目 錄
DragonHD 項目 1 使用說明/v1201
1 概述3
11 關(guān)于 DragonHD 3
12 工具界面 3
2 使用流程4
21 啟動工具 4
22 插拔設(shè)備 6
23 查看日志 8
24 停止檢測 8
25 保存/打開模板 8
3 其他事項11
1. 概述
1.1.關(guān)于 DragonHD
DragonHD 提供一種無需下載固件，即可快速對硬件進(jìn)行檢測、診斷的工具手段。支持 1 拖 8，多平臺 通用，PCBA 裸板通過 USB 連接 PC 進(jìn)入測試，每臺設(shè)備可單獨輸出 log，定位為診斷、連通性測試、穩(wěn)定 性測試工具。
1.2.工具界面
2. 使用流程
2.1.啟動工具
雙擊 打開工具后，界面可分為 4 個區(qū)域，如下圖：
區(qū)域 1：操作區(qū)，工具的基本操作包含設(shè)置 DDR clk 頻率，設(shè)置循環(huán)次數(shù)和啟動/停止測試。
區(qū)域 2：平臺用例區(qū)，選擇平臺后該區(qū)域顯示選定平臺的所有用例，用戶可屏開，收縮和勾選需要測試的 用例。
區(qū)域 3：測試信息區(qū)，該區(qū)域顯示設(shè)備測試進(jìn)度，測試狀態(tài)，測試結(jié)果和過程日志信息。 區(qū)域 4：軟件功能區(qū)，包含的操作包含打開配置模版，保存配置模板，更新升級，退出軟件。 勾選平臺/用例 點擊平臺下拉選擇框選定要測試的設(shè)備平臺，區(qū)域 2 將顯示選定平臺的所有用例，用戶勾選所需測試 的用例后，點擊“啟動”按鈕工具即進(jìn)入設(shè)備檢測狀態(tài)，如圖：
2.2.插拔設(shè)備
工具進(jìn)入設(shè)備檢測狀態(tài)后即可插入待測試設(shè)備，樣機(jī)按量產(chǎn)方法使設(shè)備進(jìn)入測試狀態(tài)，運(yùn)行前必須不 能同時運(yùn)行其他燒錄工具如 phoenixsuit。首次使用的 USB 接口將會被記錄關(guān)聯(lián)，最多關(guān)聯(lián) 16 個 USB 接口， 用戶必須在 USB 接口首次關(guān)聯(lián)后記下 USB 口與設(shè)備號的關(guān)聯(lián) ID，并在 USB 接口標(biāo)記該 ID 號，如下圖插入 設(shè)備后被關(guān)聯(lián)的設(shè)備 ID 為 1（設(shè)備 1 的顯示由灰變黑），即在該 USB 接口貼上標(biāo)號：1。此后從此 USB 接 口插入的設(shè)備信息都將記錄在“設(shè)備 1”一行。 注：USB 接口的關(guān)聯(lián)與機(jī)器相關(guān)，如需將工具打包發(fā)送或者需要清空關(guān)聯(lián)信息重新關(guān)聯(lián)，請退出工具 并刪除工具目錄下名為 fels.bin 的文件。
測試成功后結(jié)果顯示：
2.3.查看日志
在設(shè)備檢測的過程中，設(shè)備被拔出之前，用戶可隨時點擊設(shè)備號右邊的“查看 LOG”查看應(yīng)對設(shè)備的 檢測日志。出現(xiàn)用戶誤操作情況： 1.過早拔出設(shè)備并希望查看拔出前的日志時，需要查看設(shè)備拔出前的日志信息，即需手動打開工具目 錄下的子目錄 LOG/，找到相應(yīng)設(shè)備編號的日志文件打開即可。 2.拔出設(shè)備后又在工具處于檢測狀態(tài)下插進(jìn)了新的設(shè)備，這種情況下如需查看之前拔出的設(shè)備日志信 息，即需手動打開工具目錄下子目錄 LOG/backup/，按設(shè)“備號-日期.txt”查找對應(yīng)日志，工具只為每個 接口保留最后 10 次插拔設(shè)備的日志信息，更早的日志信息被永久刪除。
2.4.停止檢測
在檢測過程中如需停止檢測，以更新勾選用例或者其他操作，可在所有正在測試的設(shè)備完成或者拔出 后點擊“停止”按鈕，工具即退出檢測狀態(tài)，此時設(shè)備的插拔將不影響 USB 接口的關(guān)聯(lián)和日志的更新。
2.5.保存/打開模板
用戶在勾選完平臺/用例，填寫后頻率和循環(huán)次數(shù)后，可點擊區(qū)域 1 的“保存當(dāng)前配置”按鈕將勾選 情況保存到特定文件，此后可在工具打開后點擊“導(dǎo)入配置”按鈕，選擇保存的模板文件，工具即恢復(fù)到 之前保存的狀態(tài)，無需再次勾選。
保存模板
打開保存的模板
