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單片機變量存儲有次數嗎?

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ID:493146 發表于 2023-7-26 10:30 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
大佬們好!小白請教個問題,串口在進行通訊時會開辟一個數據緩存區,假如我的需求時1S中更新1次數據緩存區,過一段時間后達到存儲器的最大存儲次數后單片機是不是就不能用了?程序中實時更新的變量是不是也一樣呢?望不吝賜教!謝謝!



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ID:744809 發表于 2023-7-26 13:58 | 顯示全部樓層
串口通訊一般是在ram中開辟一個數組,這個數組是隨便寫的,ram讀寫次數接近無限次,因此不會損壞。如果你想掉電數據保存,就要把數據存在eeprom中,這個有次數限制,一般是幾千至幾十萬次,不同型號不一樣。建議不要頻繁寫數據到eeprom中,每次寫都要擦除,比較費時間。當然可以做均衡算法,這需要較高的編程水平
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ID:1085441 發表于 2023-7-26 17:09 | 顯示全部樓層
開緩沖區應該是臨時用的,應該用RAM,沒有存儲次數限制,要注意的是緩沖區可能是循環覆蓋的,注意及時讀取。
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ID:1089716 發表于 2023-7-26 17:14 來自觸屏版 | 顯示全部樓層
存儲次數非常非常非常多,接近無限了所以說基本上你這輩子存不完了
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ID:1089716 發表于 2023-7-26 17:14 來自觸屏版 | 顯示全部樓層
也就是說這個存儲次數基本上不用在意
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ID:472269 發表于 2023-7-26 19:38 | 顯示全部樓層
變量一般是放在RAM中,RAM是沒有存儲次數限制的,若放在EEPROM或FLASH MEMORY中,是有次數限制,一般處理方法是定期更換存放地址。
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ID:57657 發表于 2023-7-26 20:12 | 顯示全部樓層
RAM 無限次讀寫,掉電數據清零。
ROM、EEPROM 可以無限次讀取,寫次數有限,頻繁擦寫會導致溝道損壞,掉電數據不丟失。
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ID:1034262 發表于 2023-7-26 21:21 | 顯示全部樓層
內存讀寫是無限次的。
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ID:320306 發表于 2023-7-27 10:57 | 顯示全部樓層
肯定可以用的,要么數據覆蓋,要么就沒有賦值成功而已!
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ID:493146 發表于 2023-7-27 16:46 | 顯示全部樓層
謝謝各位的指點!
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ID:517951 發表于 2023-7-28 16:55 | 顯示全部樓層
RAM是不同于E2PROM, Flash,是沒有寫入次數限制的.可以理解為利用三極管的高低電平來儲存數據.
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