊?分享一下吧?

這是改善后的驅動波形,問題就出在這里。我加大了柵極驅動電阻,把充電產生的振鈴抑制。溫升就下來了。

這是原來的驅動波形,那個回勾造成了關斷又開啟。加大了開關損耗,造成發熱。


改善后測試了75W的輸出功率,mos溫升不超過70℃。效率達到88%。問題已得到解決,非常感謝大佬的指點。
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23#
ID:1162888 發表于 2025-11-25 12:32 | 只看該作者
發表于 2025-11-22 11:59
把你的這個電源原理圖發過來共享一下行不行

你好,開頭第一張圖就是。設計參數基本沒變,把R18改成100R。調試過了,可以直接用,如果有需要可以討論。
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