3. 其他事項
工具打開時確保沒有設(shè)備連接，否則可能出現(xiàn)“無法啟動”的情況。
DRAM 測試工具應(yīng)用指南
1 DRAM 測試工具應(yīng)用聲明4
2 DRAM 測試相關(guān)設(shè)置4
21 基本設(shè)置：4
22 測試結(jié)果分析5
221 初始化失敗5
222 壓力測試失敗5
223 參數(shù)修改6
224 測試通過7
1.DRAM測試工具應(yīng)用聲明
1.測試工具用于 DRAM硬件連通性和初步穩(wěn)定性測試 2.測試工具不可代替 DRAM老化測試
工具優(yōu)勢:
測試便捷:裸板連接 USB 即可測試。 快速定位硬件連通性:能快速定位焊接不良的顆粒(如 4*8 的顆粒可定位到具體某顆焊接不良)。 測試時間短:1MIN 可測試完一個 loop，可迅速測試出穩(wěn)定性一般的 case(這些 case 上系統(tǒng)老化測試 可能需要幾小時才能 detect 出)。 調(diào)試問題便捷，對 DRAM 不穩(wěn)定的板卡，工具端迭代修改參數(shù)測試，較上系統(tǒng)驗證節(jié)省 90%的時 間(上案桌系統(tǒng)修改參數(shù)驗證一輪短則 10 分鐘長則幾小時，工具端不到 3 分鐘)。
工具局限性: 因為測試時間短無法 cover 到所有不穩(wěn)定的 case，這些 case 可能需長時間老化測試才能暴露問題， 所以本工具不能代替 DRAM 老化測試。 工具主要測試的是 DRAM 的 IO 性能，對 DRAM 內(nèi)部 CELL 的物理特性測試有一定局限性(這部分 測試主要靠 DRAM 原廠保證)，所以測試工具如作為黑片篩選有一定風(fēng)險。
2.DRAM測試相關(guān)設(shè)置
2.1. 基本設(shè)置：打開 DragonHD 后，關(guān)注左側(cè)測試選項： 1、選取測試平臺(如測試 A64 就在平臺下拉列表選擇 A64)；  2、調(diào)整 DDR頻率，一般以量產(chǎn)頻率為準(zhǔn)(下拉列表選擇)； 3、選擇循環(huán)測試次數(shù)，推薦 3 次； 4、勾選測試項，推薦全選(如 DDR3 就勾選 DDR3 菜單的所有測 試項)； 5、按“啟動”然后使機(jī)器進(jìn)入 efex 狀態(tài)(即燒寫固件狀態(tài))； 6、等待測試完成并查看 log。 7、(注:DragonHD 所有測試模塊必須使機(jī)器進(jìn)入 efex 狀態(tài)，即 固件燒寫狀態(tài)方可使用，請勿同時開啟 PhoenixSuit等燒寫工具， 否則會導(dǎo)致測試失敗)
2.2.測試結(jié)果分析
2.2.1.初始化失敗
如下圖所示 LOG 標(biāo)紅代表測試失敗，點擊查看 LOG 可以看到 dram init fail 即 dram 初始化失敗：
通過查看 log，可以看到通道 0 的 byte 1 及 byte 3 的 erro 標(biāo)識為 1，說明錯誤出現(xiàn)在 byte 1 和 byte 3。 因此先要查看對應(yīng)的原理圖和 PCB，確認(rèn)是哪些 DRAM 顆粒可能存在問題： Byte1 和 byte3 對應(yīng)的就是 DQS1 和 DQS3 的鏈接片子，可以確認(rèn) D3_U1 這里存在問題，通過對應(yīng) PCB 找到 DRAM 顆粒位置，如初始化失敗可先檢查電源，電源無異常基本就是焊接問題，根據(jù)工具端 打印的初始化失敗的 byte 找到對應(yīng)的 DRAM 片子更換即可。
2.2.2.壓力測試失敗
如標(biāo)紅代表測試失敗，點擊可看到如下所示 LOG，顯示 dram memtester fail 即 dram 讀寫測試失敗 了，工具端打印出了出錯的 bit 即 16bit 出錯代表dq16 出錯(0x10000 換成二進(jìn)制就是 16bit 為 1)，而 bit16 就代表 byte2 出錯(byte0:dq0~dq7,byte1:dq8~dq15,byte2:dq16~dq23,byte3:dq24~dq31)。此外工具端初始化 成功后還會打印出容量信息。如貼的是正片，說明 dram 信號不穩(wěn)定，需要進(jìn)一步調(diào)節(jié)參數(shù)讓 dram 子系 統(tǒng)穩(wěn)定，如貼的非正規(guī)物料可能是信號不穩(wěn)定也可能是片子本身存在壞塊，具體情況還需具體分析。
2.2.3.參數(shù)修改
