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MCU存儲介紹

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ID:113517 發(fā)表于 2016-4-14 16:59 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
摘要  

存儲器作為MCU的存儲介質(zhì),它的速度和讀寫方式?jīng)Q定它不同的應(yīng)用場合,再眾多存儲器中,周立功公司又提供完美的存儲解決方案,下面就讓我們認(rèn)識認(rèn)識這個MCU的內(nèi)存吧。
        存儲器(Memory)是電子系統(tǒng)中的存儲設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。電子系統(tǒng)中的全部信息,包括原始數(shù)據(jù)、程序代碼、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器分兩類:RAM和ROM。RAM的存取速度非常快,但是掉電后數(shù)據(jù)不能保存,常用來保存一些中間運行結(jié)果;ROM在掉電情況下能保證數(shù)據(jù)不丟失,但是速度稍慢,常用來保存程序代碼和原始配置信息;而最新的MRAM技術(shù)將RAM和ROM的優(yōu)點結(jié)合起來,既能實現(xiàn)高速的數(shù)據(jù)存儲,又能實現(xiàn)掉電后數(shù)據(jù)不丟失。




概述
        常用的存儲器有串行EEPROM、并行EEPROM、DRAM、SRAM、串行NOR Flash、并行NOR Flash、并行MRAM、串行MRAM等。下面分別介紹各個存儲器的特點:

ROM-(Read Only Memory)

特點:ROM掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)。

ROM分類
  • PROM(可編程的ROM):
        PROM是一次性的,也就是軟件灌入后,就無法修改了,這種是早期的產(chǎn)品,現(xiàn)在已經(jīng)不可能使用了。
  • EPROM(可擦除可編程ROM):
        EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程序,是一種通用的存儲器。
  • EEPROM是通過電子擦出,價格很高,寫入時間很長,寫入很慢。

RAM-(Random Access Memory)

特點:RAM掉電丟失數(shù)據(jù)。

RAM分類(兩大類)
  • 靜態(tài)RAM(StaticRAM/SRAM):
        SRAM速度非常快,是目前讀寫最快的存儲設(shè)備了,但是它也非常昂貴,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一級緩沖,二級緩沖。
  • 動態(tài)RAM(DynamicRAM/DRAM):
        DRAM需要一個額外設(shè)電路進行內(nèi)存刷新操作。

        DRAM保留數(shù)據(jù)的時間很短,速度也比SRAM慢,不過它還是比任何的ROM都要快,但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多,計算機內(nèi)存就是DRAM的,典型的RAM就是計算機的內(nèi)存。內(nèi)存是用來存放當(dāng)前正在使用的(即執(zhí)行中)的數(shù)據(jù)和程序,我們平常所提到的計算機的內(nèi)存指的是動態(tài)內(nèi)存(即 DRAM),動態(tài)內(nèi)存中所謂的"動態(tài)",指的是當(dāng)我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后,經(jīng)過一段時間,數(shù)據(jù)會丟失,因此需要一個額外設(shè)電路進行內(nèi)存刷新操作。

        具體的工作過程是這樣的:一個DRAM的存儲單元存儲 的是0還是1取決于電容是否有電荷,有電荷代表1,無電荷代表0。但時間一長,代表1的電容會 放電,代表0的電容會吸收電荷,這就是數(shù)據(jù)丟失的原因;刷新操作定期對電容進行檢查,若電量大于滿電量的1/2,則認(rèn)為其代表1,并把電容充滿電;若電量 小于1/2,則認(rèn)為其代表0,并把電容放電,藉此來保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。


FLASH存儲器又稱閃存

特點:它結(jié)合了ROM和RAM的長處,不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)的性能,還不會斷電丟失數(shù)據(jù)同時可以快速讀取數(shù)據(jù) (NVRAM的優(yōu)勢),U盤和MP3里用的就是這種存儲器。在過去的20年里,嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM(EPROM)作為它們的存儲設(shè)備,然而近年來 Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系統(tǒng)中的地位,用作存儲Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤使用(U盤)。

Flash分類:目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash
  • NOR Flash:
        NOR Flash 塊擦出寫入,隨機讀取。
        NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣,用戶可以直接運行裝載在NOR FLASH里面的代碼,這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。
  • NAND Flash:
        NAND Flash 塊擦出寫入,塊讀取。

        NAND Flash沒有采取內(nèi)存的隨機讀取技術(shù),它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的,通常是一次讀取512個字節(jié),采用這種技術(shù)的Flash比較廉價。用戶不能直接運行NAND Flash上的代碼,因此好多使用NAND Flash的開發(fā)板除了使用NAND Flah以外,還作上了一塊小的NOR Flash來運行啟動代碼。

        一般小容量的用NORFlash,因為其讀取速度快,多用來存儲操作系統(tǒng)等重要信息,而大容量的用NAND FLASH,最常見的NAND FLASH應(yīng) 用是嵌入式系統(tǒng)采用的DOC(Disk On Chip)和我們通常用的"閃盤",可以在線擦除。


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