求助：PWM的占空比經過NMOS以后是反的

ID:1146155 · 發表于 2026-2-2 15:36

單片機IO輸出是占空比是32.5K 高80% 低20% 。AO3400端是低80 高20，mos管接的負載是按照低電平時間算的導通時間吧，還是高平的導通時間

ID:1161211 · 發表于 2026-2-2 23:15

NMOS是柵極高電平時導通，導通時漏極電壓為低，但加在負載上的電壓為高電平，負載上產生電流。

ID:1167201 · 發表于 2026-2-3 05:49

在標準的 N-MOS 開關電路中：
源極 (Source): 接地 (GND)。
漏極 (Drain): 連接負載，負載的另一端接電源(Vcc)。
閘極 (Gate): 輸入 PWM 訊號。
當 PWM 為高電位 (High) 時：N-MOS 導通（ON）。
此時 Drain 幾乎直接與 GND 接通，所以 Drain 的電位被拉低到接近 0V。
結果：輸入高，輸出低。
反之當 PWM 為低電位 (Low) 時：N-MOS 截止（OFF）。
此時 Drain 處於斷路狀態，電位經由負載被「上拉」到Vcc。
結果：輸入低，輸出高。
簡單來說N-MOS是反向閘你應該選P-MOSFET 開關電路

ID:624769 · 發表于 2026-2-4 20:19

Lange0905 發表于 2026-2-3 05:49
在標準的 N-MOS 開關電路中：
源極 (Source): 接地 (GND)。
漏極 (Drain): 連接負載，負載的另一端接電源 ...

在標準的 P-MOS 開關電路中：
源極 (Source): 接地 (VCC)。
漏極 (Drain): 連接負載，負載的另一端接電源(GND)。
閘極 (Gate): 輸入 PWM 訊號。
當 PWM 為低電位 (Low) 時：P-MOS 導通（ON）。
此時 Drain 幾乎直接與 VCC 接通，所以 Drain 的電位被拉高到無限接近 VCC。
結果：輸入低，輸出高。
反之當 PWM 為高電位 (High) 時：P-MOS 截止（OFF）。
此時 Drain 處於斷路狀態，電位經由負載被「下拉」到GND。
結果：輸入高，輸出低。

請問，P-MOS 就不是反向閘了？

ID:1161211 · 發表于 2026-2-4 21:25

188610329 發表于 2026-2-4 20:19
在標準的 P-MOS 開關電路中：
源極 (Source): 接地 (VCC)。
漏極 (Drain): 連接負載，負載的另一端接電 ...

MOS管這里相當于一個開關，當柵極G高電平時，MOS管導通電阻為0，負載此時接入電源，也就是說柵極高電平時，負載通電工作。

ID:491875 · 發表于 2026-2-5 10:52

使用NMOS管（或者NPN三極管）還可以做電平變換！所以，在大多數單片機之類的輸出電路中使用NMOS管而比較少見的使用PMOS管的原因。如果要保持與原信號同相，可以再增加一級NMOS管進行反向

ID:1155837 · 發表于 2026-2-13 00:48

你這個是低端nmos，控制負載是否連接到地，低電平的時間就是導通的時間，沒有反

ID:883242 · 發表于 2026-2-25 16:05

未必反了，S接地，負載接在電源和D之間，那么G高電平D低電平負載導通，占空比沒變。你需要說的更詳細一些。

ID:1004920 · 發表于 2026-2-26 08:48

的確是反的，解決的辦法是中間加個三極管或者用柵極驅動芯片，芯片一般都有互補輸出的。

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