從430論壇看到Flash模擬epprom的問(wèn)題。我之前沒有碰到過(guò)，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)用epprom，也許我的水平太菜了，但無(wú)論如何，我想知道個(gè)深切。
網(wǎng)上關(guān)于430Flash模擬epprom的帖子很多，我找來(lái)了幾個(gè)
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// 參數(shù)： adr 為地址 , 范圍 0x1000~0xFFFF
void FlashRead(long adr,uint8 *bBuf,uint8bLen)
{
while (bLen--)
*bBuf++=*(uint8 *)adr++;
return;
}
// 寫入地址 adr 寫入數(shù)據(jù)：*pc_byte
void FlashWrite(long adr,uchar*Datain,uint len)
{
//FCTL2 = FWKEY +FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK 16*FN4 + 8*FN3
FCTL3 = FWKEY;
FCTL1 = FWKEY + WRT;
while(FCTL3&BUSY); //如果處于忙狀態(tài)，則等待
while(count--)
{
while(FCTL3 & BUSY);
*(uchar*)adr++ = *Datain++;
}
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;
while(FCTL3 & BUSY);
}
EraseSectorFlash 過(guò)程
void EraseSectorFlash(unsigned intadr)
{
_DINT();
uchar *p0;
//FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//選擇時(shí)鐘源，分頻
FCTL3 = FWKEY;//清除LOCK
while(FCTL3 & BUSY);//如果出于忙，則等待
FCTL1 = FWKEY + ERASE;//使能段操作 每段512字節(jié)
p0 = (unsigned char *)adr;//數(shù)值強(qiáng)制轉(zhuǎn)換成指針
*p0 =0; //向段內(nèi)任意地址寫0，即空寫入，啟動(dòng)擦除操作
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;
while(FCTL3 & BUSY);
_EINT(); //開總中斷
}
查看空閑的FLASH 地址，避免擦除代碼所在的地址。每次擦除均是一段一段的擦除，每段512字節(jié)。
找不到datasheet，不知道段的起止地址的，可以打開memory，在內(nèi)存窗口，用代碼嘗試隨便寫入一個(gè)任意地址，看哪些地方被改寫成0xFF 就知道段的起止，如：
我們?cè)?x15000寫入（EraseSectorFlash(0x15000);），那里原本有非0xFF數(shù)據(jù)，好辨認(rèn)（是FF的可以先寫再擦）。看到段的起止是15000-151ff剛好是512 。
0x15000+0x200->0x15200 所以下一段的起始地址是 0x15200以此類推。
驗(yàn)證代碼：
EraseSectorFlash(0x2A000);
EraseSectorFlash(0x2A200);
EraseSectorFlash(0x2A400);
EraseSectorFlash(0x2A600);
FlashWrite(0x2A000,origin_protect_data,512);
memset(origin_protect_data,0xCB,900);
FlashWrite(0x2A200,origin_protect_data,512);
memset(origin_protect_data,0xCA,900);
FlashWrite(0x2A400,origin_protect_data,512);
memset(origin_protect_data,0xC9,900);
FlashWrite(0x2A600,origin_protect_data,512);
編譯地址分配：
在IAR窗口中，點(diǎn)擊view》memory ，在內(nèi)存窗口，點(diǎn)下拉框選擇 SER可知，SFR地址為 0x0000-0fff
RAM地址為：0x1c00-5bff
FLASH地址：0x5c00-45bff
結(jié)合看下面的地址分配圖，即可知道各部分代碼和數(shù)據(jù)被分配到什么地方。
****************************************
* *
* SEGMENTS IN ADDRESSORDER *
* *
****************************************
SEGMENT SPACE STARTADDRESS ENDADDRESS SIZE TYPE ALIGN
======= ===== ============= =========== ==== ==== =====
DATA16_AN 0102 -0103 2 rel 0
0120 -0121 2
0140 -0141 2
0144 -0145 2
015C -015D 2
0168 -016F 8
020A -020B 2
0222 -0225 4
0228 -0229 2
0242 -0245 4
024A -024B 2
026A -026B 2
0282 -0285 4
028A -028B 2
02A2 -02A5 4
02A8 -02A9 2
0340 -0341 2
0350 -0351 2
0380 -0387 8
0392 -0397 6
03AE -03AF 2
03C0 -03C3 4
03D2 -03D3 2
0640 -0641 2
0646 -0648 3
064C -064C 1
064E -064E 1
065C -065D 2
DATA20_I 1C00 -1E26 227 rel 1
DATA20_Z 1E28 -28B7 A90 rel 1
CSTACK 5400 -5BFF 800 rel 1
//-------------------------------------以下為編譯到FLASH的代碼---------------------------
CSTART 5C00 -5C2F 30 rel 1
ISR_CODE 5C30 -5E63 234 rel 1
<CODE>1 5E64 -D123 72C0 rel 1
INTVEC FF80 -FFF9 7A com 1
RESET FFFE -FFFF 2 rel 1
DATA20_C 00010000 -00019486 9487 rel 1
DATA20_ID 00019488 -000196AE 227 rel 1
****************************************
* *
* END OF CROSSREFERENCE *
* *
****************************************
30 112 bytes of CODE memory
5 303 bytes of DATA memory (+81 absolute )
38 574 bytes of CONST memory
Errors: none
Warnings: none
官方資料：http://pan.baidu.com/share/link?shareid=249328&uk=3523275049
1 Msp430Flash型單片機(jī)內(nèi)部Flash存儲(chǔ)器介紹
MSP430的Flash存儲(chǔ)器是可位、字節(jié)、字尋址和編程的存儲(chǔ)器。該模塊由一個(gè)集成控制器來(lái)控制編程和擦除的操作。控制器包括三個(gè)寄存器，一個(gè)時(shí)序發(fā)生器及一個(gè)提供編程、擦除電壓的電壓發(fā)生器。
Msp430的Flash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)有：
1） 產(chǎn)生內(nèi)部編程電壓
2） 可位、字節(jié)、字編程，可以單個(gè)操作，也可以連續(xù)多個(gè)操作
3） 超低功耗操作
4） 支持段擦除和多段模塊擦除
2 Flash存儲(chǔ)器的分割
Msp430Flash存儲(chǔ)器分成多個(gè)段。可對(duì)其進(jìn)行單個(gè)字節(jié)、字的寫入，也可以進(jìn)行連續(xù)多個(gè)字、字節(jié)的寫入操作，但是最小的擦除單位是段。
Flash存儲(chǔ)器被分割成兩部分：主存儲(chǔ)器和信息存儲(chǔ)器，兩者在操作上沒有什么區(qū)別。兩部分的區(qū)別在于段的大小和物理地址的不同。
以Msp430F149為例，信息存儲(chǔ)器有兩個(gè)128字節(jié)的段，即segmentA和segmentB，主存儲(chǔ)器有多個(gè)512字節(jié)的段。Msp430F149內(nèi)部Flash的地址為0x1000H~0xFFFFH，計(jì)60K。信息段SegA的起始地址為0x1080H，信息段SegB的起始地址為0x1000H。
3 Flash存儲(chǔ)器的操作
在默認(rèn)狀態(tài)下，處于讀操作模式。在讀操作模式中，F(xiàn)lash存儲(chǔ)器不能被擦除和寫入，時(shí)序發(fā)生器和電壓發(fā)生被關(guān)閉，存儲(chǔ)器操作指向ROM區(qū)。
