9月到10月參加了一下FPGA的筆試，總結了一些題目，總結的不多。望諒解
1、存儲模塊的工作原理及區別 （1）SRAM：一個SRAM單元通常由4-6只晶體管組成，當這個SRAM單元被賦予0或者1的狀態之后，它會保持這個狀態直到下次被賦予新的狀態或者斷電之后才會更改或者消失。 （2）DRAM： （3）EPROM：
（4）EEPROM： （5）NOR Flash 通過熱電子注入方式給浮柵充電
（6）NAND Flash
通過F-N隧道效應給浮柵充電
區別：SRAM、DRAM與NAND FLASH、 NOR FLASSH的區別 SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩 沖。另一種稱為動態RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留數據的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多。數據和程序，我們平常所提到的計算機的內存指的是動態內存（即DRAM），動態內存中所謂的"動態"，指的是當我們將數據寫入DRAM后，經過一段時間，數據會丟失，因此需要一個額外設電路進行內存刷新操作。 EPROM是通過 紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲器。另外一種EEPROM是通過電子擦出，價格很高，寫入時間很長，寫入很慢。 只是用來存儲少量的代碼，這時NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。
2、setup time和hold time 建立時間（setup time）是指在觸發器的時鐘信號上升沿到來以前，數據穩定不變的時間，如果建立時間不夠，數據將不能在這個時鐘上升沿打入觸發器。 保持時間（hold time）是指在觸發器的時鐘信號上升沿到來以后，數據穩定不變的時間，如果保持時間不夠，數據同樣不能被打入觸發器。 分析setup time時用最大延時；分析hold time時用最小延時；
3、首先，我們要理解max，min的含義： 1. max：通常指foundry提供的db，lib中ss（worst）這種情況，即：工作電壓最低，工作溫度最高時的延時，我們也正是運用此corner來計算setup冗余，因為此時foundry提供的cell延時最大； 2. min：通常指foundry提供的db，lib中ff（best）這種情況，即：工作電壓最高，工作溫度最低時的延時，我們也正是運用此corner來計算hold冗余，因為此時foundry提供的cell延時最小； 3. 我們要知道setup，hold的含義（這里就不作贅述）。 4. 你要知道這些cell都是在相同電壓和溫度下工作的，所以，延時要是max就都是max，要min就都是min；所以我們運用max延時計算setup，運用min計算hold，明白這幾點，你就知道為什么答案是正確的，你的計算方式是錯誤的。
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2018-11-6 09:07 上傳
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