- 小車驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與PCB圖繪制
1.1小車驅(qū)動(dòng)電路的功能需求分析 本次設(shè)計(jì)主要用于驅(qū)動(dòng)小車的前進(jìn),后退功能。驅(qū)動(dòng)電路主要包括直流電源模塊、封鎖信號(hào)處理模塊、PWM信號(hào)處理模塊、死區(qū)生成時(shí)間模塊、MOSFET驅(qū)動(dòng)模塊、H橋主電路模塊六個(gè)模塊組成。直流電源模塊是指從J1接入電源產(chǎn)生分別為7.2V,5V,12V的電源。封鎖信號(hào)處理模塊是指輸入MCU SD信號(hào),經(jīng)過(guò)兩個(gè)與非門輸出幅值為5V的同相位SD信號(hào)。PWM信號(hào)處理模塊是指MCU PWM信號(hào)經(jīng)過(guò)兩個(gè)與非門分別產(chǎn)生幅值為5V相位互補(bǔ)的MCU PWM1與MCU PWM2信號(hào)。死區(qū)生成時(shí)間模塊是指由RC組成的充放電電路與PWM信號(hào)連接與門,產(chǎn)生與原信號(hào)延遲輸入的的相位關(guān)系。MOSFET驅(qū)動(dòng)模塊主要由PWM1A與PWM2A為IR2110輸入信號(hào),驅(qū)動(dòng)MOSFET導(dǎo)通或截至。H橋主電路模塊主要由四個(gè)MOSFET組成,在PWM1A為高電平時(shí)Q1與Q4導(dǎo)通,PWM2A為高電平時(shí)Q2與Q3導(dǎo)通。 1.2電路原理圖設(shè)計(jì) 1.2電路原理圖總設(shè)計(jì)圖
1.2.1直流電源模塊
直流電源模塊是指從J1接入直流電源經(jīng)過(guò)電容C1與DC2濾波,輸出7.2V電源,經(jīng)過(guò)電阻R7和發(fā)光LED接地,顯示通電是否正常。7.2V電源經(jīng)濾波電容DC3接入LM2940S-5.0芯片產(chǎn)生5V電源,5V電源經(jīng)過(guò)C2,DC5,DC6電容濾波給IR2110驅(qū)動(dòng)芯片與CD74HCT00邏輯芯片供電,5V經(jīng)過(guò)C4電容濾波接入BO512S_1WR2芯片產(chǎn)生12V電壓,12V電源經(jīng)過(guò)C5,C7濾波為自舉電容充電及為IR2110提供VCC電壓。由圖中資料顯示可以看出,在LM2940芯片中輸入端部份濾波電容為0.47uF,輸出端最小為22uF,在這里我們選用100uF。在B_D-1WR2芯片中,輸入端部份濾波電容為4.7uF。 1.2.2信號(hào)封鎖信號(hào)處理模塊 信號(hào)封鎖信號(hào)處理模塊主要包括從單片機(jī)輸出的MCU SD封鎖信號(hào),輸入到CD74HCT00邏輯芯片,經(jīng)過(guò)兩個(gè)與非門,產(chǎn)生與輸入信號(hào)形狀相同但幅值為5V的DRIVE SD信號(hào)。不直接輸入到IR2110而是先經(jīng)過(guò)與非門的原因是從單片機(jī)輸出的PWM信號(hào)幅值為3.3V,不足以驅(qū)動(dòng)IR2110,通過(guò)與非門提高其幅值。在電機(jī)電流過(guò)大或電機(jī)非正常運(yùn)行時(shí),由單片機(jī)發(fā)出封鎖處理信號(hào),通過(guò)IR2110芯片關(guān)閉PWM信號(hào)輸出,制停電機(jī),避免損壞電機(jī)及電路。 1.2.3輸入PWM信號(hào)處理模塊 輸入PWM信號(hào)處理模塊主要包括從單片機(jī)輸出的MCU PWM信號(hào)輸入到CD74HCT00邏輯芯片中,經(jīng)過(guò)一個(gè)與非門產(chǎn)生與輸入相位相反幅值為5V的MCU PWM2信號(hào),再經(jīng)過(guò)一個(gè)與非門產(chǎn)生一個(gè)與輸入信號(hào)相位相同的幅值為5V的MCU PWM1信號(hào)。