Msp430 Flash存儲(chǔ)器在系統(tǒng)編程ISP（in-systemprogrammable）不需要額外的外部電壓。CPU能夠?qū)lash直接編程。Flash存儲(chǔ)器的寫入/擦除通過(guò)BLKWRT、WRT、MERAS、ERASE等位確定。
3.1 擦除
Flash存儲(chǔ)器各位的缺省值為1，每一位都可以單獨(dú)編程為0，但只有擦除操作才能將其恢復(fù)為1。擦除操作的最小單位是段。通過(guò)erase和meras位設(shè)置可選擇3種擦除模式。
MERAS |
ERASE |
擦除模式 |
0 |
1 |
段擦除 |
1 |
0 |
多段擦除（所有主存儲(chǔ)器的段） |
1 |
1 |
整體擦除（LOCKA=0時(shí)，擦除所有主存儲(chǔ)器和信息存儲(chǔ)器的段；主存儲(chǔ)器的段只有當(dāng)LOCKA=0時(shí)可以擦除） |
擦除操作開始于對(duì)擦除的地址范圍內(nèi)的任意位置執(zhí)行一次空寫入。空寫入的目的是啟動(dòng)時(shí)序發(fā)生器和擦除操作。在空寫入操作之后，BUSY位自動(dòng)置位，并保持到擦除周期結(jié)束。BUSY、MERAS、ERASE在擦除周期結(jié)束后自動(dòng)復(fù)位。
3.2 寫入
寫入模式由WRT和BLKWRT位進(jìn)行設(shè)置。
BLKWRT（塊寫入模式選擇） |
WRT（寫模式選擇位） |
寫入模式 |
0 |
1 |
單字節(jié)、單字寫入 |
1 |
1 |
塊寫入 |
所有的寫入模式使用一系列特有的寫入命令，采用塊寫入的速度大約是單個(gè)寫入的2
倍，因?yàn)殡妷喊l(fā)生器在塊寫入完成器件均能保持。對(duì)于這兩種寫入模式，任何能修改目的操作數(shù)的指令均能用于修改地址。一個(gè)Flash字不能再擦除器件進(jìn)行兩次以上的寫入。
當(dāng)啟動(dòng)寫入操作時(shí)，BUSY置位，寫入結(jié)束時(shí)復(fù)位。
4 操作編程
4.1 Flash擦除
對(duì)Flash要寫入數(shù)據(jù)，必須先擦除相應(yīng)的段，且對(duì)Flash存儲(chǔ)器的擦除必須是整段進(jìn)行的，可以一段一段擦，也可以多段一起擦除。擦除操作的順序如下：
1） 選擇適當(dāng)?shù)臅r(shí)鐘源和分頻因子；
2） 清除LOCK位
3） 判斷BUSY位，只有當(dāng)BUSY=0時(shí)才可以執(zhí)行下一步
4） 使能段操作，設(shè)置ERASE、MERAS位等（如果是擦除一段，則ERASE=1，如果擦除多段，則MERAS=1，如果擦除整個(gè)Flash，則ERASE=1，MERAS=1）
5） 對(duì)擦除的地址范圍內(nèi)的任意位置作一次空寫入，以啟動(dòng)擦除操作
6） 在擦除周期內(nèi)，時(shí)鐘源始終有效，不修改分頻因子
7） 操作完成后，置位LOCK
根據(jù)上述操作順序，編寫程序代碼如下：
void FlashErase(unsigned int adr)
{
uchar *p0;
(關(guān)閉中斷：_DINT();//關(guān)閉總中斷 本人注）
FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 +FN4;//選擇時(shí)鐘源，分頻
FCTL3 = FWKEY;//清除LOCK
while(FCTL3 &BUSY);//如果出于忙，則等待
FCTL1 = FWKEY + ERASE;//使能段操作
p0 = (unsigned char *)adr;//數(shù)值強(qiáng)制轉(zhuǎn)換成指針
*p0 =0; //向段內(nèi)任意地址寫0，即空寫入，啟動(dòng)擦除操作
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;
while(FCTL3 & BUSY);
（_EINT(); //開總中斷 本人注）
}
4.2 寫入
對(duì)Flash的寫入數(shù)據(jù)可以是單字、單字節(jié)，也可以是連續(xù)多個(gè)字或字節(jié)（即塊操作）。編程寫入操作的順序如下：
1） 選擇適當(dāng)?shù)臅r(shí)鐘源和分頻因子；
2） 清除LOCK位
3） 判斷BUSY位，只有當(dāng)BUSY=0時(shí)才可以執(zhí)行下一步操作
4） 使能寫入功能，設(shè)置WRT、BLKWRT（如果寫入單字或單字節(jié)則WRT=1，如果是塊寫入，或者是多字、多字節(jié)連續(xù)寫入則WRT=1，BLKWRT=1）；
5） 判斷BUSY位，只有當(dāng)BUSY=0時(shí)才可以執(zhí)行下一步操作
6） 寫入數(shù)據(jù)
7） 判忙，完了之后清除WRT，置位LOCK
根據(jù)上述操作順序，編寫程序代碼如下：
//write single byte
//Adr 為要編程的地址，沒有奇偶地址要求、DataB為要編程的字節(jié)數(shù)據(jù)
void FlashWB(unsigned char Adr,unsigned char DataB)
{
FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 +FN4;//MCLK 16*FN4 + 8*FN3
FCTL3 = FWKEY;
FCTL1 = FWKEY + WRT;
while(FCTL3 & BUSY);
*((unsigned int*)Adr)=DataB;//數(shù)值強(qiáng)制轉(zhuǎn)換成指針，指向地址數(shù)據(jù)Adr所表示的內(nèi)存單元
（*((unsigned char*)Adr)？本人注） //將數(shù)據(jù)字DataW賦值給內(nèi)存單元
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;
while(FCTL3 &BUSY);
}
//write single word
//Adr 為要編程的地址，應(yīng)該是偶地址、DataW為要編程的字?jǐn)?shù)據(jù)
void FlashWW(unsigned int Adr,unsigned int DataW)
{
FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 +FN4;//MCLK 16*FN4 + 8*FN3
FCTL3 = FWKEY;
FCTL1 = FWKEY + WRT;
while(FCTL3 & BUSY);
*((unsigned int*)Adr)=DataW;//數(shù)值強(qiáng)制轉(zhuǎn)換成指針，指向地址數(shù)據(jù)Adr所表示的內(nèi)存單元
//將數(shù)據(jù)字DataW賦值給內(nèi)存單元
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;
while(FCTL3 & BUSY);
}
// 寫入地址 *pc_byte 寫入數(shù)據(jù)：*pc_byte
void FlashWrite(uchar *pc_byte,uchar *Datain,uint count)
{
FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 +FN4;//MCLK 16*FN4 + 8*FN3
FCTL3 = FWKEY;
FCTL1 = FWKEY + WRT;
while(FCTL3 &BUSY); //如果處于忙狀態(tài)，則等待
while(count--)
{
while(FCTL3 & BUSY);
*pc_byte++ = *Datain++;
}
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;
while(FCTL3 &BUSY);
}
注意：在對(duì)字寫入和字節(jié)寫入的時(shí)候，用于指向信息區(qū)數(shù)據(jù)指針類型的區(qū)別，字寫入時(shí)候?yàn)?（（unsigned int*）Adr），字節(jié)寫入時(shí)候?yàn)?（（unsigned char *）Adr）。
4.3 讀取
根據(jù)查看的書籍資料和網(wǎng)絡(luò)資料得出，內(nèi)部Flash的讀取操作沒有順序的要求，一般Flash默認(rèn)的操作方式即為讀模式。讀取Flash的程序代碼如下：
void FlashRead(uchar *pc_byte,uchar *Dataout,uint count)
{
while(count--)
{
*Dataout= *pc_byte;
Dataout++;
pc_byte++;
}
}
在網(wǎng)上查找資料的時(shí)候，好像看到過(guò)有位網(wǎng)友的博客說(shuō)，內(nèi)部Flash的地址是自動(dòng)加1的，按照他的理解，函數(shù)中pc_byte++語(yǔ)句就沒有用處了，可是事實(shí)不然，我在調(diào)試過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)并不能自動(dòng)加1，pc_byte++語(yǔ)句還是有必要的。調(diào)用上述函數(shù)，可以通過(guò)這樣的方式FlashRead（（uchar*）0x1000，a，4）；即從0x1080地址處開始，連續(xù)讀取4個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)，送給數(shù)組a。
