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電阻和MOS串聯(lián)再和另一個電阻并聯(lián)問題

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ID:668004 發(fā)表于 2020-5-15 10:24 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
電阻和MOS串聯(lián)再和另一個電阻并聯(lián)問題
電阻和MOS串聯(lián)再和另一個電阻并聯(lián)問題jpg.jpg
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ID:475957 發(fā)表于 2020-5-15 12:05 | 顯示全部樓層
電源電壓太低了,更低的電源電壓,并聯(lián)后的電阻還會更大。你將電源電壓調(diào)節(jié)到2.5V以上,R3也不應(yīng)該接地,應(yīng)該串到Q1  G腳到S1的路上,為了Q1可靠關(guān)閉,還應(yīng)該增加一個電阻從電源到Q1 G腳。

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ID:213173 發(fā)表于 2020-5-15 14:00 | 顯示全部樓層
R2改接到Q1的D端,Q1飽和導通內(nèi)阻可以忽略不計,但V1電壓太低,達不到MOS管導通的閾值電壓,Q1處于截止狀態(tài)。
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ID:668004 發(fā)表于 2020-5-15 17:16 | 顯示全部樓層
dianzi1987 發(fā)表于 2020-5-15 12:05
電源電壓太低了,更低的電源電壓,并聯(lián)后的電阻還會更大。你將電源電壓調(diào)節(jié)到2.5V以上,R3也不應(yīng)該接地,應(yīng) ...

我寫錯了  上拉那個電阻連接到的是IO口3V
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ID:668004 發(fā)表于 2020-5-15 17:17 | 顯示全部樓層
dianzi1987 發(fā)表于 2020-5-15 12:05
電源電壓太低了,更低的電源電壓,并聯(lián)后的電阻還會更大。你將電源電壓調(diào)節(jié)到2.5V以上,R3也不應(yīng)該接地,應(yīng) ...

R3哪里接地了?
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ID:668004 發(fā)表于 2020-5-15 18:00 | 顯示全部樓層
dianzi1987 發(fā)表于 2020-5-15 12:05
電源電壓太低了,更低的電源電壓,并聯(lián)后的電阻還會更大。你將電源電壓調(diào)節(jié)到2.5V以上,R3也不應(yīng)該接地,應(yīng) ...

這是PMOS  低導通啊  和0.4V沒關(guān)系的啊  差點忘了
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ID:160500 發(fā)表于 2020-5-15 18:56 | 顯示全部樓層
沒有達到PMOS管的開啟電壓
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ID:420836 發(fā)表于 2020-5-16 08:13 | 顯示全部樓層
如果想將MOSFET用作開關(guān), 應(yīng)使工作在飽和區(qū)域,以便在導通時看起來像一根導線。 但是,電壓源太低,MOSFET的漏源電壓不夠大,無法使MOSFET在其飽和區(qū)域工作。 在你這種情況下,MOSFET溝道的電阻非常高,因此不能將其視為導線,而應(yīng)視為電阻。
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ID:668004 發(fā)表于 2020-5-18 18:16 | 顯示全部樓層
wulin 發(fā)表于 2020-5-15 14:00
R2改接到Q1的D端,Q1飽和導通內(nèi)阻可以忽略不計,但V1電壓太低,達不到MOS管導通的閾值電壓,Q1處于截止狀態(tài) ...

用N管呢  
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ID:668004 發(fā)表于 2020-5-18 18:17 | 顯示全部樓層
TTQ001 發(fā)表于 2020-5-16 08:13
如果想將MOSFET用作開關(guān), 應(yīng)使工作在飽和區(qū)域,以便在導通時看起來像一根導線。 但是,電壓源太低,MOSFET ...

漏源?應(yīng)該是VGS的電壓吧
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ID:668004 發(fā)表于 2020-5-19 15:07 | 顯示全部樓層
wulin 發(fā)表于 2020-5-15 14:00
R2改接到Q1的D端,Q1飽和導通內(nèi)阻可以忽略不計,但V1電壓太低,達不到MOS管導通的閾值電壓,Q1處于截止狀態(tài) ...

VGS電壓太低是嗎?低壓的MOS也是有的-0.2V可以導通的也是有的 只是很貴  不過改成N管有新的問題。如果是這樣  導通電壓不需要考慮  不過增加了新的問題   G點電壓可能會影響到S端 從而影響到運放的輸出(G點電壓會不會影響到S點電壓?)。S極接在運放輸出端。反饋電阻是跨接在運放的反相端和輸出端
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12#
無效樓層,該帖已經(jīng)被刪除
ID:668004 發(fā)表于 2020-5-19 15:08 | 顯示全部樓層
TTQ001 發(fā)表于 2020-5-16 08:13
如果想將MOSFET用作開關(guān), 應(yīng)使工作在飽和區(qū)域,以便在導通時看起來像一根導線。 但是,電壓源太低,MOSFET ...

VDS要越小越好!
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ID:668004 發(fā)表于 2020-5-19 15:09 | 顯示全部樓層
VGS電壓太低是嗎?低壓的MOS也是有的-0.2V可以導通的也是有的 只是很貴  不過改成N管有新的問題。如果是這樣  導通電壓不需要考慮  不過增加了新的問題   G點電壓可能會影響到S端 從而影響到運放的輸出(G點電壓會不會影響到S點電壓?)。S極接在運放輸出端。反饋電阻是跨接在運放的反相端和輸出端
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ID:668004 發(fā)表于 2020-5-19 15:10 | 顯示全部樓層
wulin 發(fā)表于 2020-5-15 14:00
R2改接到Q1的D端,Q1飽和導通內(nèi)阻可以忽略不計,但V1電壓太低,達不到MOS管導通的閾值電壓,Q1處于截止狀態(tài) ...

VGS電壓太低是嗎?低壓的MOS也是有的-0.2V可以導通的也是有的 只是很貴  不過改成N管有新的問題。如果是這樣  導通電壓不需要考慮  不過增加了新的問題   G點電壓可能會影響到S端 從而影響到運放的輸出(G點電壓會不會影響到S點電壓?)。S極接在運放輸出端。反饋電阻是跨接在運放的反相端和輸出端
郵洽圖片20200519134811.jpg
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ID:213173 發(fā)表于 2020-5-19 17:01 | 顯示全部樓層
QWE4562012 發(fā)表于 2020-5-19 15:10
VGS電壓太低是嗎?低壓的MOS也是有的-0.2V可以導通的也是有的 只是很貴  不過改成N管有新的問題。如果是 ...

沒見過-0.2V閾值電壓的PMOS管?赡茉诔笠(guī)模IC里有,分立件MOS管最低也在1V左右。
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ID:668004 發(fā)表于 2020-5-20 12:05 | 顯示全部樓層
wulin 發(fā)表于 2020-5-19 17:01
沒見過-0.2V閾值電壓的PMOS管?赡茉诔笠(guī)模IC里有,分立件MOS管最低也在1V左右。

有-0.2V的  不過比較貴  AO牌子的
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ID:160500 發(fā)表于 2020-5-29 13:12 | 顯示全部樓層
看你這個圖就知道你沒有明白Vgs的意思,它是指源柵之間的電壓
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