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發(fā)布時(shí)間: 2013-12-22 20:39
正文摘要:如圖所示:因?yàn)閱纹瑱C(jī)產(chǎn)生的PWM波電壓太低,難以驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體制冷片(額定電壓12v,4A),所以設(shè)計(jì)以下電路,為了使Vi 15v降至Vout得到8v,10v 12v 。 問題1:單片機(jī)產(chǎn)生的PWM波可以直接接MOS管嗎,中間需要 ... |
| mos管托托的 |
| MOS管即可 |
| 個(gè)人認(rèn)為開關(guān)管使用MOS管比較合適 |
| 加一個(gè)NPN三極管就可以 |
| 1.可以直接接MOS管,其實(shí)光耦不僅是起到隔離作用,還有就是后面的控制部分,比如電壓可以接的高些(12V或者更高些)。2.當(dāng)然是MOS管速度快了。可控硅導(dǎo)通容易,但是不能自行關(guān)斷;IGBT常用于大功率設(shè)備,需要專門的驅(qū)動(dòng),所以速度也受影響。高速小功率建議用MOS管。 |
| 個(gè)人認(rèn)為單片機(jī)產(chǎn)生的PWM波可以直接接MOS管,如果怕影響到單片機(jī)的穩(wěn)定就加光電耦合器。 開關(guān)管用MOS管或IGBT都行,看工作頻率和負(fù)載是什么。只是個(gè)人理解。 |
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