通過(guò)與非門產(chǎn)生PWM信號(hào)的原因之一產(chǎn)生相位互補(bǔ)的兩路PWM信號(hào),原因之二與封鎖信號(hào)處理模塊類似,由于從單片機(jī)輸出的PWM信號(hào)幅值僅為3.3V,不足以驅(qū)動(dòng)IR2110芯片,通過(guò)與非門提高其幅值。 1.2.3死區(qū)生成時(shí)間模塊 死區(qū)生成時(shí)間模塊主要包括由CD74HCT08芯片構(gòu)成,由RC組成的充放電電路與PWM信號(hào)連接與門,產(chǎn)生與原信號(hào)延遲輸入的的相位關(guān)系,延遲時(shí)間即為死區(qū)時(shí)間,防止上下橋臂同時(shí)導(dǎo)通,導(dǎo)致電源短路。 死區(qū)時(shí)間計(jì)算如下: (1) (2) 已知死區(qū)時(shí)間t為500-900ns,  ,查手冊(cè)知  ,τ為978-1761.8,查手冊(cè)可知CD74HCT08輸入電流最大為4mA,計(jì)算可得R最小為1.25KΩ,取R為2KΩ,由  計(jì)算可得,C取1nF最為合適。此時(shí)死區(qū)時(shí)間大概為1000ns左右。 1.2.4 MOSFET驅(qū)動(dòng)模塊 MOSFET驅(qū)動(dòng)模塊主要利用邏輯芯片CD74HCT08產(chǎn)生的兩路相位互補(bǔ)的PWM信號(hào)輸入到HIN引腳與LIN引腳作為IR2110的輸入信號(hào);CD74HCT00產(chǎn)生的封鎖信號(hào)DRIVE SD控制芯片IR2110的工作狀態(tài)。正常工作狀態(tài)時(shí),HO與LO輸出相應(yīng)PWM信號(hào)驅(qū)動(dòng)MOSFET開(kāi)關(guān)。封鎖狀態(tài)時(shí),HO與LO無(wú)輸出。 IR2110主要引腳功能如下 Vb,Vs:提供高壓端供電 HO:高壓端驅(qū)動(dòng)輸出 LO:低壓端驅(qū)動(dòng)輸出 VCC,COM:提供低壓端供電 HIN:邏輯高端輸出 LIN:邏輯低端輸出 IR2110工作原理如下: 當(dāng)HIN為高電平時(shí),V1管開(kāi)通,V2管關(guān)斷,VC3加到Q1的柵極和源極之間,C3通過(guò)V1,R3和柵極和源極形成回路放電,這時(shí)C3就相當(dāng)于一個(gè)電壓源,從而使Q1導(dǎo)通。由于LIN與HIN是一對(duì)互補(bǔ)輸入信號(hào),所以此時(shí)LIN為低電平,V3關(guān)斷,V4導(dǎo)通,這時(shí)聚集在Q2柵極和源極的電荷在芯片內(nèi)部通過(guò)R4迅速對(duì)地放電,由于死區(qū)時(shí)間影響使Q2在Q1開(kāi)通之前迅速關(guān)斷。 當(dāng)HIN為低電平時(shí),V1關(guān)斷,V2導(dǎo)通,這時(shí)聚集在Q1柵極和源極的電荷在芯片內(nèi)部通過(guò)R1迅速放電使Q1關(guān)斷。經(jīng)過(guò)短暫的死區(qū)時(shí)間LIN為高電平,V3導(dǎo)通,V4關(guān)斷使VCC經(jīng)過(guò)R4和S2的柵極和源極形成回路,使Q2開(kāi)通。在此同時(shí)VCC經(jīng)自舉二極管,C3和Q2形成回路,對(duì)C1進(jìn)行充電,迅速為C1補(bǔ)充能量,如此循環(huán)反復(fù)。 自舉電容計(jì)算如下: 自舉電容必須能提供不低于MOSFET管柵極電荷導(dǎo)通所需的電荷,并且在高端主開(kāi)關(guān)器件開(kāi)通期間保持其電壓。工程估算公式如下: 其中:查手冊(cè)知  -MOSFET門極電荷nC;  -充電電源電壓為12V;  -下半橋MOSFET導(dǎo)通柵極電壓查手冊(cè)知為2.2V;  -  與  之間的最小電壓查手冊(cè)知為7.5V;  -自舉快恢復(fù)二極管的正相管壓降為1.3V。 帶入數(shù)據(jù)得: 工程上,再保留一定的余量,取估值的2-3倍。  =500nF。 