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新的一年，祝大家新年新開始，新的一年新的收獲、新的進(jìn)步。這一周聊一個(gè)輕松的話題，回顧一下半導(dǎo)體發(fā)展的進(jìn)程中，一些關(guān)鍵時(shí)間節(jié)點(diǎn)的重大事件，下一周開始繼續(xù)技術(shù)分享。
1874年：Braun發(fā)明金屬和半導(dǎo)體面緊密接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)的結(jié)構(gòu)，開創(chuàng)半導(dǎo)體器件研究的新時(shí)代。
1947年：W.Shockley發(fā)明P型和N型半導(dǎo)體面緊密接觸形成的PN結(jié)的結(jié)構(gòu)。
1947年：美國貝爾電話研究所的W.H.Brattain和J.Bardeen發(fā)明了點(diǎn)接觸型晶體管，1948年同樣在美國貝爾電話研究所的W.Shockley申請(qǐng)了易于產(chǎn)業(yè)化的接合型晶體管專利。
W.H.Brattain、J.Bardeen和W.Shockley因發(fā)明三極管一起獲得1956年諾貝爾物理獎(jiǎng)。
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J.Bardeen負(fù)責(zé)晶體管理論研究，后來他由于超導(dǎo)理論，再獲1972年獲得諾貝爾物理獎(jiǎng)。
1955年：W.Shockley離開貝爾實(shí)驗(yàn)室創(chuàng)建肖克利半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室，他的個(gè)人才華和魅力吸引了一大批天才的青年才俊到研究所工作，他的個(gè)人性格、管理方法和怪異行為又導(dǎo)致他和這些天才產(chǎn)生矛盾，最后不歡而散而出走，其中八人決定一同辭職，這就是著名的八判逆事件。
八叛逆在Fairchild Semiconductor，1959年，從左至右：戈登·摩爾（Gordon Moore）、尤金·克萊爾（Eugene Kleiner）、謝爾頓·羅伯茨（Sheldon Roberts）、羅伯特·諾依斯（Robert Noyce）、維克多·格里尼克（Victor Grinich）、朱利亞斯·布蘭克（Julius Blank）、金·赫爾尼（Jean Hoerni）、杰·拉斯特（Jay Last）。
八判逆的離開，如同隨風(fēng)四處散落的蒲公英的種子，茁壯成長，催生了硅谷及眾多半導(dǎo)體公司的誕生。
1958年：Kilby提出了世界上第一款集成電路和原型。 同年、美國德州儀器TI的基爾比設(shè)計(jì)出世界第一款集成電路板，并申請(qǐng)專利。
1959年：在仙童半導(dǎo)體Fairchild Semiconductor工作的羅伯特·諾依斯（Robert Noyce）基于仙童的平面工藝Planner Process和硅晶片上的擴(kuò)散技術(shù)提出了制作集成電路的想法：在硅片上加上一層氧化硅作為絕緣層，然后在這層絕緣氧化硅上打洞，用鋁薄膜將已用硅擴(kuò)散技術(shù)做好的器件連接起來。諾伊斯起草了集成電路的專利申請(qǐng)書，他事先知道TI已向?qū)＠诌f交了申請(qǐng)，但不知道TI專利的內(nèi)容，因此他在自己的專利申請(qǐng)中強(qiáng)調(diào)仙童以平面工藝來制造集成電路的。盡管基爾比先于諾伊斯申請(qǐng)了集成電路的專利，但諾伊斯的平面連接工藝領(lǐng)先于基爾比的工藝，這也導(dǎo)致了多年關(guān)于第一個(gè)發(fā)明集成電路的歸屬權(quán)的爭議。
1960年：Kahng和Atalla發(fā)明MOSFET，MOSFET的發(fā)明對(duì)于集成電路的大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。
1965年：摩爾在當(dāng)年第35期《電子》雜志上發(fā)表迄今為止半導(dǎo)體歷史上最具意義的論文，提出了非常有名的摩爾定理。摩爾天才地預(yù)言：集成電路上能被集成的晶體管數(shù)目，將會(huì)以每18個(gè)月翻一番的速度穩(wěn)定增長，并在今后數(shù)十年內(nèi)保持著這種勢(shì)頭。
1967年：Kahng和施敏基于MOSFET，使用浮柵技術(shù)，發(fā)明了非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，推動(dòng)了半導(dǎo)體器件在電子產(chǎn)品的應(yīng)用及發(fā)展。 同年，Dennard發(fā)明動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM Dynamic Random Access Memory.
1968年：摩爾和諾伊斯一起退出仙童公司創(chuàng)辦了Intel，致力于開發(fā)當(dāng)時(shí)計(jì)算機(jī)工業(yè)尚未開發(fā)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域。
1969年：英特爾推出自己的第一批產(chǎn)品雙極處理64位存儲(chǔ)器芯片，代號(hào)為3101。 同年，被迫離開仙童的桑德斯創(chuàng)辦了Advanced Micro Devices公司。
1970年：Boyle和Smith發(fā)明電荷耦合器件CCD Charge Coupled Device，這種器件后來大量應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)，手機(jī)和光檢測(cè)系統(tǒng)。
1971年：英特爾的Hoff等人制造出世界第一個(gè)4位微處理器4004，這是半導(dǎo)體行業(yè)的一個(gè)里程碑。
1972年：英特爾推出第一個(gè)容量為1KB的[url=]動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器[/url]1103，它的誕生正式宣告了磁芯存儲(chǔ)器的滅亡，并最終成全了個(gè)人電腦革命。
2000年：加州大學(xué)伯克利分校的胡正明Chenming Hu教授發(fā)明FinFET。
文章來源：微信公眾號(hào) 融創(chuàng)芯城（一站式電子元器件、PCB、PCBA購買服務(wù)平臺(tái)，項(xiàng)目眾包平臺(tái)，方案共享平臺(tái)）
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