對GaN的Application部分進行了翻譯，供大家參考
GaN系統增強型HEMT沒有內在的二極管而且反向恢復損耗很小，這些設備能夠自然進行反向傳導，而且根據門極電壓展現出不同的特點。對于GaN系統晶體管來說，反平行二極管是不需要的，因為IGBT可以實現反向導電性能。
通路狀態：GaN系統增強型HEMT在通路狀態下反向傳導特性和硅MOSFET 相似，I-V曲線關于原點對稱，它顯示了一個通道電阻RDS(on),類似于正向傳導操作。
斷開狀態：因為GaN沒有內部二極管，斷開狀態下的反向特性和硅MOSFET不同。在相反方向上，當柵極電壓相對于漏極超過柵極閾值電壓時，器件開始傳導。這時該裝置具有通道電阻，可作為有著略高VF且沒有反向恢復損耗的“體二極管”。
如果在斷開狀態下使用負柵電壓，則源漏電壓必須比VGS(th)+VGS(off)較高，才能打開設備。因此，負柵電壓將增加反向電壓降，從而增加反向傳導損耗。
阻塞電壓
阻塞電壓等級BVDS是由漏電流定義的。不可恢復擊穿電壓大約比額定阻塞電壓高30%。一般來說，最大的漏極電壓應該與硅mosfet類似的方式去降級。所有的GaN E-HEMT不會發生雪崩，因此不會有雪崩擊穿等級。絕對最大漏源電壓為100V，不隨負柵電壓變化。
包裝與出售
包裝材料是高溫環氧基PCB材料，與FR4相似，但溫度較高。這使得我們的設備指定到150°C。 該裝置能處理至少3個回流循環。
建議在IPC/JEDEC J-STD-020 REV .1(2008年3月)中使用reflow配置文件。
無鉛的基本溫度組件：
預熱/浸泡：60-120，最低溫度=150°C 最高溫=200°C
回流:增加率最大3°C /秒。峰值溫度為260°C和時間在5°C的峰值溫度是30秒。
冷卻:緩降率最大6°C /秒。
使用“非清潔”焊錫膏并在高溫下操作，可能會導致“非清潔”磁通殘差的重新激活，可能會產生不需要的傳導路徑。所以，當產品運行溫度大于100°C時，建議也清洗“非清潔”粘貼殘留物。
全部資料51hei下載地址：
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