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三極管和pmos損壞

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樓主
想問一下用三極管和pmos組合控制5v通斷,如果頻繁開關三極管和pmos管會容易損壞嗎

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沙發
ID:69038 發表于 2025-6-18 19:53 | 只看該作者
R56小了
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板凳
ID:879809 發表于 2025-6-18 20:00 | 只看該作者
那么CPU內部MOS管每秒鐘通斷40億次,每年通斷多少次提問者會算嗎?
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地板
ID:466250 發表于 2025-6-18 20:45 | 只看該作者
容性負載有一定風險。
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5#
ID:88256 發表于 2025-6-18 20:54 | 只看該作者

我對mos管不了解,只知道是電壓驅動型的,好像很多電路連R56都不用,有用的也在100~200Ω之間,所以,能說一下R56該如何取值嗎?
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6#
ID:879809 發表于 2025-6-18 21:17 | 只看該作者

MOSFET G極靜態電阻無窮大,R56多大是完全無所謂的,零都可以。如果從微功耗角度考慮,你還是關心一下R55的阻值吧。
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7#
ID:1154525 發表于 2025-6-18 21:22 | 只看該作者
重點在于降低開關損耗減小R56確保驅動足夠調整R58
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8#
ID:1110477 發表于 2025-6-19 04:16 | 只看該作者
Q8是MOS管的體二極管?
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9#
ID:1133081 發表于 2025-6-19 06:38 | 只看該作者
樓主杞人憂天,此電路如果是單片機IO控制且VCC為5V,Q9也是多余的。
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10#
ID:654797 發表于 2025-6-19 06:47 | 只看該作者
不滿功率工作,一般不會壞,
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11#
ID:1154563 發表于 2025-6-19 08:31 | 只看該作者
一般不會壞的
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12#
ID:469589 發表于 2025-6-19 09:24 | 只看該作者
如果是連續的ms級甚至更快的連續開關,
則R55\R56都大了,特別是有點大的負載時,這會導致開關的前沿和后延不夠陡,最終MOS管發熱損壞,
我有過這樣的例子,是R55=10K引起的,改到4.7K以下就好很多,太小了三極管負擔重。
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13#
ID:1121801 發表于 2025-6-19 13:49 | 只看該作者
看你說的頻繁開關到底有多頻繁,開關頻率是多少,選用的PMOS要與開關頻率匹配.一般開關頻率不高的不容易壞的,這種驅動電路最好是用一個NMOS搭配一個PMOS控制,也就是把Q9換成NMOS,功耗降低了還更耐用
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14#
ID:584814 發表于 2025-6-19 14:23 | 只看該作者
開關電源中MOS管每秒開關從幾十次到幾十萬次都有,不知道你對頻繁的定義是啥
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