2.2.2 中提到測試出錯，如板卡測試出錯代表 DRAM 不穩(wěn)定，就需要 debug，工具開放了 DRAM 的 參數(shù)接口供開發(fā)人員進(jìn)行修改，以 A64 為例先左鍵點擊 dram_init 然后點擊右鍵即可選擇編輯參數(shù)，如 下圖所示界面，可以看到此參數(shù)和 SDK 的 sys_config.fex 中的 DRAM 參數(shù)部分一樣。這樣就可以直接 在工具端調(diào)試，省去上系統(tǒng)的繁瑣測試過程，可供修改的參數(shù)為 dram_zq和 dram_mr1，即主控端和 DRAM 端的阻抗參數(shù)。 clk = 672 dram_type = 3  dram_zq = 0x3b3bbb dram_odt_en = 0x1 dram_para1 = 0x10E410E4 dram_para2 = 0x1000 dram_mr0 = 0x1840 dram_mr1 = 0x40 dram_mr2 = 0x18 dram_mr3 = 0x2 dram_tpr0 = 0x004A2195dram_tpr1 = 0x02424190 dram_tpr2 = 0x0008B060 dram_tpr3 = 0x04b005dc dram_tpr4 = 0x0 dram_tpr5 = 0x0dram_tpr6 = 0x0 dram_tpr7 = 0x0 dram_tpr8 = 0x0dram_tpr9 = 0x0 dram_tpr10 = 0x8808 dram_tpr11 =0x0 dram_tpr12 = 0x55550000 dram_tpr13 = 0x04000900
SOC 端阻抗調(diào)節(jié)，SOC 端阻抗即調(diào)節(jié) dram_zq，以 A64 為例默認(rèn)阻抗為 0x3b3bfb，對應(yīng)的參數(shù)說 明為為如下表所示，2.2.2 中提到的壓力測試失敗，且出錯的是 16bit 也就是 byte2 出問題，所以可以嘗 試調(diào)節(jié) byte2 的輸出驅(qū)動能力或 ODT，如修改為0x3b3dfb，再測試看是否 PASS，不斷迭代修改測試(注 意每次修改參數(shù)都需要將工具停止后再啟動，這樣修改的參數(shù)才生效)。  [23:20] Byte2/3 on die termination(終端 ODT) [19:16] Byte2/3 output impedance (輸出驅(qū)動能力)[15:12] Byte0/1 on die termination(終端 ODT) [11:8] Byte0/1 output impedance (輸出驅(qū)動能力) [7:4] CLK output impedance(輸出驅(qū)動能力) [3:0] CA output impedance(輸出驅(qū)動能力) DRAM 端阻抗調(diào)節(jié)，通過調(diào)節(jié) mr1 可以修改 DRAM 端的輸出驅(qū)動能力和 ODT 的，如下表所示為 mr1 的說明，可以通過 MR1 的值來達(dá)到調(diào)節(jié) DRAM端的 ODT 和阻抗，默認(rèn)設(shè)置 mr1=0x40，即輸出驅(qū) 動能力為 RZQ/6=240Ω/6=40Ω，ODT 為 RZQ/2=240Ω/2=120Ω。當(dāng)出現(xiàn)壓力測試報錯時，可以嘗試修 改主控端或 DRAM 端的 ODT 或驅(qū)動能力。
| 碼值 | Output Driver Impedance Control | Bit5:Bit1 | 00 | RZQ/6 | Bit5:Bit1 | 01 | RZQ/7 |
| 碼值 | on die termination | Bit9:Bit6:Bit2 | 000 | Disable odt | Bit9:Bit6:Bit2 | 001 | RZQ/4 | Bit9:Bit6:Bit2 | 010 | RZQ/2 | Bit9:Bit6:Bit2 | 011 | RZQ/6 |
2.2.4.測試通過
如下所示綠色標(biāo)示測試完成，無報錯，說明壓力測試 pass，點擊查看 LOG 可看到所有測試項均 OK， 代表工具壓力測試正常。
全部資料51hei下載地址：
硬件檢測工具.zip
(9.82 MB, 下載次數(shù): 150)
2018-9-22 09:02 上傳
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