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基于現在的智慧城市概念，越來越多的人開始選擇南京中科微的超低功耗無線射頻芯片SI24R2E，研發設計袖珍型標簽。 SI24R2E簡介：使用國外IP核固化，確保標簽不會因為死機并且帶來了非常可觀的超低功耗睡眠電流 0.5uA。經過每年20kk pcs的出貨，在性能上得到市場認可，并帶來了全新的設計概念的SI24R2F，盡請期待，美好如期而至。 2.45G有源RFID標簽行業，目前根據行業不同，對標簽的工作壽命的要求都是一致的，要求工作年限足夠久。那么在PCB設計上就需要引起大家的注意。 1.SI24R2E的 CE、CSN、SCK、MOSI 四個引腳強制10K電阻上拉，普通精度的電阻即可。 2.選用16MHz 9pf負載電容的晶振，起振速度快，芯片在standby轉換到TX模式的時間減短。 3.電池端儲能保護電容合理選用。理論上，發射功率0dbm，選用電容需不低于22uF。發射功率4dbm，選用電容不低于47uF。發射功率7dbm，選用電容不低于100uF。（實際應用中，還是會有電容擊穿的概念，在生產中一定要嚴格注意功耗測試時，整機的靜態功耗是否異常，漏電流較大的電容較容易擊穿） 4.有條件的客戶，電池不要使用人工焊接。通過機器點焊，人工帶來的不確定性，后續是無法通過驗證不良品的。 5.觸點燒錄的客戶，要注意VCC和GND之間的位置，放置因為夾具帶來的不確定性，造成電池短路引入永久損壞的可能性。 | 
感謝分享，很好的建議！有個問題不知有沒有遇到過，我加了3.3V穩壓后就無法讀了，去掉3.3v穩壓就正常。