5 小結(jié)
對(duì)Msp430 片內(nèi)Flash的操作是通過(guò)對(duì)3個(gè)控制字中的相應(yīng)位來(lái)完成的，只有控制位的正確組合，才能實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的功能。
同時(shí)在編程中注意靈活使用數(shù)組和指針，以及指向數(shù)組的指針等，可以達(dá)到靈活編程的目的，不過(guò)本文中給出的幾個(gè)程序段，基本上能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)Msp430Flash的擦除、寫入等操作。這是我最近3天所作的一些努力，整理一下與大家分享。
本文參考了TI的《MSP430x1xx Family UsersGuide》及TI網(wǎng)上提供的關(guān)于Flash操作的實(shí)例代碼，并在網(wǎng)絡(luò)上收集了一些資料，在此不一一列出，不過(guò)本文應(yīng)該算本人原創(chuàng)，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明。謝謝
MSP430X14X Flash 讀寫操作總結(jié)開發(fā)平臺(tái)：IAR Embedded Workbench、MSP430F149開發(fā)板作者：譚貝貝Flash操作注意事項(xiàng) 在讀寫的過(guò)程中電壓不能小于2.7V否則擦除和讀寫的結(jié)果將不可預(yù)測(cè)。Flash的可操作時(shí)鐘頻率為~257KHZ---~476KHZ。如果頻率不符合要求，則結(jié)果不可預(yù)測(cè)。
在擦除先需要關(guān)閉中斷和看門狗，在擦除的過(guò)程中如果產(chǎn)生了中斷，則會(huì)在重新使能中斷后產(chǎn)生一個(gè)中斷請(qǐng)求。Flash只能從1寫為0，不能從從0寫為1，所以需要擦除。
可以被擦除的最小模塊是片段，tAll Erase = tMass Erase = 5297/fFTG, tSeg Erase =4819/fFTG。
Flash ERASEMSP430X14X的擦除模式可以從Flash或者RAM中進(jìn)行。
從Flash中擦除從Flash中擦除的過(guò)程中所有的定時(shí)都會(huì)被Flash控制，CPU被掛起。擦除完成后需要一個(gè)假寫入CPU才能復(fù)位。從Flash擦除時(shí)有可能把后面CPU需要執(zhí)行的代碼擦除。如果發(fā)生這樣的情況，在擦除后CPU的執(zhí)行狀況將不可預(yù)測(cè)。
Flash中擦除流程圖圖片地址：http://wenku.baidu.com/view/b82c0b1a52d380eb62946d4b.html從RAM中擦除從RAM中擦除時(shí)CPU不會(huì)被掛起，可以繼續(xù)執(zhí)行代碼。必須檢測(cè)BUSY位以判斷擦除是否結(jié)束，如果在擦除的過(guò)程中（即BUSY=1時(shí)）訪問(wèn)Flash，這是一個(gè)違規(guī)的訪問(wèn)，ACCVIFG會(huì)置位，而擦除的結(jié)果也將不可預(yù)測(cè)。
RAM中擦除流程圖圖片地址：http://wenku.baidu.com/view/b82c0b1a52d380eb62946d4b.htmlFlash WriteMSP430X14X有兩種寫入模式，分為段寫入（byte/word write），和塊寫入（BlockWrite），塊寫入要快得多，但是操作麻煩，在擦除的過(guò)程中不能有一個(gè)Flash word(low + highbyte)，則會(huì)發(fā)生損壞。CPU不能在BUSY=1時(shí)訪問(wèn)Flash，否則ACCFIG將置位寫入將不可預(yù)測(cè)。
1.Byte/Word writeByte/Word寫入可以從Flash或者RAM初始化，當(dāng)從Flash中初始化時(shí)，所有的定時(shí)都會(huì)被Flash控制，CPU被掛起。寫完后CPU將繼續(xù)執(zhí)行后面的代碼。
當(dāng)從RAM中初始化時(shí)，BUSY必須在CPU訪問(wèn)Flash前置0.否則ACCFIG將被置位，寫入的結(jié)果將不可預(yù)測(cè)。
在Byte/Word 寫模式下寫入總時(shí)間不能超過(guò)4ms,如果超過(guò)了，當(dāng)再想這塊任何地址寫入數(shù)據(jù)時(shí)必須先擦除。
Byte/Word 寫入流程圖
從RAM中執(zhí)行Byte/Word 寫入塊寫入塊寫入時(shí)沒一小塊不能超過(guò)t_cpt=4ms,塊寫入只能從RAM中進(jìn)行，在塊寫入的過(guò)程中WAIT位要置0，當(dāng)想Flash中寫入數(shù)據(jù)時(shí)，需要先檢查WAIT位是否為1.當(dāng)前塊寫完后BLKWRT要清0.
流程圖圖片地址：http://wenku.baidu.com/view/b82c0b1a52d380eb62946d4b.html在擦除或者寫入的過(guò)程中訪問(wèn)Flash，見下表Flash的寄存器FCTL1，選擇擦除和寫入模式的寄存器FRKEY/FWKEY 高八位為密碼讀的密碼為96h，寫的密碼為A5h。
BLKWRT 塊寫入模式選擇位，可以自動(dòng)被EMEX置位
WRT 字寫入模式選擇位，可任意自動(dòng)被EMEX置位
MERASE和ERASE，擦除模式選擇位
FCTL2時(shí)鐘選擇寄存器
FWKEYx密碼位
FSSELx時(shí)鐘選擇位
FNx分頻比 分頻值等于FN+1
兩個(gè)例子#include <msp430x14x.h>
#include "BoardConfig.h"
void Write_A(uchar value);
void Copy_A2B(void);
void main( void )
{
// Stop watchdog timer to prevent time outreset
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;
BoardConfig(0xb8);
FCTL2 = FWKEY + FSSEL0 + FN0; //Selectsource
uchar value = 0;
for(;;)
{
Write_A(value++); //Write data to segment A
Copy_A2B(); //Copy data from segment A to segment B
_NOP();
}
}
void Write_A(uchar value)
{
uchar i;
uchar *Flash_ptr;
Flash_ptr = (uchar *)0x1080;
FCTL1 = FWKEY + ERASE; //Set ERASE mode
FCTL3 =FWKEY; //Clear LOCK
*Flash_ptr =0; //Dummy write
FCTL1 = FWKEY + WRT;
for(i = 0;i < 128;i++)
{
*Flash_ptr++ =value; //Write value
}
FCTL1 =FWKEY; //Clear WRT
FCTL3 = FWKEY +LOCK; //Set LOCK
}
//Copy data from B to A
voidCopy_A2B(void)
{
uchar *Flash_ptrA;
uchar *Flash_ptrB;
uint i;
Flash_ptrA = (uchar *)0X1080;
Flash_ptrB = (uchar *)0x1000;
FCTL1 = FWKEY + ERASE;
FCTL3 = FWKEY;
*Flash_ptrB = 0;
FCTL1 = FWKEY + WRT;
for(i = 0;i < 128;i++)
{
*Flash_ptrB++ = *Flash_ptrA++;
}
FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;
}
再來(lái)個(gè)塊寫入的（TI例程）//****************************************************************************
// MSP430F14x Demo - Flash In-SystemProgramming, BlockWrite
//
// Description: This program first copies theFlashWrite routine to RAM, then
// erases flash seg A, then it increments allvalues in seg A using the 64
// byte block write mode.
//
// Assumed default MCLK = DCO ~800 kHz.
// Minimum RAM requirement = 512 bytes
//
// ** Set Breakpoint on NOP in the Mainloop toavoid Stressing Flash **
//
// MSP430F149
// -----------------
// /|\| XIN|-
// || |
// --|RST XOUT|-
// | |
//
// H. Grewal / L. Westlund
// Texas Instruments Inc.
