STM8S單片機(jī)芯片內(nèi)部也集成有EEPROM，容量從640字節(jié)到2K字節(jié)。最為特色的是，在STM8單片機(jī)中，對(duì)EEPROM的訪問(wèn)就象常規(guī)的RAM一樣，非常方便。EEPROM的地址空間與內(nèi)存是統(tǒng)一編址的，地址從004000H開(kāi)始，大小根據(jù)不同的芯片型號(hào)而定。
當(dāng)然如果有外部EEPROM，自然是不會(huì)使用到內(nèi)部的EEPROM的。但小東西也有大用途，例如做無(wú)線應(yīng)用時(shí)，減少成本的情況下，還能保存一些特定設(shè)置，如：休眠時(shí)間，工作頻率，輸出功率，密碼等。
EEPROM的3種編程模式：
l 字節(jié)編程 (沒(méi)有擦除操作)
可對(duì) EEPROM的數(shù)據(jù)區(qū)域進(jìn)行逐字地編程。應(yīng)用程序直接向目標(biāo)地址寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
l 字編程
EEPROM允許字編程（一次編程4個(gè)字節(jié)），從而縮短EEPROM的編程時(shí)間。
l 塊編程 (沒(méi)有擦除操作)
EEPROM塊編程操作允許一次對(duì)整個(gè)塊(64個(gè)字節(jié))進(jìn)行編程，整個(gè)塊在編程前被自動(dòng)擦除。但塊編程操作一定要在RAM中運(yùn)行。
下面以字節(jié)編程進(jìn)行講解：
實(shí)驗(yàn)平臺(tái)：stm8s103k3 + stlink
在stm8s_flash.h中：
#if defined (STM8S103) || defined(STM8S903)
#define FLASH_PROG_END_PHYSICAL_ADDRESS ((uint32_t)0x9FFF)
#define FLASH_PROG_BLOCKS_NUMBER ((uint16_t)128)
#define FLASH_DATA_START_PHYSICAL_ADDRESS ((uint32_t)0x004000)
#define FLASH_DATA_END_PHYSICAL_ADDRESS ((uint32_t)0x00427F)
#define FLASH_DATA_BLOCKS_NUMBER ((uint16_t)10)
#define FLASH_BLOCK_SIZE ((uint8_t)64)
#endif
從這里可以看出，eeprom的地址為0x004000~0x00427F，這段地址分為10個(gè)Block，每個(gè)Block有64個(gè)Byte,總?cè)萘繛?40Byte.
關(guān)于2個(gè)秘鑰在stm8s_flash.h中已經(jīng)定義：
#define FLASH_RASS_KEY1 ((uint8_t)0x56)
#define FLASH_RASS_KEY2 ((uint8_t)0xAE)
中文數(shù)據(jù)手冊(cè)上KEY1和KEY2的定義與代碼一致，但是英文數(shù)據(jù)手冊(cè)上KEY1為0x56和KEY1為）0XAE.暫且不討論誰(shuí)搞反了，以代碼為準(zhǔn)吧！
首先要初始化EEPROM：
我們?cè)趀eprom.h中定義：
typedef enum{
#if defined(STM8S103) || defined(STM8S003) || defined(STM8S903)
Block_0=0x4000,
Block_1=0x4040,
Block_2=0x4080,
Block_3=0x40C0,
Block_4=0x4100,
Block_5=0x4140,
Block_6=0x4180,
Block_7=0x41C0,
Block_8=0x4200,
Block_9=0x4240
#endif
}BlockStartAddress_TypeDef; //分塊存數(shù)，方便讀寫(xiě)操作！
在eeprom.c中初始化：
初始化操作步驟：
1. 設(shè)定編程時(shí)間。FIX=1為標(biāo)準(zhǔn)編程時(shí)間（一般一次編程時(shí)間為6ms）。如果EEPROM被擦除過(guò)并且FIX=0，那么變成時(shí)間為標(biāo)準(zhǔn)編程時(shí)間的一半（一般為3ms）。
2. 向FLASH_DUKR寄存器連續(xù)寫(xiě)入兩個(gè)MASS密鑰值來(lái)解除DATA區(qū)域的寫(xiě)保護(hù)。
第一個(gè)硬件密鑰：0b0101 0110 (0x56)
第二個(gè)硬件密鑰：0b1010 1110 (0xAE)
如果第二個(gè)秘鑰匹配正確，F(xiàn)LASH_IAPSR的DUL位自動(dòng)置位。
3. 等待DATA EEPROM區(qū)解鎖。
void EEPROM_Init()
{
FLASH_SetProgrammingTime(FLASH_PROGRAMTIME_TPROG);
// 注意順序： FLASH_DUKR = 0xAE為Key2 ，F(xiàn)LASH_DUKR = 0x56;為Key1
FLASH_Unlock( FLASH_MEMTYPE_DATA);
//如果第二個(gè)秘鑰正確，F(xiàn)LASH_IAPSR_DUL=1；
//直到FLASH_IAPSR_DUL由硬件置位，才跳出while循環(huán)
while((FLASH->IAPSR & FLASH_IAPSR_DUL) == 0);//等待DATA EEPROM區(qū)解鎖
}
FLASH_Unlock函數(shù)原型在stm8s_flash.c中：
void FLASH_Unlock(FLASH_MemType_TypeDef FLASH_MemType)
{
assert_param(IS_MEMORY_TYPE_OK(FLASH_MemType));
if (FLASH_MemType == FLASH_MEMTYPE_PROG)
{
FLASH->PUKR = FLASH_RASS_KEY1;
FLASH->PUKR = FLASH_RASS_KEY2;
}
else
{
FLASH->DUKR = FLASH_RASS_KEY2;
FLASH->DUKR = FLASH_RASS_KEY1;
}
}
在main.c中，你就可以進(jìn)行擦除，讀，寫(xiě)操作了！
FLASH_EraseByte(uint32_t Address); // 擦除某地址的一個(gè)字節(jié)
FLASH_ProgramByte(0x4001,0x08); //寫(xiě)入一個(gè)字節(jié)
while((FLASH_IAPSR & 0x04) != 0x00); //直到EOP=1，EEPROM編程結(jié)束
Rdat= FLASH_ReadByte(0x4000); // 讀出某地址的一個(gè)字節(jié)
