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隨著便攜式設備和穿戴式設備的興起，產品對于功耗的要求也是越來越嚴格，基本這類設備對于待機時間，工作時間都有相應的要求。然而普通的NAND flash的供電電壓是3.3V，這樣就導致整個NAND flash在讀和寫的時候，功耗會比較大。如果系統要頻繁從NAND flash中獲取數據，這樣對于整個NAND flash的功耗又會增加，據此原因，ATO針對這類應該開發出來了1.8V的低電壓，低功耗NAND flash。 下面主要說明一下，ATO 1.8V 1Gb NAND flash的規格以及和3.3V NAND flash的對比。
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2018-7-17 15:46 上傳
圖1 3.3V NAND flash的直流特性的指標
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圖2 1.8V NAND flash的直流特性指標。 從上面兩個圖的對比可以看出，讀，寫，操作操作時，電流的指標是一樣的。但是1.8V的電壓值幾乎是一半與3.3V，故功耗也幾乎是3.3V 的一半。 所以，對于功耗的節省是非常明顯的。 深圳雷龍發展有限公司從事NANDFLASH行業10+年.目前代理ATO Solution小容量SLC NAND,SPI NAND,MCP等。想了解更多請咨詢扣二八伍二扒二陸扒六八；電話一三陸玖一玖八二一零柒
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