// Jun 2006
// Built with IAR Embedded Workbench Version:3.30A
//******************************************************************************
#include <msp430x16x.h>
// Global variables
char value =0; // 8-bit value to write to segment A
char*Flash_ptr; // Flash pointer
char*RAM_ptr; // RAM pointer
char*END_ptr; // End of FlashWrite routine
// Function prototypes
void FlashWrite();
void CopyRoutine();
void End_of_FlashWrite();
void main(void)
{
WDTCTL = WDTPW +WDTHOLD; // Stop watchdog timer
_DINT(); // Diable Interrupts
CopyRoutine(); // Copy FlashWrite routine to RAM
_EINT(); // Enable Interrupts
while(1) // Repeat forever
{
Flash_ptr= (char *)0x1000; // Initialize Flash pointer
FCTL2 =FWKEY + FSSEL1 +FN0; // MCLK/2 for Flash Timing Generator
FCTL1 =FWKEY +ERASE; // Set Erase bit
FCTL3 =FWKEY; // Clear Lock bit
*Flash_ptr =0; // Dummy write to erase Flash segment
while(!(FCTL3 &WAIT)); // WAIT until Flash is ready
asm("CALL#300h"); // Execute FlashWrite from RAM
// Inline Assembly
value++; // Increment value
_NOP(); // SET BREAKPOINT HERE
}
}
void CopyRoutine()
{
Flash_ptr =(char*)FlashWrite; // Set pointer to FlashWrite routine
RAM_ptr =(char*)0x0300; // Set pointer to RAM
END_ptr =(char*)End_of_FlashWrite; // Set pointer to End_of_FlashWrite
while(END_ptr !=Flash_ptr) // Check for end of FlashWrite
{
*RAM_ptr=*Flash_ptr; // Copy word to RAM
Flash_ptr++; // Increment Flash pointer
RAM_ptr++; // Increment RAM pointer
}
}
void FlashWrite()
{
volatile inti; // Use as write counter
Flash_ptr =(char*)0x1000; // Initialize Flash pointer
while(FCTL3 &BUSY); // Check Flash BUSY bit
FCTL1 = FWKEY + BLKWRT +WRT; // Enable block-write operation
for(i = 0; i < 64; i++)
{
*Flash_ptr =value; // Write value to flash
Flash_ptr++; // Double-increment Flash pointer
while(!(FCTL3 &WAIT)); // WAIT until Flash is ready
}
FCTL1 =FWKEY; // Clear BLKWRT & WRT bits
while(FCTL3 &BUSY); // Check Flash BUSY bit
FCTL3 = FWKEY +LOCK; // Reset LOCK bit
return; // Exits routine
}
voidEnd_of_FlashWrite(){} // Marks end of FlashWrite
內(nèi)容摘要：一、MSP430單片機(jī)FLASH存儲(chǔ)器模塊特點(diǎn)1.8～3.6V工作電壓，2.7～3.6V編程電壓；擦除/編程次數(shù)可達(dá)100000次：數(shù)據(jù)保持時(shí)間從10年到100年不等：60KB空間編程時(shí)間<5秒：保密熔絲燒斷后不可恢復(fù)，不能再對(duì)JTAG進(jìn)行任何訪問(wèn)；FLASH編...
一、MSP430 FLASH模塊特點(diǎn)
1.8～3.6V工作電壓，2.7～3.6V編程電壓；
擦除/編程次數(shù)可達(dá)100000次：
數(shù)據(jù)保持時(shí)間從10年到100年不等：// 來(lái)自 ：ST_M_8.C_N
60KB空間編程時(shí)間<5秒：
保密熔絲燒斷后不可恢復(fù)，不能再對(duì)JTAG進(jìn)行任何訪問(wèn)；
FLASH編程/擦除時(shí)間由內(nèi)部硬件控制，無(wú)任何軟件干預(yù)；
二、FLASH存儲(chǔ)器的操作
由于FLASH存儲(chǔ)器由很多相對(duì)獨(dú)立的段組成，因此可在一個(gè)段中運(yùn)行程序，而對(duì)另一個(gè)段進(jìn)行擦除或?qū)懭氩僮鳌Ｕ趫?zhí)行編程或擦除等操作的FLASH段是不能被訪問(wèn)的，因?yàn)檫@時(shí)該段是與片內(nèi)地址總線暫時(shí)斷開的。對(duì)FLASH模塊的操作可分為3類：擦除、寫入及讀出。而擦除又可分為單段擦除和整個(gè)模塊擦除；寫入可分為字寫入、字節(jié)寫入、字連續(xù)寫入和字節(jié)連續(xù)寫入
1.FLASH擦除操作：對(duì)FLASH要寫入數(shù)據(jù)，必須先擦除相應(yīng)的段，對(duì)FLASH存儲(chǔ)器的擦除必須是整段地進(jìn)行，可以一段一段地擦除，也可以多端一起擦除，但不能一個(gè)字節(jié)或一個(gè)字地擦除。擦除之后各位為1。擦除操作的順序如下：
選擇適當(dāng)?shù)臅r(shí)鐘源和分頻因子，為時(shí)序發(fā)生器提供正確時(shí)鐘輸入
如果Lock=1，則將它復(fù)位:
BUSY標(biāo)志位，只有當(dāng)BUSY=0時(shí)才可以執(zhí)行下一步，否則不行
如果擦除一段，則設(shè)置ERASE=1
如果擦除多段，則設(shè)置MERAS=1
如果擦除整個(gè)FLASH，則設(shè)置RASE=1，同時(shí)MERAS=1
對(duì)擦除的地址范圍內(nèi)的任意位置作一次空寫入，用以啟動(dòng)擦除操作。
在擦除周期選擇的時(shí)鐘源始終有效
在擦除周期不修改分頻因子
在BUSY=1期間不再訪問(wèn)所操作的段
電源電壓應(yīng)符合芯片的相應(yīng)要求// 來(lái)自 ：ST_M_8.C_N
對(duì)FLASH擦除要做4件事
對(duì)FLASH控制寄存器寫入適當(dāng)?shù)目刂莆?br />
BUSY位
空寫一次
等待
2.FLASH編程操作。對(duì)FLASH編程按如下順序進(jìn)行：
選擇適當(dāng)?shù)臅r(shí)鐘源和分頻因子
如果Lock=1，則將它復(fù)位
BUSY標(biāo)志位，只有當(dāng)BUSY=0時(shí)才可以執(zhí)行下一步，否則不行
如果寫入單字或單字節(jié)，則將設(shè)置WRT=1
如果是塊寫或多字、多字節(jié)順序?qū)懭耄瑒t將設(shè)置WRT=1，BLKWRT=1
將數(shù)據(jù)寫入選定地址時(shí)啟動(dòng)時(shí)序發(fā)生器，在時(shí)序發(fā)生器的控制下完成整個(gè)過(guò)程
塊寫入可用于在FLASH段中的一個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)區(qū)域?qū)懭胍幌盗袛?shù)據(jù)。一個(gè)塊為64字節(jié)長(zhǎng)度。塊開始在0XX00H、0XX40H、0XX80H、0XXC0H等地址，塊結(jié)束在0XX3FH、0XX7FH、0XXBFH、0XXFFH等地址。塊操作在64字節(jié)分界處需要特殊的軟件支持，操作如下：
等待WAIT位，直到WAIT=1，表明最后一個(gè)字或字節(jié)寫操作結(jié)束
將控制位BLKWRT復(fù)位
保持BUSY位為1，直到編程電壓撤離FLASH模塊
在新塊被編程前，等待trcv（編程電壓恢復(fù)時(shí)間）時(shí)間
在寫周期中，必須保證滿足以下條件：
被選擇的時(shí)鐘源在寫過(guò)程中保持有效
分頻因子不變
在BUSY=1期間，不訪問(wèn)FLASH存儲(chǔ)器模塊
對(duì)FLASH寫入要做4件事
對(duì)FLASH控制寄存器寫入適當(dāng)?shù)目刂莆?br />
BUSY位
寫一個(gè)數(shù)據(jù)
繼續(xù)寫一直到寫完
3.FLASH錯(cuò)誤操作的處理：在寫入FLASH控制寄存器控制參數(shù)時(shí)，可引發(fā)以下錯(cuò)誤：
如果寫入高字節(jié)口令碼錯(cuò)誤，則引發(fā)PUC信號(hào)。小心操作可避免
在對(duì)FLASH操作期間讀FLASH內(nèi)容，會(huì)引發(fā)ACCVFIG狀態(tài)位的設(shè)置。小心操作可避免
在對(duì)FLASH操作期間看門狗定時(shí)器溢出。建議用戶程序在進(jìn)行FLASH操作之前先停止看門狗定時(shí)器，等操作結(jié)束后再打開看門狗
所有的FLASH類型的MSP430器件0段都包含有中斷向量等重要的程序代碼，如果對(duì)其進(jìn)行擦除操作，將會(huì)引起嚴(yán)重的后果
不要在FLASH操作期間允許中斷的發(fā)生
4.FLASH操作小結(jié)
對(duì)FLASH的操作是通過(guò)對(duì)3個(gè)控制字中的相應(yīng)位來(lái)完成的，只有控制位的唯一組合才能實(shí)現(xiàn)相應(yīng)的功能。下表給出了正確的控制位組合：
功能 BLKWRT WRT Meras Erase BUSY WAIT Lock
字或字節(jié)寫入 0 1 0 0 0 0 0
塊寫入 1 1 0 0 0 1 0
段擦除并寫入 0 0 0 1 0 0 0
擦除A和B以外段 0 0 1 0 0 0 0
全部擦除并寫入 0 0 1 1 0 x 0
三、FLASH寄存器說(shuō)明// 來(lái)自 ：ST_M_8.C_N
允許編程、擦除等操作首先要對(duì)3個(gè)控制寄存器（FCTL1、FCTL2、FCTL3）的各位進(jìn)行定義。它們使用安全鍵值（口令碼）來(lái)防止錯(cuò)誤的編程和擦除周期，口令出錯(cuò)將產(chǎn)生非屏蔽中斷請(qǐng)求。安全鍵值位于每個(gè)控制字的高字節(jié)，讀時(shí)為96H，寫時(shí)為5AH。
1．FCTL1 控制寄存器1（用于控制所有寫/編程或者刪除操作的有效位），各位定義如下：
bit15～8 bit7 bit6 bit5 bit4 bit3 bit2 bit1 bit0
