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請問大家三極管和MOS管哪個開關速度更快呢

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ID:1063563 發表于 2023-10-19 03:03 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
請問大家,三極管和MOS管哪個開關速度更快呢
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ID:517951 發表于 2023-10-19 07:22 | 顯示全部樓層
這么說吧, 三極管里面有低頻管(9013)高頻管(9018)之分, mos管里面也有高頻, 低頻之分.
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ID:332444 發表于 2023-10-19 07:27 | 顯示全部樓層
看參數,都有頻率參數,只要選合適參數即可.
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ID:857072 發表于 2023-10-19 07:31 來自觸屏版 | 顯示全部樓層
三極管和MOS管的開關速度受多種因素影響,但通常情況下,MOS管(MOSFET)的開關速度更快。這是因為MOS管具有較低的輸入電阻和容性,因此可以更快地響應控制信號,實現快速的開關操作。然而,具體的性能取決于器件的型號和設計,所以在具體應用中需要考慮各種因素。
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ID:460466 發表于 2023-10-19 07:42 | 顯示全部樓層
一時還真不知道!
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ID:460466 發表于 2023-10-19 07:48 | 顯示全部樓層
亂套了!!
裁剪_8.jpg
裁剪_9.jpg
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ID:628113 發表于 2023-10-19 09:04 | 顯示全部樓層
這個沒有必然聯系。 三極管,mos各有高低速型號,需要查手冊。 同樣極間電容的話,三極管理論上因為阻抗小,要略快一點,實際上這點差距遠遠沒有制造工藝的影響大。
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ID:1007932 發表于 2023-10-19 09:42 | 顯示全部樓層
試過小功率三極管,發現做開關時沒有放大時快,bjt進入飽和區后退出來很慢,MOS的GS極等效為電容,電荷可以用驅動的負壓強行抽出來,另外就是三極管有個增益帶寬積,方波含有大量的頻率分量,會顯得ft很虛,MOS沒標增益帶寬積,但見過普通功率MOS用在短波功放上的,還有現在的升降壓芯片用的都是MOS,動不動就是上MHz的開關頻率,但我認為這樣比較沒啥意義,碳化硅,氮化鎵也是MOS,三極管也有射頻管,只能說哪個更適合
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ID:1083996 發表于 2023-10-19 10:59 | 顯示全部樓層
三極管、場效應管、電子管,都有微波管,這個頻率夠高不;
總體上,電子管是淘汰的,三極管現在很少有人費大精力去搞了,現在小功率的就是場效應管,大功率的就是IGBT
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ID:61140 發表于 2023-10-22 23:06 | 顯示全部樓層
MOS管通常工作于幾十KHZ,連MHZ的MOS管子都很難找到,三極管很多可以工作到GHZ,這個好理解吧。
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ID:420836 發表于 2023-10-23 08:09 | 顯示全部樓層
雙極結型晶體管BJT 可以比 MOSFET 更快。
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ID:382454 發表于 2023-10-23 10:36 | 顯示全部樓層
不好說,兩種管都是有高低頻應用的。
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ID:883242 發表于 2023-10-23 14:37 | 顯示全部樓層
xiaoyuxinke 發表于 2023-10-22 23:06
MOS管通常工作于幾十KHZ,連MHZ的MOS管子都很難找到,三極管很多可以工作到GHZ,這個好理解吧。

你說反了,BJT上百MHz特征頻率的,用于開關,頻率也就幾十kHz的水平,你沒搞過不要亂說,8樓已經說清楚了。MOSFET沒有頻率特性,只有柵極電容,只要你能克服這個電容,想要多高的頻率就能做到多高的頻率。
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ID:1034262 發表于 2023-10-23 14:39 | 顯示全部樓層
這個看實際應用,我一個三極管9018可以工作到800MHz,我還沒用過MOSFET能這么高速的。
MOSFET很合適做開關管,但是速度快則驅動電流很大,幾百mA都常見,比如某個MOSFET的Total Charge為50nC,我要求柵極電壓0.1us充到10V(常用速度0.04~1us),則G極充放電電流為500mA。
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ID:1097455 發表于 2023-10-27 10:46 | 顯示全部樓層
你是需要多高的頻率呀,兩種管子常用的都可以達到M級別的
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ID:598611 發表于 2023-10-27 10:53 | 顯示全部樓層
三極管的工作頻率高.MOS管只是一下開關器件工件在大電流電路中
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