Driver Consideration PART-2

ID:140840 · 發(fā)表于 2016-12-13 17:52

Part 2, 關(guān)于驅(qū)動電路/芯片的選擇

1）如果是低邊驅(qū)動的話，或者說是功率器件與Controller共地的話，就比較好處理，可以采用物美價廉的自搭電路，列舉了幾個作為福利（注意用MOSFET做buffer的邏輯關(guān)系），或者高性能的驅(qū)動芯片，例如PM8834在digital CCM PF, boos, SR driver中的應用。

另外，有一種電路也用的比較多，就是用二極管串聯(lián)電阻，再并聯(lián)一個電阻分別控制開通和關(guān)斷的驅(qū)動電流。對于Vth相對較高的應用，效果是有的，比如說IGBT，一般Vth可能在5V左右；但對于Vth相對較低的，例如MOSFET，有的Vth只有2V～3V，還是負溫度特性（GaN MOS是正溫度特性的），這種電路的效果就不是太好了。

2）如果與controller不共地的話，這種應用一般以橋臂式架構(gòu)為主，包括最簡單的上下兩顆管子，到復雜的多電平控制的多管，并且這樣的拓撲都是大功率應用為主，需要較高的驅(qū)動電流，較好的抗干擾能力（包括CMR抑制能力），甚至需要防止overlap，短路保護等功能，開關(guān)頻率較高的還需要考慮delay時間等因素。

不共地的應用，有可以細分為隔離和非隔離，這個是由安規(guī)決定的。比如Controller和Transistor都在初級側(cè)，是不需要隔離的，只要滿足耐壓要求就好，這時候可以用level-shift功能的半橋驅(qū)動芯片，變壓器，光耦等等，典型的芯片如L6491，帶自舉電路供上橋臂供電。

對于controller在二次側(cè)，而transistor在功率側(cè)/初次側(cè)的，安規(guī)上是需要滿足相應耐壓要求的，這種應用就需要選擇滿足耐壓要求的隔離的驅(qū)動電路/芯片，簡單的有變壓器直驅(qū)，相對來說變壓器的CMR比較差，因為寄生電容較大，稍微高端一點的有光耦加buffer，帶光耦隔離的driver，磁隔離的driver，典型的有STGAP1S和STGAP2S，當然了，很多友商的產(chǎn)品也很實用，Silicon Labs，Avago，Angilent，TI等，其中Silicon Labs的SI823x在digital full-bridge LLC中應用廣泛。

文章來源：微信公眾號融創(chuàng)芯城（一站式電子元器件、PCB、PCBA購買服務平臺，項目眾包平臺，方案共享平臺）

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Driver Consideration PART-2

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