安全鍵值,讀為96H,寫5AH BLKWRT WRT -- -- -- MERAS ERASE --
BLKWRT——段編程位。如果有較多的連續(xù)數(shù)據(jù)要編程到某一段或某幾段，則可選擇這種方式，這樣可縮短編程時(shí)間。在一段程序完畢，再編程其它段，需對(duì)該位先復(fù)位再置位，在下一條寫指令執(zhí)行前WAIT位應(yīng)為1。
0：未選用段編程方式
1：選用段編程方式
WRT——編程位
0：不編程，如對(duì)FLASH寫操作，發(fā)生非法訪問(wèn)，使ACCVIFG位置位；
1：編程
MERAS——主存控制擦除位
0：不擦除
1：主存全擦除，對(duì)主存空寫時(shí)啟動(dòng)擦除操作，完成后MERAS自動(dòng)復(fù)位
ERASE——擦除一段控制位
0：不擦除
1：擦除一段。由空寫指令帶入段號(hào)來(lái)指定擦除哪一段，操作完成后自動(dòng)復(fù)位
2．FCTL2 控制寄存器2（對(duì)進(jìn)入時(shí)序發(fā)生器的時(shí)鐘進(jìn)行定義），各位定義如下：
bit15～8 bit7 bit6 bit5 bit4 bit3 bit2 bit1 bit0
安全鍵值,讀為96H,寫5AH SSEL1 SSEL0 FN5 FN4 FN3 FN2 FN1 FN0
SSEL1、SSEL0——選擇時(shí)鐘源
0：ACLK
1：MCLK
2：SMCLK
3：SMCLK
FN5～FN0——分頻系數(shù)選擇位
0：直通
1：2分頻
2：3分頻
...... read datasheet
63：64分頻
3．FCTL3 控制寄存器3（用于控制FLASH存儲(chǔ)器操作，保存相應(yīng)的狀態(tài)標(biāo)志和錯(cuò)誤條件），各位定義如下：
bit15～8 bit7 bit6 bit5 bit4 bit3 bit2 bit1 bit0
安全鍵值,讀為96H,寫5AH -- -- EMEX Lock WAIT ACCVIFG KEYV BUSY
EMEX——緊急退出位。對(duì)FLASH的操作失敗時(shí)使用該位作緊急處理
0：無(wú)作用
1：立即停止對(duì)FLASH的操作
Lock——鎖定位，給已經(jīng)編程好的FLASH存儲(chǔ)器加鎖
0：不加鎖，F(xiàn)LASH存儲(chǔ)器可讀、可寫、可擦除
1：加鎖，加鎖的FLASH存儲(chǔ)器可讀、不可寫、不可擦除
WAIT——等待指示信號(hào)，該位只讀。// 來(lái)自 ：ST_M_8.C_N
0：段編程操作已經(jīng)開始，編程操作進(jìn)行中
1：段編程操作有效，當(dāng)前數(shù)據(jù)已經(jīng)正確地寫入FLASH存儲(chǔ)器，后續(xù)編程數(shù)據(jù)被列入計(jì)劃
ACCVIFG——非法訪問(wèn)中斷標(biāo)志。當(dāng)對(duì)FLASH陣列進(jìn)行編程或擦除操作時(shí)不能訪問(wèn)FLASH，否則將使得該位置位
0：沒有對(duì)FLASH存儲(chǔ)器的非法訪問(wèn)
1：有對(duì)FLASH存儲(chǔ)器的非法訪問(wèn)
KEYV——安全鍵值（口令碼）出錯(cuò)標(biāo)志位
0：對(duì)3個(gè)控制寄存器的訪問(wèn)，寫入時(shí)高字節(jié)是0A5H
1：對(duì)3個(gè)控制寄存器的訪問(wèn)，寫入時(shí)高字節(jié)不是0A5H，同時(shí)引發(fā)PUC信號(hào)
KEYV不會(huì)自動(dòng)復(fù)位，須用軟件復(fù)位
BUSY——忙標(biāo)志位。該位只讀。每次編程或擦除之前都應(yīng)該檢查BUSY位。當(dāng)編程或擦除啟動(dòng)后，時(shí)序發(fā)生器將自動(dòng)設(shè)置該位為1，操作完成后BUSY位自動(dòng)復(fù)位
0：FLASH存儲(chǔ)器不忙
1：FLASH存儲(chǔ)器忙
可以在程序中擦寫FLASH這樣就不用判斷Busy的標(biāo)志，因?yàn)橹挥胁翆懲瓿傻臅r(shí)候FLASH才有效！程序才能繼續(xù)走！如果把程序拷到RAM中擦除就要判斷BUSY了！
擦寫完成后可以不用LOCK，用LOCK只是一個(gè)保險(xiǎn)作用！防止你對(duì)FLASH的非法操作
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我從文庫(kù)里也看到Flash與epprom的區(qū)別，但沒有找到文庫(kù)，只好在網(wǎng)上找了篇博客
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掉電需保護(hù)且在程序運(yùn)行過(guò)程中需要修改的想少量參數(shù)保存在EEPROM中，其擦除次數(shù)較Flash多，F(xiàn)lash用來(lái)做程序和一些掉電保護(hù)和不需要修改的數(shù)據(jù)。 Flash memory指的是“閃存”，所謂“閃存”，它也是一種非易失性的內(nèi)存，屬于EEPROM的改進(jìn)產(chǎn)品，它的最大特點(diǎn)是必須按塊（Block）擦除（每個(gè)區(qū)塊的大小不定，不同廠家的產(chǎn)品有不同的規(guī)格），而EEPROM則可以一次只擦除一個(gè)字節(jié)（Byte），目前“閃存”被廣泛用在PC機(jī)的主板上，用來(lái)保存BIOS程序，便于進(jìn)行程序的升級(jí)。其另外一大應(yīng)用領(lǐng)域是用來(lái)作為硬盤的替代品，具有抗震、速度快、無(wú)噪聲、耗電低的優(yōu)點(diǎn)，但是將其用來(lái)取代RAM就顯的不合適，因?yàn)镽AM需要能夠按字節(jié)改寫，而Flash ROM做不到。 FLASH的全稱是FLASH EEPROM，但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同。FLASH和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同，F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲(chǔ)器，EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設(shè)計(jì)會(huì)集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲(chǔ)器，而廉價(jià)型設(shè)計(jì)往往只有FLASH，EEPROM在運(yùn)行中可以被修改，而FLASH在運(yùn)行時(shí)不能修改，EEPROM可以存儲(chǔ)一些修改的參數(shù)，F(xiàn)lash中存儲(chǔ)程序代碼和不需要修改的數(shù)據(jù)，所謂的Flash是用來(lái)形容整個(gè)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可以一次性擦除。所以，理論上凡是具備這樣特征的存儲(chǔ)器都可以稱為Flash memory。EEPROM里面也分FF-EEPROM和FLASH EEPROM的，現(xiàn)在大家所講的Flash memory實(shí)際上分為兩大類，一類是Floating Gate Debice，一類是Charge Trapping Debice，這里的分類標(biāo)準(zhǔn)主要是program與crase的機(jī)制不同。 一：FLASH和EEPROM的區(qū)別 1:相同點(diǎn)是兩者都能掉電存儲(chǔ)數(shù)據(jù) 2：不同點(diǎn)是： A：FALSH寫入時(shí)間長(zhǎng)，EEPROM寫入時(shí)間短。 B：FLASH擦寫次數(shù)少（10000次），EEPROM次數(shù)多（1000000次） 二：?jiǎn)纹瑱C(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器不能用FLASH，因?yàn)椋?/font> 1：FLASH有一定的擦除，寫入次數(shù)，一般的單片機(jī)的FLASH擦除寫入次數(shù)的標(biāo)稱值是10000次。 2：FLASH寫入數(shù)據(jù)需要比較長(zhǎng)的時(shí)間，大約需要4-6ms，而且寫FLASH需要加上9V的高壓，麻煩。 三：至于EEPROM，可以作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，但是單片機(jī)如atmegal28，一般用RAM作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，因?yàn)镋EPROM工藝復(fù)雜，成本高，適合于存儲(chǔ)掉電保護(hù)的數(shù)據(jù)，而這類數(shù)據(jù)往往不需要太多，所以一般的單片機(jī)都沒在內(nèi)部集成EEPROM，需要的時(shí)候可以讓單片機(jī)外掛24C01一類的串行EEPROM。 區(qū)別： 1、 FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作 2、 FLASH寫入時(shí)間長(zhǎng)，EEPROM寫入時(shí)間短 3、 FLASH擦寫次數(shù)少（10000次），EEPROM次數(shù)多（1000000次） 4、 FLASH的電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低，EEPROM工藝復(fù)雜，成本高
EEPROM
百科名片
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器--一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。
目錄
發(fā)展 背景知識(shí) 基本原理
編輯本段發(fā)展
EEPROM（電可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器）是可用戶更改的只讀存儲(chǔ)器（ROM），其可通過(guò)高于普通
EEPROM 電壓的作用來(lái)擦除和重編程（重寫）。不像EPROM芯片，EEPROM不需從計(jì)算機(jī)中取出即可修改。在一個(gè)EEPROM中，當(dāng)計(jì)算機(jī)在使用的時(shí)候是可頻繁地重編程的，EEPROM的壽命是一個(gè)很重要的設(shè)計(jì)考慮參數(shù)。EEPROM的一種特殊形式是閃存，其應(yīng)用通常是個(gè)人電腦中的電壓來(lái)擦寫和重編程。 EEPROM,一般用于即插即用（Plug & Play）。 常用在接口卡中，用來(lái)存放硬件設(shè)置數(shù)據(jù)。 也常用在防止軟件非法拷貝的"硬件鎖"上面。
編輯本段背景知識(shí)
在微機(jī)的發(fā)展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只讀存儲(chǔ)器）中。ROM內(nèi)部的資料是在ROM的制造工序中，在工廠里用特殊的方法被燒錄進(jìn)去的，其中的內(nèi)容只能讀不能改，一旦燒錄進(jìn)去，用戶只能驗(yàn)證寫入的資料是否正確，不能再作任何修改。如果發(fā)現(xiàn)資料有任何錯(cuò)誤，則只有舍棄不用，
