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金屬面晶體YSO110TR 升級款貼片有源晶振,性能更優 超小型SMD金屬封裝、可達工業級溫度 1612/2016/2520/3225/5032/7050六種封裝尺寸 符合RoHSren證、無鉛環保
金屬面晶體YSO110TR特點：
頻率范圍：1~54MHz 頻差(25℃)：±10PPM，±20PPM，or specify 老化(zui大)：±3PPM/年 溫度范圍：-40~+85℃ 電壓：1.8~3.3V 輸出方式：CMOS 體積：1612,2016,2520,3225,5032,7050 取代型號：YSO211SR、YSO221SR、YSO321SR、YSO531SR、YSO751SR 應用：WLAN、藍牙、DSC、DSL等IT產品
金屬面晶體YSO110TR電氣規格：
輸出頻率范圍：1~54MHz或指定 輸出類型：互補金屬氧化物半導體 供電電壓：1.8V ~ 3.3V 振蕩模式：基本 頻率公差(25℃)：±10ppm、±20ppm，或另行規定 輸出負載：15pf,或指定 工作溫度范圍：-40~+85℃、-40~+125℃，或指定 頻率對溫度特性：±20ppm、±30ppm、±50ppm或指定 存儲溫度范圍：-55 ~ + 125℃ 電壓Vol(zui大)/Vol(zui小)：90%Vddzui小/10%Vddzui大 對稱：45 ~ 55% 上升(Tr)/下降(Tf)時間：4nsmax。 啟動時間：3 msmax。 頻率老化(at25℃)：±3ppm/yearMax
金屬面晶體YSO110TR包裝尺寸：
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2020-10-10 02:14 上傳
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