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7N65-ASEMI高壓MOS管7N65
型號：7N65
品牌：ASEMI
封裝：TO-22AB
最大漏源電流：7A
漏源擊穿電壓：650V
RDS（ON）Max：1.35Ω
引腳數量：3
芯片個數：
溝道類型：N溝道MOS管
漏電流：ua
特性：N溝道MOS管、場效應管
工作溫度：-55℃~150℃
備受歡迎的7N65 MOS管
ASEMI品牌7N65是采用工藝芯片，該芯片具有良好的穩定性及抗沖擊能力，能夠持續保證了7N65的最大漏源電流7A，漏源擊穿電壓650V.
•細節體現差距
7N65,ASEMI品牌，工藝芯片，工藝制造，該產品穩定性高，抗沖擊能力強。
7N65具體參數為：最大漏源電流：7A，漏源擊穿電壓：650V，反向恢復時間： ns，封裝：TO-220AB
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