EEPROM 重新訂做一份。ROM是在生產(chǎn)線上生產(chǎn)的，由于成本高，一般只用在大批量應(yīng)用的場(chǎng)合。 由于ROM制造和升級(jí)的不便，后來(lái)人們發(fā)明了PROM（Programmable ROM，可編程ROM）。最初從工廠中制作完成的PROM內(nèi)部并沒有資料，用戶可以用專用的編程器將自己的資料寫入，但是這種機(jī)會(huì)只有一次，一旦寫入后也無(wú)法修改，若是出了錯(cuò)誤，已寫入的芯片只能報(bào)廢。PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且寫入資料的速度比ROM的量產(chǎn)速度要慢，一般只適用于少量需求的場(chǎng)合或是ROM量產(chǎn)前的驗(yàn)證。 EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可編程ROM）芯片可重復(fù)擦除和寫入，解決了PROM芯片只能寫入一次的弊端。EPROM芯片有一個(gè)很明顯的特征，在其正面的陶瓷封裝上，開有一個(gè)玻璃窗口，透過(guò)該窗口，可以看到其內(nèi)部的集成電路，紫外線透過(guò)該孔照射內(nèi)部芯片就可以擦除其內(nèi)的數(shù)據(jù)，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM內(nèi)資料的寫入要用專用的編程器，并且往芯片中寫內(nèi)容時(shí)必須要加一定的編程電壓（VPP=12—24V，隨不同的芯片型號(hào)而定）。EPROM的型號(hào)是以27開頭的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在寫入資料后，還要以不透光的貼紙或膠布把窗口封住，以免受到周圍的紫外線照射而使資料受損。
編輯本段基本原理
由EPROM操作的不便，后來(lái)出的主板上BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，電可擦除可編程ROM）。EEPROM的擦除不需要借助于其它設(shè)備，它是以電子信號(hào)來(lái)修改其內(nèi)容的，而且是以Byte為最小修改單位，不必將資料全部洗掉才能寫入，徹底擺脫了EPROM Eraser和編程器的束縛。EEPROM在寫入數(shù)據(jù)時(shí)，仍要利用一定的編程電壓，此時(shí)，只需用廠商提供的專用刷新程序就可以輕而易舉地改寫內(nèi)容，所以，它屬于雙電壓芯片。借助于EEPROM芯片的雙電壓特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升級(jí)時(shí)，把跳線開關(guān)打至“ON”的位置，即給芯片加上相應(yīng)的編程電壓，就可以方便地升級(jí)；平時(shí)使用時(shí)，則把跳線開關(guān)打至“OFF”的位置，防止CIH類的病毒對(duì)BIOS芯片的非法修改。所以，至今仍有不少主板采用EEPROM作為BIOS芯片并作為自己主板的一大特色。
EEPROM和flash的區(qū)別
之前對(duì)各種存儲(chǔ)器一直不太清楚，今天總結(jié)一下。 存儲(chǔ)器分為兩大類：ram和rom。 ram就不講了，今天主要討論rom。 rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來(lái)出現(xiàn)了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯(cuò)了，只能換一片，自認(rèn)倒霉。人類文明不斷進(jìn)步，終于出現(xiàn)了可多次擦除寫入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下，想一下你往單片機(jī)上下了一個(gè)程序之后發(fā)現(xiàn)有個(gè)地方需要加一句話，為此你要把單片機(jī)放紫外燈下照半小時(shí)，然后才能再下一次，這么折騰一天也改不了幾次。歷史的車輪不斷前進(jìn)，偉大的EEPROM出現(xiàn)了，拯救了一大批程序員，終于可以隨意的修改rom中的內(nèi)容了。 EEPROM的全稱是“電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相對(duì)于紫外擦除的rom來(lái)講的。但是今天已經(jīng)存在多種EEPROM的變種，變成了一類存儲(chǔ)器的統(tǒng)稱。 狹義的EEPROM： 這種rom的特點(diǎn)是可以隨機(jī)訪問(wèn)和修改任何一個(gè)字節(jié)，可以往每個(gè)bit中寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM，掉電后數(shù)據(jù)不丟失，可以保存100年，可以擦寫100w次。具有較高的可靠性，但是電路復(fù)雜/成本也高。因此目前的EEPROM都是幾十千字節(jié)到幾百千字節(jié)的，絕少有超過(guò)512K的。 flash: flash屬于廣義的EEPROM，因?yàn)樗彩请姴脸膔om。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它flash。 flash做的改進(jìn)就是擦除時(shí)不再以字節(jié)為單位，而是以塊為單位，一次簡(jiǎn)化了電路，數(shù)據(jù)密度更高，降低了成本。上M的rom一般都是flash。 flash分為nor flash和nand flash。nor flash數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能，可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來(lái)擦。 nand flash同樣是按塊擦除，但是數(shù)據(jù)線和地址線復(fù)用，不能利用地址線隨機(jī)尋址。讀取只能按頁(yè)來(lái)讀取。（nandflash按塊來(lái)擦除，按頁(yè)來(lái)讀，norflash沒有頁(yè)） 由于nandflash引腳上復(fù)用，因此讀取速度比nor flash慢一點(diǎn)，但是擦除和寫入速度比nor flash快很多。nand flash內(nèi)部電路更簡(jiǎn)單，因此數(shù)據(jù)密度大，體積小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。 使用壽命上，nand flash的擦除次數(shù)是nor的數(shù)倍。而且nand flash可以標(biāo)記壞塊，從而使軟件跳過(guò)壞塊。nor flash 一旦損壞便無(wú)法再用。 因?yàn)閚or flash可以進(jìn)行字節(jié)尋址，所以程序可以在nor flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
PROM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM的區(qū)別 ROM 指的是“只讀存儲(chǔ)器”，即Read-Only Memory。這是一種線路最簡(jiǎn)單半導(dǎo)體電路，通過(guò)掩模工藝， 一次性制造，其中的代碼與數(shù)據(jù)將永久保存(除非壞掉)，不能進(jìn)行修改。這玩意一般在大批量生產(chǎn)時(shí)才會(huì)被用的，優(yōu)點(diǎn)是成本低、非常低，但是其風(fēng)險(xiǎn)比較大，在 產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)，如果調(diào)試不徹底，很容易造成幾千片的費(fèi)片，行內(nèi)話叫“掩砸了”！
PROM 指的是“可編程只讀存儲(chǔ)器”既Programmable Red-Only Memory。這樣的產(chǎn)品只允許寫入一次，所以也被稱為“一次可編程只讀存儲(chǔ)器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出廠時(shí)，存儲(chǔ)的內(nèi)容全為1，用戶可以根據(jù)需要將其中的某些單元寫入數(shù)據(jù)0(部分的PROM在出廠時(shí)數(shù)據(jù)全為0，則用 戶可以將其中的部分單元寫入1)， 以實(shí)現(xiàn)對(duì)其“編程”的目的。PROM的典型產(chǎn)品是“雙極性熔絲結(jié)構(gòu)”，如果我們想改寫某些單元，則可以給這些單元通以足夠大的電流，并維持一定的時(shí)間，原 先的熔絲即可熔斷，這樣就達(dá)到了改寫某些位的效果。另外一類經(jīng)典的PROM為使用“肖特基二極管”的PROM，出廠時(shí)，其中的二極管處于反向截止?fàn)顟B(tài)，還 是用大電流的方法將反相電壓加在“肖特基二極管”，造成其永久性擊穿即可。
EPROM 指的是“可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器”，即Erasable Programmable Read-Only Memory。 它的特點(diǎn)是具有可擦除功能，擦除后即可進(jìn)行再編程，但是缺點(diǎn)是擦除需要使用紫外線照射一定的時(shí)間。這一類芯片特別容易識(shí)別，其封裝中包含有“石英玻璃窗 ”，一個(gè)編程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干膠紙蓋住， 以防止遭到 陽(yáng)光直射。
EEPROM 指的是“電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。它的最大優(yōu)點(diǎn)是可直接用電信號(hào)擦除，也可用電信號(hào)寫入。EEPROM不能取代RAM的原應(yīng)是其工藝復(fù)雜， 耗費(fèi)的門電路過(guò)多，且重編程時(shí)間比較長(zhǎng)，同時(shí)其有效重編程次數(shù)也比較低。
Flash memory 指的是“閃存”，所謂“閃存”，它也是一種非易失性的內(nèi)存，屬于EEPROM的改進(jìn)產(chǎn)品。它的最大特點(diǎn)是必須按塊(Block)擦除(每個(gè)區(qū)塊的大小不 定，不同廠家的產(chǎn)品有不同的規(guī)格)， 而EEPROM則可以一次只擦除一個(gè)字節(jié)(Byte)。目前“閃存”被廣泛用在PC機(jī)的主板上，用來(lái)保存BIOS程序，便于進(jìn)行程序的升級(jí)。其另外一大應(yīng) 用領(lǐng)域是用來(lái)作為硬盤的替代品，具有抗震、速度快、無(wú)噪聲、耗電低的優(yōu)點(diǎn)，但是將其用來(lái)取代RAM就顯得不合適，因?yàn)镽AM需要能夠按字節(jié)改寫，而 Flash ROM做不到。
Flash存儲(chǔ)器
百科名片
FLASH閃存 閃存的英文名稱是"Flash Memory"，一般簡(jiǎn)稱為"Flash"，它屬于內(nèi)存器件的一種。 不過(guò)閃存的物理特性與常見的內(nèi)存有根本性的差異： 目前各類 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都屬于揮發(fā)性內(nèi)存，只要停止電流供應(yīng)內(nèi)存中的數(shù)據(jù)便無(wú)法保持，因此每次電腦開機(jī)都需要把數(shù)據(jù)重新載入內(nèi)存；
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flash memory的簡(jiǎn)要介紹? flash memory的工作原理
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編輯本段flash memory的簡(jiǎn)要介紹?
