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Buck電路軟開關(guān)電路設(shè)計(jì)及原理分析2.1 Buck電路軟開關(guān)設(shè)計(jì)方案 本課題首先設(shè)計(jì)的Buck電路軟開關(guān)方案如圖2.1所示。 file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A0F.tmp.png 圖2.1 Buck電路軟開關(guān)電路圖 Buck電路又叫降壓斬波電路,降壓式變換電路。是一種DC/DC變流電路,可以根據(jù)用戶的需求,輸出對(duì)應(yīng)的電壓,提供負(fù)載所需。主要能運(yùn)用于電車、地鐵、電動(dòng)汽車、火車、直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、照明等領(lǐng)域。但傳統(tǒng)的硬開關(guān)Buck電路,存在著開關(guān)損耗大,開關(guān)噪聲大,工作效率低的問題。這將直接影響到其集成化,輕型化的要求。為了方便對(duì)此問題的了解,首先給出硬開關(guān)Buck電路仿真電路圖。 file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A10.tmp.png 圖2.2 硬開關(guān)Buck電路仿真電路圖 圖2.2中所示為Buck電路的硬開關(guān)仿真電路圖,即強(qiáng)制切斷功率流的工作模式。圖中元件的參數(shù)為:輸入電壓V=12V,開關(guān)周期T=20us(即開關(guān)頻率f=50kHz),占空比D=0.42(因?yàn)橄胍敵龅碾妷簽?V),電感L=1.6mH,電感值較大,電路能工作在CCM(電感電流連續(xù)的模式下),濾波電容C=470uF,輸出負(fù)載R=0.83Ω。如果電路能工作在理想狀態(tài)下(即完全無開關(guān)損耗的狀態(tài)下),輸出電壓Uo應(yīng)該為12×0.42=5.04V,負(fù)載電流應(yīng)該在5.04/0.83=6.07A左右,而實(shí)際仿真分析得到的輸出波形如下: file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A11.tmp.png 圖2.3 硬開關(guān)Buck電路仿真波形圖 由圖2.3可以清楚地看出,穩(wěn)態(tài)時(shí),輸出電壓只為4V, 輸出電流Io=4.5A左右,均跟理論值存在較大差距,究其原因,可以看一下開關(guān)管IGBT的工作情況,如下兩圖所示。 file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A12.tmp.png 圖2.4 經(jīng)過開關(guān)管控制后的輸入電壓圖 file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A13.tmp.png 圖2.5 經(jīng)過開關(guān)管控制后的輸入電壓詳圖 由圖2.4和圖2.5可以清楚地看出,經(jīng)過IGBT控制后的輸入電壓產(chǎn)生了小于零的情況,這在正常情況下是不應(yīng)該出現(xiàn)的,從而導(dǎo)致電壓峰值小于12V,可以說,由于IGBT的開通壓降引起的開關(guān)損耗引起了輸入達(dá)不到要求,從而導(dǎo)致輸出電壓無法滿足需求。顯而易見,這就是硬開關(guān)電路所存在的問題。使得電路的工作效率僅為4×4.5/(5.04×6.07)×100%=58.8%。 從上述的實(shí)驗(yàn)仿真分析不難看出,開關(guān)管IGBT的損耗已經(jīng)嚴(yán)重影響到電路的工作的正常工作效率,不僅造成電路的工作效率低,存在開關(guān)噪聲等一系列問題,更為重要的是,開關(guān)損耗使得能耗更加增大,增加了更多的安全隱患,在開關(guān)上消耗的能量積聚到一定的程度,發(fā)熱累積到一定的程度,將會(huì)產(chǎn)生難以預(yù)計(jì)的后果,甚至可能會(huì)威脅到人身財(cái)產(chǎn)安全。綜上所述,軟開關(guān)技術(shù)勢在必行,于是設(shè)計(jì)了如圖2.1所示的Buck軟開關(guān)電路,下面就對(duì)Buck軟開關(guān)電路的原理進(jìn)行詳細(xì)分析。 2.2 原理分析鑒于此,如圖2.1所示,設(shè)計(jì)了Buck電路的軟開關(guān)電路圖,主開關(guān)管VS1、輔助管VS2,這個(gè)兩個(gè)開關(guān)管都是N溝道增強(qiáng)型的MOSFET,工作特點(diǎn)時(shí),只有當(dāng)Vgs大于閾值電壓才能導(dǎo)通,導(dǎo)通后電流方向?yàn)閺腄極到S極、電感L和電容Co共同組成零電壓開通的Buck變換器,Ro為負(fù)載電阻,一般不屬于Buck電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。