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傳統的低壓大電流的一代硅MOS相比有哪些優缺點和異同點？

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ID:668004 發表于 2025-1-11 11:36 | 只看該作者 |只看大圖回帖獎勵

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1.封裝小，內阻低，結溫高，熱阻小，結電容小、Id大，vth小的，這種傳統的低壓大電流的一代半導體硅MOS和三代半導體氮化鎵GAN相比有哪些優缺點和異同點？(比如耐壓60V以上，封裝小，內阻低，熱阻低、結電容小、結溫高，Id大，vth小的)

2.像這種低壓、大電流、小體積、小內阻的MOS有哪些國產廠商在做？幫忙推薦幾個做得好的廠家

3.COOLMOS、氮化鎵GAN、碳化硅SiC、砷化鎵GaAS又和上面方框哪些有什么區別？

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COOLMOS、氮化鎵GAN、碳化硅SiC、砷化鎵GaAS又和上面方框哪些有什么區別？.png (718.79 KB, 下載次數: 0)

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封裝小，內阻低，結溫高，熱阻小，Id大，vth小的，這種傳統的低壓大電流的一代硅MOS相.png (328.14 KB, 下載次數: 0)

封裝小，內阻低，結溫高，熱阻小，Id大，vth小的，這種傳統的低壓大電流的一代硅MOS相.png

耐壓60V以上，封裝小，內阻低，熱阻低、結電容小、結溫高，Id大，vth小的.png (104.58 KB, 下載次數: 0)

耐壓60V以上，封裝小，內阻低，熱阻低、結電容小、結溫高，Id大，vth小的.png

像這種低壓、大電流、小體積、小內阻的MOS有哪些國產廠商在做？幫忙推薦幾個做得好的廠家.png (148.24 KB, 下載次數: 0)

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