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編輯：LL GBL806-ASEMI品牌氮化鎵快充整流橋
ASEMI品牌氮化鎵快充整流橋 GBL806/ GBL-4 插件封裝 型號：GBL806 品牌：ASEMI 封裝：GBL-4 正向電流：8A 反向電壓：600V 芯片個數：4 芯片材質：GPP 工作溫度：-50℃~150℃ 封裝形式：插件 GBL806-ASEMI品牌氮化鎵快充整流橋采用氮化鎵材料，相比傳統充電器，散熱快。氮化鎵與前兩代的半導體相比，禁帶寬度大、導熱系數更高。而且可在200以上的高溫下工作，能承載更高的能量密度，可靠性高。散熱快。氮化鎵與前兩代的半導體相比，禁帶寬度大、導熱系數更高。
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