自舉電阻的估算: 自舉電阻  應(yīng)滿足: 查IR2110數(shù)據(jù)手冊(cè)t=10ns 工程上,再取估算值的2倍左右,  1.2.5 H橋主電路模塊 H橋主電路模塊主要由4個(gè)MOSFET構(gòu)成,電源電壓為7.2V,由芯片IR2110輸出的PWM波控制管子導(dǎo)通與關(guān)斷,Q1,Q4所加PWM信號(hào)相同,Q2,Q3所加PWM信號(hào)相同,兩路信號(hào)相位互補(bǔ)(不考慮死區(qū)時(shí)間)。 1.3 PCB圖繪制 (1)新建一個(gè)文件夾,創(chuàng)建工程,保存工程。添加原理圖文件與PCB文件,保存文件到目標(biāo)文件夾下。 (2)繪制原理圖。在元件庫(kù)中找到相應(yīng)元件放置并連接,模塊連接可使用網(wǎng)絡(luò)標(biāo)號(hào)。在畫原理圖時(shí),如果沒(méi)有的器件根據(jù)芯片說(shuō)明書自行設(shè)計(jì)元件庫(kù)文件或是封裝庫(kù)文件。所有元件完成放置,標(biāo)好原件值并連接好后,可利用自動(dòng)標(biāo)號(hào)功能對(duì)所有原件進(jìn)行標(biāo)號(hào)。對(duì)所有元件逐一添加封裝,并確定所有原件PCB封裝正確。檢查元件之間的是否正確連接以及是否有虛連。可用compile document 功能檢測(cè)部分錯(cuò)誤。 (3)畫PCB圖。添加PCB文件。首先設(shè)置原點(diǎn),設(shè)置規(guī)則線寬為30mil,然后把層切換到Keep out layer從原點(diǎn)畫一個(gè)長(zhǎng)為2550mil寬為1800mil的范圍。然后確定PCB圖板的大小,板長(zhǎng)設(shè)置為2550mil,板寬設(shè)置為3000mil。對(duì)長(zhǎng)度進(jìn)行適當(dāng)放寬。接著進(jìn)行打孔,孔的外部矩形尺寸長(zhǎng)設(shè)置為330mil,寬設(shè)置為200mil,內(nèi)部槽的長(zhǎng)度設(shè)置為290mil,線寬設(shè)置為130mil。然后進(jìn)行手動(dòng)布局,手動(dòng)布局一般按照先大后小的原則擺放,然后按照在周圍的元件放在其周圍,通過(guò)旋轉(zhuǎn)元件使元件之間的線最短。布局好所有原件后開(kāi)始手動(dòng)布線,與電動(dòng)機(jī)直接相連的MOTN與MOTP,以及直接與MOSFET相連的7.2V與GND線的需要流過(guò)大電流的必須使用120mil線寬,其余用線寬30mil布線。完全布線后可進(jìn)行DRC電氣檢查,檢測(cè)無(wú)誤后對(duì)大電流線路進(jìn)行開(kāi)窗,然后對(duì)頂層跟底層進(jìn)行地網(wǎng)絡(luò)覆銅,最后確定板子大小。
2.1電路板元件焊接 電路板焊接要依照先小后大先低后高的順序,在焊接有鍍錫的地方時(shí)需要在周圍先鍍錫在焊接焊錫盡量少一點(diǎn)避免虛焊。有極性的元件一定要先確定好極性,再進(jìn)行焊接。烙鐵頭如果沾錫可以沾下松香,讓錫快速流下。表貼芯片焊的時(shí)候可以先在各引腳點(diǎn)上一定錫,然后把表貼芯片放在上面,用烙鐵頭依次按壓各引腳使錫融化,與引腳相接。注意一定要確保每一個(gè)引腳都按壓到。避免虛焊。
2.2波形調(diào)試 2.2.1直流電源模塊 用萬(wàn)用表的電阻檔,確認(rèn)鈕子開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)狀態(tài)。將小車電池連線接入驅(qū)動(dòng)電路板。用萬(wàn)用表的直流電壓檔,確認(rèn)電路板電池接線端子處的電壓為7.2V,且極性正確。撥動(dòng)鈕子開(kāi)關(guān),通電,發(fā)光二極管亮。用示波器Ch1依次測(cè)LM2940S-5.0的1引腳與3引腳,觀察其波形,均為平直波形,1引腳電壓值為7.2V左右,3引腳電壓值為5V左右,證明LM2940-5.0工作正常。 用Ch1依次測(cè)B0512S-1WR2的2引腳與4引腳,觀察其波形,均為平直波形,2引腳電壓值為5V左右,4引腳電壓值為12V左右,證明B0512S-1WR2工作正常。 