閃存則是一種不揮發(fā)性（ Non-Volatile ）內(nèi)存，在沒有電流供應(yīng)的條件下也能夠長(zhǎng)久地保持?jǐn)?shù)據(jù)，其存儲(chǔ)特性相當(dāng)于硬盤，這項(xiàng)特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲(chǔ)介質(zhì)的基礎(chǔ)。 NAND 閃存的存儲(chǔ)單元?jiǎng)t采用串行結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)單元的讀寫是以頁(yè)和塊為單位來(lái)進(jìn)行（一頁(yè)包含若干字節(jié)，若干頁(yè)則組成儲(chǔ)存塊， NAND 的存儲(chǔ)塊大小為 8 到 32KB ），這種結(jié)構(gòu)最大的優(yōu)點(diǎn)在于容量可以做得很大，超過(guò) 512MB 容量的 NAND 產(chǎn)品相當(dāng)普遍， NAND 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。 NAND 閃存的缺點(diǎn)在于讀速度較慢，它的 I/O 端口只有 8 個(gè)，比 NOR 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個(gè) I/O 端口只能以信號(hào)輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 NOR 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 NAND 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)部不存在專門的存儲(chǔ)控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無(wú)法修，可靠性較 NOR 閃存要差。 NAND 閃存被廣泛用于移動(dòng)存儲(chǔ)、數(shù)碼相機(jī)、 MP3 播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強(qiáng)勁發(fā)展的帶動(dòng)， NAND 閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)的超高速增長(zhǎng). NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲(chǔ)器”經(jīng)常可以與相“NOR存儲(chǔ)器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對(duì)于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處,因?yàn)榇蠖鄶?shù)情況下閃存只是用來(lái)存儲(chǔ)少量的代碼,這時(shí)NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的理想解決方案。 NOR的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP, eXecute In Place),這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高,在1～4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。 NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度,并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。
性能比較
flash閃存是非易失存儲(chǔ)器,可以對(duì)稱為塊的存儲(chǔ)器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行,所以大多數(shù)情況下,在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡(jiǎn)單的,而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為0。 由于擦除NOR器件時(shí)是以64～128KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操作的時(shí)間為5s,與此相反,擦除NAND器件是以8～32KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。 執(zhí)行擦除時(shí)塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距,統(tǒng)計(jì)表明,對(duì)于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時(shí)),更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣,當(dāng)選擇存儲(chǔ)解決方案時(shí),設(shè)計(jì)師必須權(quán)衡以下的各項(xiàng)因素。 ● NOR的讀速度比NAND稍快一些。 ● NAND的寫入速度比NOR快很多。 ● NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。 ● 大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作。 ● NAND的擦除單元更小,相應(yīng)的擦除電路更少。
接口差別
NOR flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來(lái)尋址,可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)。 NAND器件使用復(fù)雜的I/O口來(lái)串行地存取數(shù)據(jù),各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來(lái)傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。 NAND讀和寫操作采用512字節(jié)的塊,這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤管理此類操作,很自然地,基于NAND的存儲(chǔ)器就可以取代硬盤或其他塊設(shè)備。
容量和成本
NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單,NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。 NOR flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場(chǎng)的大部分,而NAND flash只是用在8～128MB的產(chǎn)品當(dāng)中,這也說(shuō)明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中,NAND適合于數(shù)據(jù)存儲(chǔ),NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲(chǔ)卡市場(chǎng)上所占份額最大。
可靠性和耐用性
采用flahs介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題是可靠性。對(duì)于需要擴(kuò)展MTBF的系統(tǒng)來(lái)說(shuō),Flash是非常合適的存儲(chǔ)方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來(lái)比較NOR和NAND的可靠性。
壽命(耐用性)
在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬(wàn)次,而NOR的擦寫次數(shù)是十萬(wàn)次。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢(shì),典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍,每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
位交換
所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見,NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多),一個(gè)比特位會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報(bào)告反轉(zhuǎn)了。 一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上,這個(gè)小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是報(bào)告有問(wèn)題,多讀幾次就可能解決了。 當(dāng)然,如果這個(gè)位真的改變了,就必須采用錯(cuò)誤探測(cè)/錯(cuò)誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉(zhuǎn)的問(wèn)題更多見于NAND閃存,NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時(shí)候,同時(shí)使用EDC/ECC算法。 這個(gè)問(wèn)題對(duì)于用NAND存儲(chǔ)多媒體信息時(shí)倒不是致命的。當(dāng)然,如果用本地存儲(chǔ)設(shè)備來(lái)存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時(shí),必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確保可靠性。
壞塊處理
NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的。以前也曾有過(guò)消除壞塊的努力,但發(fā)現(xiàn)成品率太低,代價(jià)太高,根本不劃算。 NAND器件需要對(duì)介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中,如果通過(guò)可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理,將導(dǎo)致高故障率。
易于使用
可以非常直接地使用基于NOR的閃存,可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。 由于需要I/O接口,NAND要復(fù)雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。 在使用NAND器件時(shí),必須先寫入驅(qū)動(dòng)程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當(dāng)?shù)募记?因?yàn)樵O(shè)計(jì)師絕不能向壞塊寫入,這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射。
軟件支持?
