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TTL和CMOS的比較

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ID:401498 發表于 2018-9-23 15:57 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
一.TTL定義
    TTL集成電路的主要形式為晶體管-晶體管邏輯門(transistor-transistorlogic gate),TTL大部分都采用5V電源。
    輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下,一般輸出高電平是3.5V,輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平:輸入高電平>=2.0V,輸入低電平<=0.8V,噪聲容限是0.4V。
  因為2.4V與5V之間還有很大空閑,對改善噪聲容限并沒什么好處,又會白白增大系統功耗,還會影響速度。所以后來就把一部分“砍”掉了。也就是后面的LVTTL。
  LVTTL又分3.3V、2.5V以及更低電壓的LVTTL(LowVoltage TTL)。
     3.3V LVTTL:Vcc:3.3V;VOH>=2.4V;VOL<=0.4V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。
     2.5V LVTTL:Vcc:2.5V;VOH>=2.0V;VOL<=0.2V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。
  更低的LVTTL不常用。多用在處理器等高速芯片,使用時查看芯片手冊就OK了。            
二.CMOS定義
   ComplementaryMetal Oxide Semiconductor   PMOS+NMOS,場效應管結構。
  Vcc:5V;VOH>=4.45V;VOL<=0.5V;VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。
  相對TTL有了更大的噪聲容限,輸入阻抗遠大于TTL輸入阻抗。為了與3.3V LVTTL直接互相驅動,出現了LVCMOS。    
      3.3VLVCMOS:Vcc:3.3V;VOH>=3.2V;VOL<=0.1V;VIH>=2.0V;VIL<=0.7V。
   2.5V LVCMOS:Vcc:2.5V;VOH>=2V;VOL<=0.1V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。
三、二者的互連
    因為TTL和COMS的高低電平的值不一樣,所以互相連接時需要電平的轉換:就是用兩個電阻對電平分壓,沒有什么高深的東西。
    在同樣5V電源電壓情況下,COMS電路可以直接驅動TTL,因為CMOS的輸出高電平大于2.0V,輸出低電平小于0.8V;而TTL電路則不能直接驅動 CMOS電路,TTL的輸出高電平為大于2.4V,如果落在2.4V~3.5V之間,則CMOS電路就不能檢測到高電平,低電平小于0.4V滿足要求,所以在TTL電路驅動COMS電路時需要加上拉電阻。如果出現不同電壓電源的情況,也可以通過上面的方法進行判斷。
    而對于LVTTLLVCOMS,對比可見3.3V LVCMOS可以和3.3V LVTTL或者5V TTL直接互連,2.5V LVCMOS也可以和2.5V LVTTL直接互連。
    如果電路中出現3.3V COMS電路驅動5V CMOS電路的情況,如3.3V單片機去驅動74HC,這種情況有以下幾種方法解決,最簡單的就是直接將74HC換成74HCT的芯片。因為3.3V CMOS 可以直接驅動5V的TTL電路;或者加電壓轉換芯片;還有就是把單片機的I/O口設為開漏,然后加上拉電阻到5V,這種情況下得根據實際情況調整電阻的大小,以保證信號的上升沿時間。
四.74系列命名規則
    74系列可以說是我們平時接觸的最多的芯片,74系列中分為很多種,而我們平時用得最多的應該是以下幾種:74LS,74HC,74HCT這三種,這三種系列在電平方面的區別如下:
    名稱                輸入電平                  輸出電平
    74LS                TTL電平                    TTL電平
    74HC                COMS電平                   COMS電平
    74HCT               TTL電平                    COMS電平
五、TTL和COMS電路比較
     1)TTL電路是電流控制器件,而CMOS電路是電壓控制器件。
     2)TTL電路的速度快,傳輸延遲時間短(5-10ns),但是功耗大,過沖大。(為什么?)COMS電路的速度慢,傳輸延遲時間長(25-50ns),但功耗低。COMS電路本身的功耗與輸入信號的脈沖頻率有關,頻率越高,芯片集越熱,這是正常現象。
六、COMS電路的使用注意事項
     1)COMS電路是電壓控制器件,它的輸入阻抗很大,對干擾信號的捕捉能力很強。所以,不用的管腳不要懸空,要接上拉電阻或者下拉電阻,給它一個固定的電平。
    2)COMS電路的閂鎖效應:
    CMOS結構內部寄生有可控硅結構,當輸入或輸入管腳高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)時,電流足夠大的話,內部電流急劇增大,除非切斷電源,電流一直在增大(寄生的三極管處于正偏狀態),引起閂鎖效應,導致芯片的燒毀。當產生鎖定效應時,COMS的內部電流能達到40mA以上,很容易燒毀芯片。
    防御措施: a.在輸入端和輸出端加鉗位電路,使輸入和輸出不超過不超過規定電壓。
               b.芯片的電源輸入端加去耦電路,防止VDD端出現瞬間的高壓。
               c.在VDD和外電源之間加限流電阻,即使有大的電流也不讓它進去。
               d.當系統由幾個電源分別供電時,開關要按下列順序:開啟時,先開啟COMS電路的電源,再開
                 啟輸入信號和負載的電源;關閉時,先關閉輸入信號和負載的電源,再關閉COMS電路電源。
     3)由于TTL器件內部輸入保護電路中的鉗位二極管電流容量有限,一般為1mA,因此輸入端接低內阻的信號源時,在輸入端和信號源之間要串聯限流電阻,使輸入的電流限制在1mA之內。
     4)當接長信號傳輸線時,在COMS電路端接匹配電阻。
     5)當輸入端接大電容時,應在輸入端和電容間接保護電阻。電阻值為R=V0/1mA.V0是外界電容上的電壓。
     6)COMS的輸入電流超過1mA,就有可能燒壞COMS。(所以上拉一般是10k。)
七、TTL門電路的輸入負載特性  
     1)在門電路輸入端串聯10K電阻后再輸入低電平,輸入端出呈現的是高電平而不是低電平。因為由TTL門電路的輸入端負載特性可知,只有在輸入端接的串聯電阻小于910歐時,它輸入來的低電平信號才能被門電路識別出來,串聯電阻再大的話輸入端就一直呈現高電平。這個一定要注意。COMS門電路就不用考慮這些了。
     2)懸空時相當于輸入端接高電平。因為這時可以看作是輸入端接一個無窮大的電阻。
    3)TTL門電路的輸入端通過一電阻接地,當該電阻小于1KΩ時,該輸入端相當于接低電平;當該電阻大于幾KΩ時,該輸入端相當于接高電平。
八、TTL電路有集電極開路OC門,MOS管也有和集電極對應的漏極開路的OD門,它的輸出就叫做開漏輸出。它可以吸收很大的電流,但是不能向外輸出的電流。所以,為了能輸入和輸出電流,它使用的時候要跟電源和上拉電阻一齊用。OD門一般作為輸出緩沖/驅動器、電平轉換器以及滿足吸收大負載電流的需要。OC門在截止時有漏電流輸出,那就是漏電流,為什么有漏電流呢?那是因為當三極管截止的時候,它的基極電流約等于0,但是并不是真正的為0,經過三極管的集電極的電流也就不是真正的0,而是約0。而這個就是漏電流。

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