2.2.2 PWM信號(hào)處理模塊 來(lái)自單片機(jī)的MCU PWM輸入信號(hào)、MCU SD封鎖信號(hào)通過(guò)CD74HCT00芯片至驅(qū)動(dòng)電路板。修改單片機(jī)程序,使其持續(xù)輸出固定占空比為60%的PWM信號(hào)給驅(qū)動(dòng)電路。下載程序,運(yùn)行。用Ch1測(cè)芯片輸入端(即U4A的9引腳),Ch2依次測(cè)第一個(gè)與非門的輸出(即U4A的8引腳)、第二個(gè)與非門的輸出(即U4A的11引腳),觀察波形,對(duì)比所得第一個(gè)與非門輸出PWM信號(hào)與輸入信號(hào)MCU_PWM之間的相位相反幅值升至5V,第二個(gè)與非門輸出PWM信號(hào)與輸入信號(hào)MCU_PWM之間的相位相同且幅值至5V,證明與非門工作正常。 用Ch1測(cè)第一個(gè)與非門(U4A的8引腳)的輸出、Ch2測(cè)第二個(gè)與非門(U4A的11引腳)的輸出,觀察兩路為互補(bǔ)的PWM控制信號(hào),幅值為5V。 2.2.3封鎖信號(hào)處理單元 來(lái)自單片機(jī)的MCU SD輸入信號(hào)、MCU SD封鎖信號(hào)通過(guò)CD74HCT00芯片至驅(qū)動(dòng)電路板。修改單片機(jī)程序,使其持續(xù)輸出固定占空比為60%的PWM信號(hào)給驅(qū)動(dòng)電路。下載程序,運(yùn)行。用Ch1測(cè)芯片輸入端(即U4A的1引腳),Ch2測(cè)第二個(gè)與非門的輸出(即U4A的6引腳),觀察波形,對(duì)比所得SD信號(hào)與輸入信號(hào)MCU SD之間相位相同。 2.2.4死區(qū)生成時(shí)間模塊 死區(qū)生成時(shí)間模塊主要由CD74HCT08芯片構(gòu)成,由RC組成的充放電電路與PWM信號(hào)連接與門。用Ch1測(cè)與門輸入端(即U1A的1引腳)的PWM信號(hào),Ch2測(cè)與門輸出端(即U1A的3引腳)的信號(hào)。測(cè)量?jī)蓚(gè)信號(hào)上升沿之間的時(shí)間差(即死區(qū)時(shí)間)。死區(qū)時(shí)間為640ns,滿足500到900范圍。對(duì)另一路PWM信號(hào),重復(fù)上述操作。死區(qū)時(shí)間為620ns,滿足要求。 用Ch1測(cè)與門輸出端(即U1A的3引腳)的PWM信號(hào),Ch2測(cè)與門連接RC的輸入端信號(hào)(即U1A的1引腳)。由該波形,確定使得與門輸出電平翻轉(zhuǎn)電壓值為1.4V。有設(shè)計(jì)圖可知,在翻轉(zhuǎn)電壓為2V時(shí)死區(qū)時(shí)間為1000ns左右,由于實(shí)際翻轉(zhuǎn)電壓為1.4V,因此死區(qū)時(shí)間比設(shè)計(jì)的要短,為640ns。用Ch1測(cè)第一個(gè)與門的輸出(即U1A的3引腳)、Ch2測(cè)第二個(gè)與門(即U1A的6引腳)的輸出觀察其波形相位互補(bǔ),不考慮死去時(shí)間。幅值為5V左右。可以看出波形中間有間隙,即為死區(qū)時(shí)間。 2.2.5 MOSFET驅(qū)動(dòng)模塊 設(shè)置單片機(jī)程序,使單片機(jī)輸出合適的封鎖信號(hào)MCU_SD,讓IR2110處于正常工作狀態(tài),而不是封鎖。下載程序,運(yùn)行。用Ch1測(cè)IR2110芯片引腳LIN(即U1的12引腳)的輸入信號(hào),Ch2測(cè)IR2110芯片引腳HIN(即U1的10引腳)的輸入信號(hào),其信號(hào)波形與上圖相同,互補(bǔ)且幅值為5V。用Ch1測(cè)IR2110芯片LIN引腳(即U1的12引腳)的輸入信號(hào),Ch2測(cè)IR2110芯片LO引腳(即U1的1引腳)的輸出信號(hào),兩個(gè)信號(hào)的波形形狀、占空比應(yīng)相同,輸入端電壓幅值為5V左右,輸出端電壓幅值為12.4V左右,因?yàn)闆](méi)有接MOSFET,LO端高電平接近Vcc(12V)。 用Ch1、Ch2測(cè)兩個(gè)IR2110芯片的LO引腳(即U1的1引腳)信號(hào)波形,兩者波形互補(bǔ),電壓幅值均為12.4V左右。 