當(dāng)討論軟件支持的時(shí)候,應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫/擦操作和高一級(jí)的用于磁盤仿真和閃存管理算法的軟件,包括性能優(yōu)化。 在NOR器件上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持,在NAND器件上進(jìn)行同樣操作時(shí),通常需要驅(qū)動(dòng)程序,也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序(MTD),NAND和NOR器件在進(jìn)行寫入和擦除操作時(shí)都需要MTD。 使用NOR器件時(shí)所需要的MTD要相對(duì)少一些,許多廠商都提供用于NOR器件的更高級(jí)軟件,這其中包括M-System的TrueFFS驅(qū)動(dòng),該驅(qū)動(dòng)被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所采用。
編輯本段flash memory的工作原理
［原理］
經(jīng)典物理學(xué)認(rèn)為，物體越過(guò)勢(shì)壘，有一閾值能量；粒子能量小于此能量則不能越過(guò)，大于此能量則可以越過(guò)。例如騎自行車過(guò)小坡，先用力騎，如果坡很低，不蹬自行車也能靠慣性過(guò)去。如果坡很高，不蹬自行車，車到一半就停住，然后退回去。 量子力學(xué)則認(rèn)為，即使粒子能量小于閾值能量，很多粒子沖向勢(shì)壘，一部分粒子反彈，還會(huì)有一些粒子能過(guò)去，好象有一個(gè)隧道，稱作“量子隧道（quantum tunneling）”。 可見，宏觀上的確定性在微觀上往往就具有不確定性。雖然在通常的情況下，隧道效應(yīng)并不影響經(jīng)典的宏觀效應(yīng)，因?yàn)樗泶⿴茁蕵O小，但在某些特丁的條件下宏觀的隧道效應(yīng)也會(huì)出現(xiàn)。
［發(fā)現(xiàn)者］
1957年，受雇于索尼公司的江崎玲於奈（Leo Esaki，1940～）在改良高頻晶體管2T7的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，當(dāng)增加PN結(jié)兩端的電壓時(shí)電流反而減少，江崎玲於奈將這種反常的負(fù)電阻現(xiàn)象解釋為隧道效應(yīng)。此后，江崎利用這一效應(yīng)制成了隧道二極管（也稱江崎二極管）。 1960年，美裔挪威籍科學(xué)家加埃沃（Ivan Giaever，1929～）通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明了在超導(dǎo)體隧道結(jié)中存在單電子隧道效應(yīng)。在此之前的1956年出現(xiàn)的“庫(kù)珀對(duì)”及BCS理論被公認(rèn)為是對(duì)超導(dǎo)現(xiàn)象的完美解釋，單電子隧道效應(yīng)無(wú)疑是對(duì)超導(dǎo)理論的一個(gè)重要補(bǔ)充。 1962年，年僅20歲的英國(guó)劍橋大學(xué)實(shí)驗(yàn)物理學(xué)研究生約瑟夫森（Brian David Josephson，1940～）預(yù)言，當(dāng)兩個(gè)超導(dǎo)體之間設(shè)置一個(gè)絕緣薄層構(gòu)成SIS（Superconductor-Insulator-Superconductor）時(shí)，電子可以穿過(guò)絕緣體從一個(gè)超導(dǎo)體到達(dá)另一個(gè)超導(dǎo)體。約瑟夫森的這一預(yù)言不久就為P.W.安德森和J.M.羅厄耳的實(shí)驗(yàn)觀測(cè)所證實(shí)——電子對(duì)通過(guò)兩塊超導(dǎo)金屬間的薄絕緣層（厚度約為10埃）時(shí)發(fā)生了隧道效應(yīng)，于是稱之為“約瑟夫森效應(yīng)”。 宏觀量子隧道效應(yīng)確立了微電子器件進(jìn)一步微型化的極限，當(dāng)微電子器件進(jìn)一步微型化時(shí)必須要考慮上述的量子效應(yīng)。例如，在制造半導(dǎo)體集成電路時(shí)，當(dāng)電路的尺寸接近電子波長(zhǎng)時(shí)，電子就通過(guò)隧道效應(yīng)而穿透絕緣層，使器件無(wú)法正常工作。因此，宏觀量子隧道效應(yīng)已成為微電子學(xué)、光電子學(xué)中的重要理論。
［應(yīng)用］?
閃存 閃存的存儲(chǔ)單元為三端器件，與場(chǎng)效應(yīng)管有相同的名稱：源極、漏極和柵極。柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層，用來(lái)保護(hù)浮置柵極中的電荷不會(huì)泄漏。采用這種結(jié)構(gòu)，使得存儲(chǔ)單元具有了電荷保持能力，就像是裝進(jìn)瓶子里的水，當(dāng)你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以閃存具有記憶能力。 與場(chǎng)效應(yīng)管一樣，閃存也是一種電壓控制型器件。NAND型閃存的擦和寫均是基于隧道效應(yīng)，電流穿過(guò)浮置柵極與硅基層之間的絕緣層，對(duì)浮置柵極進(jìn)行充電（寫數(shù)據(jù)）或放電（擦除數(shù)據(jù)）。而NOR型閃存擦除數(shù)據(jù)仍是基于隧道效應(yīng)（電流從浮置柵極到硅基層），但在寫入數(shù)據(jù)時(shí)則是采用熱電子注入方式（電流從浮置柵極到源極）。
場(chǎng)效應(yīng)管工作原理場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。 -------------------------------------------------------------------
我想既然msp430有256bit的Flash空間，而stm32本身是用Flash替代ROM的，那使stm32也是可以對(duì)Flash操作的，掉后也是可以保存數(shù)據(jù)的，不知道我想的對(duì)不對(duì)，請(qǐng)各位壇友解答？
在價(jià)格速度方面，F(xiàn)lash相對(duì)于epprom有著很大優(yōu)勢(shì)，但Flash操作起來(lái)確實(shí)沒有epprom容易，且壽命是個(gè)問(wèn)題，那么問(wèn)題來(lái)了，在工程項(xiàng)目中，是不是如果能不用epprom就不用epprom，能不用外置Flash就可以用內(nèi)置Flash？
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