在接晶振(11.9)時沒有30pf左右的電容，可以用0.22uf代替？

ID:634875 · 發(fā)表于 2019-11-7 00:31

如題

ID:491875 · 發(fā)表于 2019-11-7 07:27

肯定不行！

ID:235200 · 發(fā)表于 2019-11-7 07:46

一般情況下是可以的,33pF的也可以,電容是輔助晶振起振的,只要晶振起振了都可以

ID:10193 · 發(fā)表于 2019-11-7 07:47

晶振兩端的等效電容與晶振標稱的負載電容存在差異時，晶振輸出的諧振頻率將與標稱工作的工作頻率產(chǎn)生一定偏差（又稱之為頻偏），所以合理匹配合適的外加電容使晶振兩端的等效電容等于或接近負載電容顯得十分重要。一般情況下，增大負載電容會使振蕩頻率下降，而減小負載電容會使振蕩頻率升高

ID:275826 · 發(fā)表于 2019-11-7 08:03

不能代替喲

ID:584814 · 發(fā)表于 2019-11-7 08:06

30pf左右是指上下偏差不大，.22這個偏差是多少算過么 ?
再好理論不過實踐，你試一下就知道了，萬一真的也好用呢

ID:285863 · 發(fā)表于 2019-11-7 08:07

可以主要看mcu的要求了

ID:342822 · 發(fā)表于 2019-11-7 08:29

沒有就不用

ID:25310 · 發(fā)表于 2019-11-7 08:29

0.22 是 22000P 啊兄dai

ID:277550 · 發(fā)表于 2019-11-7 09:03

15p~33p
這個范圍

ID:7485 · 發(fā)表于 2019-11-7 09:20

1uf(微法) =1000nF(納法) ，1nf(納法)=1000pF(皮法)，uf和pf差100萬倍。

這些基礎知識還是必要的。

ID:601639 · 發(fā)表于 2019-11-7 09:29

肯定不行啊，差的太多了。

ID:142699 · 發(fā)表于 2019-11-7 09:57

太大了,mcu跑步起來的.你用pf級別的代替可能可以.

ID:511501 · 發(fā)表于 2019-11-7 10:01

5-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影響不大，常用的4M和12M以及11.0592M和20M 24M都用的30P，單片機內(nèi)部有相應的整形電路。

ID:66761 · 發(fā)表于 2019-11-7 16:30

不建議這樣使用，可能會出現(xiàn)不起振或者頻偏等不可控現(xiàn)象

ID:123289 · 發(fā)表于 2019-11-8 11:27

樓上一定不知道為什么要接30p的電容，先去網(wǎng)搜一下。

ID:560467 · 發(fā)表于 2019-11-8 12:18

不行，你這個太大了肯定用不了的，不行你換芯片啊stc15的可以直接使用內(nèi)部晶振，精準度還可以的

ID:524818 · 發(fā)表于 2019-11-8 12:54

差距有點太大了吧

ID:516863 · 發(fā)表于 2019-11-8 12:56

沒有電子技術基礎，請不要碰硬件！

ID:307020 · 發(fā)表于 2019-11-11 14:10

一般是幾p到幾十p的電容，加的一側會有些延時，不加也行，實際上使用電路的分布電容，DS1302 DataSheet推薦電路中晶振兩側各加7p負載電容，但實際實收模塊上，商家為降低成本略去了，因而偏快，如果對時序要求不嚴也無所謂了。

ID:525068 · 發(fā)表于 2019-11-11 16:15

我們通常用得是20~33PF

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