本帖最后由 zl2168 于 2018-3-18 19:20 編輯
實例49 讀寫AT24C02
先Proteus仿真一下,確認有效。
有關(guān)AT24Cxx頁寫緩沖的概念說明如下: 由于E2PROM的半導(dǎo)體工藝特性,對E2PROM的寫入時間需要5~10ms,但AT24Cxx系列串行E2PROM芯片內(nèi)部設(shè)置了一個具有SRAM性質(zhì)的輸入緩沖器,稱為頁寫緩沖器。CPU對該芯片寫操作時,AT24Cxx系列芯片先將CPU輸入的數(shù)據(jù)暫存在頁寫緩沖器內(nèi),然后,慢慢寫入E2PROM中。因此,CPU對AT24Cxx系列E2PROM一次寫入的字節(jié)數(shù),受到該芯片頁寫緩沖器容量的限制。頁寫緩沖器的容量為16B,若CPU寫入字節(jié)數(shù)超過芯片頁寫緩沖器容量,應(yīng)在一頁寫完后,隔5~10ms重新啟動一次寫操作。
以上摘自張志良編著《 80C51單片機仿真設(shè)計實例教程——基于Keil C和Proteus》清華大學出版社ISBN 978-7-302-41682-1,內(nèi)有常用的單片機應(yīng)用 100案例,用于仿真實驗操作,電路與程序真實可靠可信可行。書中電路和程序設(shè)計有詳細說明,程序語句條條有注解。 |