此電路與一般的Buck電路不同,一般的Buck電路中除了有一個(gè)開關(guān)管外,還有一個(gè)二極管,而此電路中原本那個(gè)位置的二極管變成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOSFET開關(guān)管,為什么要這樣做呢?這是因?yàn)橛肕OSFET來替代二極管,能使得電路獲得比較高的效率,同時(shí)兩個(gè)開關(guān)管互為補(bǔ)充。VS1和VS2兩端分別反并聯(lián)二極管D1,D2,為電感電流的正向及反向流通提供回路,兩個(gè)開關(guān)管上并聯(lián)的電容C1,C2用來與電感L組成準(zhǔn)諧振回路進(jìn)行充放電,電容Co是濾波電容,取值較大即可,只起到濾波電容的作用。VS1和VS2分別由觸發(fā)脈沖ug1和ug2互補(bǔ)驅(qū)動(dòng),ug1,ug2分別為VS1,VS2的柵源極電壓,并且ug1和ug2之間有一定的死區(qū)防止共態(tài)導(dǎo)通,同時(shí)VS1和 VS2兩個(gè)開關(guān)管的軟開關(guān)也必須在該死區(qū)內(nèi)完成。這是一種最簡易的Buck電路軟開關(guān)電路,與硬開關(guān)的Buck電路相比,此電路與之的區(qū)別在于,在兩個(gè)開關(guān)管漏源極兩端并聯(lián)有二極管和電容器,硬開關(guān)的Buck電路最大的問題在于開通時(shí),開關(guān)管上升的電流和下降的電壓出現(xiàn)重疊;關(guān)斷時(shí),上升的電壓和下降的電流出現(xiàn)重疊。開關(guān)損耗正是來源于電壓、電流波形的交疊,并且該損耗隨開關(guān)頻率的提高而以倍數(shù)增加。采用此種設(shè)計(jì)的電路之后,通過諧振充放電,可以使得開關(guān)管在每一個(gè)觸發(fā)脈沖到來之前電壓放電到零,具體工作情況的分析如下。 file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A14.tmp.jpg 圖2.6 主要工作波形 開關(guān)電路按周期重復(fù)的工作,分析起點(diǎn)的選擇很重要,選擇合適的起點(diǎn),可以簡化分析過程[5]。在分析此零電壓導(dǎo)通準(zhǔn)諧振電路時(shí),選擇開關(guān)管VS1開通時(shí)刻為分析的起點(diǎn)最為合適[6],下面結(jié)合圖2.6逐段分析電路的工作過程。 一個(gè)工作周期分為6個(gè)階段,其工作過程如下: (1)第1階段[t0-t1] VS1導(dǎo)通,此時(shí)電路由輸入電壓Vin,開關(guān)管VS1,電感L,濾波電容Co和負(fù)載Ro組成,電感上在輸入電壓到來后,進(jìn)入充電狀態(tài),VS1兩端電壓為零,VS2兩端電壓為最大,電感電流iL線性增加,由負(fù)值變?yōu)檎担瑸槭裁词菑呢?fù)值變成正值,看過后面的分析你就會(huì)明白,在t1時(shí)刻,VS1關(guān)斷,電感電流到達(dá)一個(gè)最大值,該階段結(jié)束,由此在電感上就儲(chǔ)蓄有一定的能量,表現(xiàn)在電感電流較大上。 (2)第2階段[t1-t2] VS1關(guān)斷后,此時(shí)電路由輸入電壓Vin,結(jié)電容C1,結(jié)電容C2,電感L,濾波電容Co,負(fù)載Ro組成。電感電流iL為正且為最大,VS2的結(jié)電容C2通過電感L放電,這正好符合了電流本來流動(dòng)的方向,因此電感電流iL會(huì)線性下降,由于是VS2的結(jié)電容C2放電,電感電流減小,同時(shí)由于電感電流的存在,VS1的結(jié)電容C1被充電,結(jié)電容C1兩端的電壓線性上升,VS2的漏源電壓近似線性下降,直到VS2的漏源電壓下降到零,該階段結(jié)束。在這一過程中,L和C1,C2形成諧振回路,C2放電,C1充電,為VS2的零電壓開通提供條件,這時(shí)必須要滿足的條件的充放電的時(shí)間一定要合理,即一定要滿足在死區(qū)時(shí)間內(nèi)完成C2兩端電壓下降到零的要求,否則無法實(shí)現(xiàn)VS2的軟開關(guān)。 (3)第3階段[t2-t3] 此時(shí)電路由電感L,濾波電容Co,負(fù)載Ro,VS2的反并二極管D2構(gòu)成,D2為VS2的反并聯(lián)二極管。當(dāng)VS2漏源電壓下降至零后,自然而然VS2反并二極管D2導(dǎo)通,電流換流到D2上,電容C2被短路,將VS2漏源電壓鉗位在零電壓狀態(tài),為VS2的零電壓導(dǎo)通創(chuàng)造了條件,在這里要實(shí)現(xiàn)軟開關(guān),必須滿足的條件是能在短時(shí)間內(nèi),即在死區(qū)時(shí)間內(nèi)讓VS2的兩端電壓到零,如果在觸發(fā)脈沖到來的時(shí)候VS2兩端的電壓還不能到零的話,就不能實(shí)現(xiàn)VS2的軟開關(guān)。 (4)第4階段[t3-t4] 此時(shí)電路由電感L,濾波電容Co,負(fù)載Ro,開關(guān)管VS2組成。當(dāng)VS2的門極變?yōu)楦唠娖郊从|發(fā)脈沖到來時(shí),VS2能夠?qū)崿F(xiàn)零電壓開通,在本設(shè)計(jì)中,均是實(shí)現(xiàn)零電壓開通,因?yàn)橐话愕能涢_關(guān)分為兩種,零電壓開通型和零電流關(guān)斷型,要同時(shí)滿足這兩種類型的電路還有待進(jìn)一步地研究發(fā)現(xiàn)。iL流過VS2,此時(shí)輸入電壓端與工作電路隔離開,已經(jīng)不再起任何作用了,電感電流iL繼續(xù)線性減小,直到變?yōu)樨?fù)值,到這里就必須要解釋一下為什么要使得電感電流到達(dá)負(fù)值,而為什么電感電流又能到達(dá)負(fù)值,因?yàn)樵谝话愕恼G闆r下,Buck電路只能工作在CCM(電感電流連續(xù),每個(gè)周期內(nèi)不到零點(diǎn))和DCM(電感電流斷續(xù))的兩種模式下,為什么在這個(gè)電路中會(huì)出現(xiàn)電感電流為負(fù)值的情況,如果注意到電路中的兩個(gè)MOSFET兩端反并聯(lián)的電容和二極管就不難發(fā)現(xiàn)答案,它們能提供反向電感電流的正向及反向通路,之所以需要電感電流反向,是因?yàn)槿绻环聪颍筒荒苄纬蒝S1兩端并聯(lián)電容的放電回路,沒有放電回路就不能實(shí)現(xiàn)VS1兩端電壓到零,就不能實(shí)現(xiàn)軟開關(guān),這就是原因所在,之后VS2關(guān)斷,該階段結(jié)束。 (5)第5階段[t4-t5] 此時(shí)電路由輸入電壓Vin,結(jié)電容C1,結(jié)電容C2,電感L,濾波電容Co,負(fù)載Ro組成,此時(shí),電感電流iL方向?yàn)樨?fù),如前所述,正好可以為VS1的結(jié)電容C1提供放電回路,于是VS1的結(jié)電容C1通過L放電,同時(shí)電感電流對(duì)VS2的結(jié)電容C2充電,同VS2的結(jié)電容C2的放電過程相類似,VS1的兩端電壓可近似為線性下降。該階段結(jié)束于VS1的電壓下降到零,這一過程為VS1的零電壓導(dǎo)通提供了條件。 (6)第6階段[t5-t6] 由于 VS1兩端電壓下降到零,導(dǎo)致VS1的反并二極管D1開通,將VS1的兩端電壓固定在零,為VS1的零電壓導(dǎo)通創(chuàng)造了條件,兩個(gè)開關(guān)的軟開關(guān)過程都必須是在死區(qū)時(shí)間內(nèi)完成,并聯(lián)電容起到充放電的作用,反并二極管起到將電壓鉗位在零的作用。 接著VS1在柵極觸發(fā)脈沖到來時(shí),VS1零電壓條件下導(dǎo)通,實(shí)現(xiàn)軟開關(guān),進(jìn)入下一周期,周而復(fù)始。那么到底要滿足怎樣的條件才能真正地實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)?下面進(jìn)入?yún)?shù)分析,公式推導(dǎo)階段。 綜上所述,Imin對(duì)結(jié)電容C1,C2充放電情況決定VS1的軟開關(guān)條件,而同樣,Imax對(duì)C1,C2充放電情況決定了VS2的軟開關(guān)條件。L,C1,C2的諧振充放電情況將直接影響軟開關(guān)的實(shí)現(xiàn)條件,而它們的充放電情況又由Imin和Imax決定,所以說Imin與Imax的大小將直接影響軟開關(guān)的實(shí)現(xiàn)難易程度。 進(jìn)入計(jì)算分析階段,其中: Imax=file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A15.tmp.png+Io= file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A16.tmp.png+Io 式(2.1) Imin=file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A27.tmp.png-Io= file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A28.tmp.png-Io 式(2.2) ΔI=file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A29.tmp.png 式(2.3) 要實(shí)現(xiàn)VS2的軟開關(guān),根據(jù)能量大小關(guān)系,必須滿足讓C2上的電壓諧振到零,即為: file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A2A.tmp.png(C1+C2)Vin 