編輯:ll MBR10100DC-ASEMI低壓降貼片肖特基 型號(hào):MBR10100DC 品牌:ASEMI 封裝:TO-263 正向電流:10A 反向耐壓:100V 浪涌電流:150A 引腳數(shù)量:3 芯片個(gè)數(shù):2 芯片尺寸:86MIL 漏電流:10uA 芯片材質(zhì): 封裝尺寸:如圖 特性:低壓降肖特基二極管 工作溫度:-55℃~+150℃ 肖特基二極管概念 肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢壘二極管,它是一種熱載流子二極管。
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