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1、充電電壓一定要高于電池電壓，因?yàn)橐紤]線路的壓降，充電線溫度效應(yīng)（熱量是一個(gè)積累的過(guò)程）致使電阻增大，發(fā)熱量要大；充電器的轉(zhuǎn)換效率（充電器發(fā)熱，效率降低），芯片的效率等等。上述因素都會(huì)對(duì)充電過(guò)程產(chǎn)生不利影響。看似一個(gè)簡(jiǎn)單充電過(guò)程實(shí)際要考慮的因素很多。整個(gè)效率為諸多效率的乘積，效率是小于1的數(shù)字，多個(gè)小于1的數(shù)相乘一定小于一個(gè)小于1的數(shù)。
2、使用線性電源充電效率一定小于開(kāi)關(guān)電源充電效率，降壓或升降壓電路是開(kāi)關(guān)電源充電。
3、鋰電充電必須使用BMS（電源管理系統(tǒng)），說(shuō)道BMS想起一事，我們生產(chǎn)的手機(jī)大多數(shù)使用%生產(chǎn)的芯片，前幾年，%將1.4元升為14元（整整10倍），因?yàn)?十分了解手機(jī)的生產(chǎn)過(guò)程，更換芯片的成本是上千倍的花費(fèi)，現(xiàn)在手機(jī)自動(dòng)化生產(chǎn)的時(shí)間不到一分鐘，而完成自動(dòng)化生產(chǎn)的時(shí)間可能只少幾天，幾天是多少個(gè)一分鐘，另外，這個(gè)成本轉(zhuǎn)化到消費(fèi)者身上。
4、GaN SiC芯片發(fā)熱量比Si低很多，解決手機(jī)散熱問(wèn)題是一個(gè)頭疼問(wèn)題。例外GaN SiC芯片耐壓高。
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