有關晶振的一些術語

ID:79827 · 發表于 2015-6-12 10:56

1.振動模式
一般有彎曲、伸縮、面切變、厚度切變，對于1MHz以上的小型晶體主要是厚度切變，又分為AT切和BT切兩種。
2.基頻晶體元件
振子設計工作在給定振動模式的最低階次上的晶體元件。
3.泛音晶體元件
振子設計工作在比給定模式最低階次要高的階次上的晶體元件，一般有3次、5次和7次泛音。泛音后輸出頻率加倍。
4.負載諧振頻率偏置
△fL=fL-fr
5.諧振頻率fr
在規定的工作條件下，晶體元件電氣阻抗為電阻性的兩個頻率中較低的一個頻率。
6.反諧振頻率fa
在規定條件下，晶體元件電氣阻抗為電阻性的兩個頻率中較高的一個頻率。
7.負載諧振頻率fL
在規定條件下，晶體元件與一負載電容串聯或并聯，其組合阻抗為電阻性的兩個頻率中的一個頻率。
8.標稱頻率
晶體元件規范（或合同）指定的頻率。
9.工作頻率
晶體元件與其配合的電路實際工作的頻率。
10. 總頻差
由于指定或多種原因引起的工作頻率相對于標稱頻率的最大允許偏差。主要由調整頻差和溫度頻差構成。
11. 調整頻差
在規定條件下，基準溫度時工作頻率相對標稱頻率的允許偏離。
12. 溫度頻差
在整個工作溫度范圍內，相對于基準溫度時，工作頻率的允許偏離。
13.基準溫度
一般指±25℃±2℃，對溫控晶體元件是指控溫范圍的中點。
14. 諧振電阻
晶體元件在諧振頻率fr時的電阻值。
15.負載諧振電阻RL
晶體元件與一指定的外部電容相串聯，在負載諧振頻率fL時的電阻值。
16.激勵電平
是一種用耗散功率表示的施加于晶體元件的激勵狀態的度量。
17.負載電容CL
與晶體元件一起決定負載諧振頻率的外置有效外界電容。
18.動態電容C1
等效電路中動態（串聯）臂中的電容。
19.動態電感L
等效電路中動態臂里電感。

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