這是51單片機內置的功能，可以讓我們少寫很多時序，讓代碼變的整潔好看。
這里先拓展點小知識：RAM,ROM的區別，地址數據總線，控制總線。
1.RAM是一種掉電會丟失數據的可讀可寫的存儲器。//其實題目上寫的是外擴ram，但很多時候我們很少來外擴ram， 都是外擴各種外圍器件，比如ADC,DAC，等等等
2.ROM是掉電不丟失，只讀的存儲器。
3.51單片機P0口是低8地址和數據總線復用。P2口是高8位地址總線。
4.數據總線是用來傳輸數據的，地址總線是用來選擇地址的，51單片機地址總線是16根，也就是外擴最大內存為 2^16=64K;
5.控制總線就是單片機發出的各種控制信號線，比如讀寫時序產生WR/RD，低8位地址鎖存信號線ALE等...
然后我們進入正題。如果是學過單片機原理的小伙伴們應該知道這兩個操作指令 MOVX,MOVC,如果用我們用匯編寫外擴RAM、ROM，就是用這兩個操作指令，當出現這兩個操作指令的時候，單片機的相關引腳就會產生對應的時序，這樣我們把相關外擴器件與之相連的時候，就不用去管時序的問題了。
MOVX A,@DPTR //讀外擴ram，產生讀時序，由WR/p3.6產生
MOVX @DPTR,A //寫外擴ram，產生寫時序，由RD/p3.7產生
MOVC A,@DPTR //讀外擴rom，產生讀時序，由PSEN產生
我這里這介紹RAM的讀寫。當我們發出一條MOVX指令的時候，先發出16位地址，產生控制時序，然后在寫（讀）數據，這個時候，我們低8位地址總線就與數據總線沖突了（因為都是用的P0口），使用如果我們要時候低8位地址去限定的時候，就可以就一個鎖存器，來鎖存低8位地址（這個時候要用到鎖存信號引腳ALE），再比如我們外圍器件不多的時候，或者外擴ram不超過2^8=256B的時候，完全可以不管低8位。
然后就是我們讀寫控制線都有效時序都是由高到低，當數據讀寫完后，在變為高電平，你們要注意自己控制的外圍器件的時序，看要不要加非門處理一下讀寫時序，比如控制LCD1602的時候。
我們大致了解了這個控制過程（想詳細了解的建議去看書，單片機原理），我們在開發的過程中很少用匯編寫項目，下面我們就來看看C語言的寫法。
首先我們來看一看下面的關鍵字：
code 以MOVC @A+DPTR 讀取的程序內存
data 可以直接存取的內部數據存儲器
idata 以 MOV@Rn 存取的內部數據存儲器
bdata 可以位尋址（BitAddressable）的內部存儲器
xdata 以MOVX @DPTR 存取的外部數據存儲器
pdata 以MOVX @Rn 存取的外部數據存儲器
我們一般都只用到 xdata，我們在頭文件<absacc.h>中可以看到這樣一個定義
#define XBYTE ((unsigned char voalite xdata*)0)
這樣一個宏定義，這個宏定義我按我自己的理解去演示一遍，
當我們用XBYTE[0X1000]=1；
想當于 MOV @DPTR,1000H
MOV A,#1
MOVX @DPTR,A
把1寫到外部ram地址位0x1000中，如果是 i=XBYTE[0X1000];這就是讀了，意思是差不多的。
這個地址0x1000，就是通過地址總線發出去的，P0發送0x00也就是低8位，P2發送0x10也就是高8位，發送地址后，控制線發出對應的控制時序，ALE發送鎖存，WR發出一個下降沿，這個時候在通過數據總線P0發送1出去。WR在復位到高電平。這就是大概流程。
當我們不是外擴ram的時候 XBYTE[]中的地址應該怎么去填呢，我們來舉的DAC0832的例子，借用的別人的圖
我們0832是在片選CS為低的時候，給WR低電平就可以工作了。
上圖我們可以明顯體會到用外擴ram這種編程方法的便利，以及節省很多資源了（用i/o直接操作的話，不加額外的器件，連接兩個DAC起碼要16個引腳）。
當我們想讓dac0832(1)工作，但片2不工作，就要讓P2.7=0，P2.6=0,P2.5=1。是不是這樣的。
所以我們片1的地址高3位就出來了，其余的地址都影響不到它，所以我們稱為地址無關位，我們任意填什么都可以，為了方便，我就填0。那么片1的地址 是不是就是XBYTE[0X2000] (001 0 0000 0000 0000)，是不是就是這樣的，
同理片2的就為 XBYTE[0X8000] (100 0 0000 0000 0000) 。
當我們寫 XBYTE[0x2000]=0xff;這句話，是不是就啟動了dac0832，并寫入了0xff。
其實大家可以去看書上單片機外擴程序存儲器的工作時序圖，多想想這個過程，就可以很輕松的去運用他了，可以讓自己輕松很多，并且玩法有很多很多。
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