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MOS管發(fā)熱異常,排查原因來(lái)優(yōu)化設(shè)備運(yùn)行

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在電路設(shè)計(jì)的時(shí)候常常會(huì)發(fā)生MOS管發(fā)熱的情況,而MOS管發(fā)熱說(shuō)明了它正在錯(cuò)誤運(yùn)行。為了避免MOS管發(fā)熱危害到整體設(shè)備的運(yùn)行,所以在再次運(yùn)行之前需要先排查出MOS管發(fā)熱的原因。MOS管發(fā)熱無(wú)非是這幾種情況,接下來(lái)30年經(jīng)驗(yàn)的MOS管廠家“飛虹”為大家分享一下。


一、電路設(shè)計(jì)


讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。如果N-MOS做開(kāi)關(guān),G級(jí)電壓要比電源高幾V,才能完全導(dǎo)通,P-MOS則相反。沒(méi)有完全打開(kāi)而壓降過(guò)大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發(fā)熱。





二、工作頻率


這是在調(diào)試過(guò)程中比較常見(jiàn)的現(xiàn)象,降頻主要由兩個(gè)方面導(dǎo)致。輸入電壓和負(fù)載電壓的比例小、系統(tǒng)干擾大。對(duì)于前者,注意不要將負(fù)載電壓設(shè)置的太高,雖然負(fù)載電壓高,效率會(huì)高點(diǎn)。對(duì)于后者,可以嘗試以下幾個(gè)方面:


1、將最小電流設(shè)置的再小點(diǎn)


2、布線干凈點(diǎn),特別是sense這個(gè)關(guān)鍵路徑


3、將電感選擇的小點(diǎn)或者選用閉合磁路的電感


4、加RC低通濾波吧,這個(gè)影響有點(diǎn)不好,C的一致性不好,偏差有點(diǎn)大,不過(guò)對(duì)于照明來(lái)說(shuō)應(yīng)該夠了。無(wú)論如何降頻沒(méi)有好處,只有壞處,所以一定要解決。


有些時(shí)候,MOS管頻率太高,主要是有時(shí)過(guò)分追求體積,導(dǎo)致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大。





三、散熱設(shè)計(jì)


電路板沒(méi)有做好足夠的散熱設(shè)計(jì),電流太高,MOS管標(biāo)稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于最大電流,也可能發(fā)熱嚴(yán)重,需要足夠的輔助散熱片。

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