EMC作為一個外部存儲接口，使其為MCU追求大容量、高速度成為可能。作為比較常用的外部存儲芯片SDRAM，其相對復雜的數據傳輸時序，在擁有EMC之后，又會出現那些問題，今天就談一下它們之間的那些事。
恩智浦（NXP）公司生產的這款LPC1788芯片帶有控制外部存儲的控制器，它是一個多端口存儲外設，它支持異步靜態存儲設備，如RAM、ROM和Flash，也支持單數據速率傳輸的SDRAM這種動態存儲器。該控制器帶有26根地址線，32根數據線。其支持4塊靜態存儲片選地址映射和4塊動態存儲片選地址映射。下圖是EMC接口在內存映射的位置。
EMC與外部的動態存儲器相連時，其占用的地址線相對來說是比較少的，這還是跟動態存儲器的這種存儲結構是有一定關系的。就拿SDRAM來說，其內部存儲是按行列分布的，如下圖所示，就像表格一樣，有對應的行地址和列地址，每一個小方格就是一個存儲單元。在對其尋址時，需要先進行行地址尋址，再進行列地址尋址，才選擇出確定的操作單元。所以其行列地址線是可以分時復用，這也就決定了其占用的地址線較少。
◆ EMC為動態存儲器提供了引腳完成對應的信號傳輸 ◆ EMC_D[31:0]: 數據線；
EMC_A[14:0]：地址線；
EMC_CLK:為SDRAM提供時鐘；
EMC_CKE：SDRAM的時鐘使能位；
EMC_DQM[3:0]：數據掩碼信號；
EMC_RAS：SDRAM行地址選通脈沖信號；
EMC_CAS：SDRAM列地址選通脈沖信號
EMC_DYCS[3:0]：SDRAM的片選信號；
EMC_WE：SDRAM寫使能。
當動態存儲器件的引腳連接到EMC上后，就需要對EMC的寄存器來進行配置。可以看到對于SDRAM，有很多的關于時間參數配置的寄存器，需要根據實際連接的外部存儲器件來進行相應的配置。當然，這些時間參數在外部存儲器件的數據手冊中都是可以找著的。
但我們也不能掉以輕心，一些錯誤的時間配置可能導致數據傳輸無法完成，嚴重的可能導致動態存儲器內部數據丟失。對于動態存儲器件來說，其需要不斷進行刷新才能保存數據，這是它很重要的操作，所以刷新時間的配置是很重要的。對于常用的SDRAM 芯片IS42S16400來說，在其數據手冊中找到下圖這樣一個時間參數，它的意思就是說刷新4096次需要的時間是64ms，也就是說刷新一次的時間是15.625us，如果刷新的周期比這個大的話，SDRAM就無法保存數據。而對于LPC1788 EMC模塊，它就有這樣一個時間參數寄存器EMCDynamicRefresh，它可以用來設置SDRAM刷新一次的時間。
由于寄存器是以EMC的時鐘作為基準的，所以這個刷新時間的設置還跟EMC的時鐘有關，在配置的過程中，根據當前時鐘計算一下，以免出現錯誤。對于連有多個動態外部存儲芯片，而他們是共用這一個刷新時間的，這時候就要根據各個數據手冊中要求的刷新周期，以每次刷新時間最短的為準，這樣才能保證都能在規定的時間內完成刷新。同時對于支持熱復位的情況下，也要注意一下，由于熱復位期間，EMC的時鐘發生變化，這時候的刷新周期也就有所變化，在配置過程中，也要考慮到上面的情況。
對于其他的時間參數，可以對照EMC關于時間參數配置的寄存器和對應的外部存儲芯片的數據手冊，完成正確的配置，當EMC配置完成之后，就可以通過訪問總線地址來訪問外部存儲。
EMC實現的這種與外部存儲數據傳輸方式，會在以后的嵌入式產品中應用越來越廣泛，它為小容量MCU提供了新的契機。
| 
QQ好友和群
QQ空間
騰訊微博
騰訊朋友
收藏
淘帖
頂
踩