2.2.6 H 橋主電路 驅(qū)動(dòng)電路板通電,用Ch1測(cè)IR2110芯片LO引腳(即U1的1引腳)信號(hào),Ch2測(cè)IR2110芯片引腳HO(即U1的7引腳)信號(hào),LO電壓幅值為12.4V左右,HO波形幅值為18.8V左右。有上述設(shè)計(jì)圖可知,LO的電壓值等于Vcc減去內(nèi)部管子管壓降,由于實(shí)際Vcc大于12V,所以LO電壓大于12V符合預(yù)期;HO的電壓值等于Vcc加上7.2V電源減去MOSFET管壓降再減去內(nèi)部管子管壓降,由于實(shí)際Vcc大于12V,7.2V電源電壓高于7.2V,所以HO電壓為18.8V符合預(yù)期。 3.單片機(jī)程序設(shè)計(jì)與小車行駛實(shí)驗(yàn) 3.1前進(jìn)與后退行駛
為了實(shí)現(xiàn)自傲車的前進(jìn)后退功能,利用定時(shí)器2并允許中斷,設(shè)置定時(shí)時(shí)間為5ms,定義i小于1000時(shí),運(yùn)行Motor_PWM1函數(shù)即占空比為60%,小車前進(jìn);同理,i在1000到1500時(shí),運(yùn)行為占空比為50%的函數(shù),小車停車2.5s;i在1500到2500時(shí),運(yùn)行占空比為40%函數(shù),小車倒車5s,最后停車。 3.2PWM頻率的修改 首先定義三個(gè)管腳P0_1,P0_2,P0_3作為PWM波三種狀態(tài)下的三個(gè)信號(hào)輸出口。在i從0到1000時(shí),利用定時(shí)器1,定時(shí)時(shí)間5ms,一共10份,周期即為50ms,所以通過(guò)改變定時(shí)器時(shí)間即可改變頻率。通過(guò)PWM1所占份數(shù),即可改變占空比為 。同理在i不同的范圍內(nèi),輸出不同的PWM波,實(shí)現(xiàn)小車前進(jìn)后退與停車。 4.結(jié)論 為期兩周的電力電子設(shè)計(jì),首先是在畫原理圖跟PCB圖,又讓我重新熟悉了一下AD的使用方法,最主要的收獲就是一定要認(rèn)真,在畫原理圖一定要保證所有先都準(zhǔn)確連接。檢查網(wǎng)絡(luò)標(biāo)號(hào)是否返回到有效位置,然后畫PCB時(shí)封裝一定要保證完全正確,避免在板子做出來(lái)后沒(méi)法焊的情況。畫PCB時(shí)還不要忘了也要看原理圖,把主要連接記下來(lái),在擺放元件時(shí)把離得近的放在一起減短導(dǎo)線長(zhǎng)度。回憶芯片管腳到底也沒(méi)有接線,應(yīng)該接什么電阻,如果覺(jué)得不對(duì)勁,立刻檢查原理圖。然后就是在板子回來(lái)后的焊接與調(diào)試,焊接的時(shí)候一定要保證有極性的方向。在本次焊接時(shí),板子中的一個(gè)51歐電阻焊成了51K的電阻,結(jié)果在測(cè)波形的時(shí)候,電解電容直接爆炸,也算是為自己的不細(xì)心付出了代價(jià)。通過(guò)本次設(shè)計(jì),首先讓我更加深刻了解課本知識(shí),過(guò)程中遇到的一些問(wèn)題和疑惑,都經(jīng)過(guò)組長(zhǎng)和同學(xué)的講解得到了解答。也使我了解到一些實(shí)際與理論之間的差異,深知自己的不足,需要我們更加認(rèn)真嚴(yán)謹(jǐn)。
Altium Designer畫的原理圖和PCB圖如下:(51hei附件中可下載工程文件)
完整的Word格式文檔51黑下載地址:
“飛思卡爾智能車驅(qū)動(dòng)板”設(shè)計(jì)報(bào)告.rar
(2.95 MB, 下載次數(shù): 103)
2019-7-12 13:54 上傳
點(diǎn)擊文件名下載附件
設(shè)計(jì)報(bào)告
飛思卡爾智能車原理圖PCB設(shè)計(jì).rar
(101 KB, 下載次數(shù): 141)
2019-7-12 13:48 上傳
點(diǎn)擊文件名下載附件
設(shè)計(jì)原理圖PCB及庫(kù)文件
|