MOS管的參數選擇以及導通速度的計算

ID:668004 · 發表于 2023-6-3 09:54

根據MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的導通速度，這個方法對不對？

有沒有相近的NMOS推薦！VDS≥60V，ID≥15A，導通內阻≤20mΩ，VGS≤10V，導通速度≤20ns，也就是≥50M，封裝TO252，需要數量10pcs，研發驗證階段。預計用量10K/月。

選擇更高要求的MOS是為了滿足信號傳輸的要求的同時提高效率，降低溫升

ID:277239 · 發表于 2024-7-30 08:39

頂一個。說得很有道理

ID:466250 · 發表于 2024-7-29 21:14

不管是mos還是三極管想要1M以上的頻率需要技巧，否則發熱嚴重，不僅僅是驅動那么簡單。

ID:1059013 · 發表于 2024-7-29 10:01

不全對，必須再加上柵極電容才對

ID:382454 · 發表于 2023-6-13 09:28

導通時柵極電容充電，這與你的驅動極設計有很大關系。

ID:883242 · 發表于 2023-6-9 11:37

hhh402 發表于 2023-6-9 10:59
除了電容，還有電阻......還有電壓的限制，所云德適怯猩舷薜摹３絲悸強掛悸槍兀繆乖醬罌馱� ...

大于100W這有啥難得？我還見過1MHz MOSFET X光機10kW電源呢，只是連續工作時間不超過10s。十多個MOSFET并聯。

ID:491577 · 發表于 2023-6-9 10:59

Hephaestus 發表于 2023-6-7 23:10
MOSFET標這些參數很少見啊！一般只標柵極電容和電荷，只要你有能力克服柵極電容，那么MOSFET想做到多高的頻 ...

除了電容，還有電阻......還有電壓的限制，所以頻率是有上限的。除了考慮開，還要考慮關，電壓越大開就越快，但關就越慢，樓主說：“根據MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的導通速度”，嚴格來說也對，但是開關的時間屬于無用時間，開和關之間維持的時間才是有用時間。小功率情況下無用時間需要小于10%，大功率情況下無用時間需要小于2%，就按樓主選的MOS關來說：MOS開關20ns，驅動芯片開關延時需要50ns，驅動的方波開關延時20ns，一共是90ns（這個是極限時間，很難做到），用實例來參考一下：大于100W的開關電源MOS開關頻率大部分在100K左右。樓主需要的功率是大于100W的，1.7M頻率是正常頻率的17倍，難度是非常大的。

ID:883242 · 發表于 2023-6-7 23:10

MOSFET標這些參數很少見啊！一般只標柵極電容和電荷，只要你有能力克服柵極電容，那么MOSFET想做到多高的頻率就能做到多高，沒有上限。BJT就不行了，有存儲效應，從飽和狀態恢復回來非常慢，幾乎不能用于高速開關的場合。

ID:491577 · 發表于 2023-6-7 21:55

這么大功率，想要1.7M開關頻率很難？MOS管標注的是極限時間，實際是達不到這個速度的，普通MOS驅動芯片是500K，大部分MOS（電流>5A）實際開關頻率<200k，1.7M建議用三極管。

ID:123289 · 發表于 2023-6-5 13:51

對，不全對，還與驅動方式有關。

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MOS管的參數選擇以及導通速度的計算