2file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A2B.tmp.pngfile:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A2C.tmp.pngL|file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A2D.tmp.png+Io| 2 式(2.4) 為了更加便于計(jì)算,考慮到死區(qū)時(shí)間很小,再近似為死區(qū)時(shí)間內(nèi)iL保持不變,根據(jù)電量大小關(guān)系可以將VS2的軟開關(guān)條件簡化為: (C1+C2)Vinfile:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A2E.tmp.png|file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A2F.tmp.png+Io| tdead2 式(2.5) VS2開通前的死區(qū)時(shí)間為tdead2 同理可推導(dǎo)出VS1軟開關(guān)條件為: (C1+C2)Vinfile:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A30.tmp.png|file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A31.tmp.png-Io|tdead1 式(2.6) VS1開通前的死區(qū)時(shí)間為tdead1 在得到(2.5)(2.6)這兩個(gè)重要公式后,如何進(jìn)行參數(shù)計(jì)算是個(gè)難點(diǎn),因?yàn)槔锩娴奈粗刻啵?jīng)過各種搜集查證,如何實(shí)現(xiàn)這個(gè)公式,首先應(yīng)該設(shè)置一些參數(shù),再根據(jù)已經(jīng)設(shè)置好的參數(shù),通過限制約束條件來計(jì)算另外的一些參數(shù),從而才能滿足(2.5)(2.6)這兩個(gè)重要的公式,從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)管VS1和VS2的軟開關(guān)。 2.3 參數(shù)計(jì)算與設(shè)置設(shè)輸入電壓Vin=48V,f=200kHz(T=5us),tdead1=tdead2=0.5us,R=3.8file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A32.tmp.png,D=0.4, 如何計(jì)算所有的參數(shù)是個(gè)難點(diǎn),得一步一步來。 首先要明確,在tdead1=tdead2的情況下,只要所選取的參數(shù)能滿足(2.6)式就一定能滿足(2.5)式,所以雖然看著是兩個(gè)條件,其實(shí)只需要針對(duì)(2.6)即可。 其次,要明確,此電路要實(shí)現(xiàn)軟開關(guān),需要滿足的一個(gè)重要條件是電路的電感值L不能過大,即不能讓電路工作在電流連續(xù)的情況下,而讓電路工作在DCM(電感電流斷續(xù))狀態(tài)下,而需要滿足的條件應(yīng)為: file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A33.tmp.png<1-D 式(2.7) 此時(shí),D=0.4,R=3.8file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A34.tmp.png,T=5us,經(jīng)計(jì)算可得L<5.7uH,不妨取L=2uH。再將設(shè)定的條件代入(2.6)式進(jìn)行計(jì)算,接著為了方便計(jì)算近似處理C1=C2=C 原式可變?yōu)椋?/div> 2C×48file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A35.tmp.png|file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A45.tmp.png-file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A46.tmp.png|×0.5×10-6 式(2.8) 計(jì)算得Cfile:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A47.tmp.png4.8×104pF 因此可取C1=C2=1000pF Vin=48V,L=2uH,C1=1000pF,C2=1000pF,D=0.4,T=5us,tdead1=0.5us,tdead2=0.5us,R=3.8file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\wps1A48.tmp.png,C=470uF其中,C是濾波電容,取值較大,是參考的有關(guān)資料。
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