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SRAM外部數據存儲器擴展實驗

作者:佚名   來源:本站原創   點擊數:  更新時間:2010年06月13日   【字體:

一、實驗目的

1.掌握89C51單片機擴展外RAM的方法
2.了解靜態RAM使用方法
 
二、實驗說明
MCS-51型單片機內有128B的RAM,只能存放少量數據,對一般小型系統和無需存放大量數據的系統已能滿足要求。對于大型應用系統和需要存放大量數據的系統,則需要進行片外擴展RAM。
MCS-51型單片機在片外擴展RAM的地址空間為0000H~FFFFH共64KB。讀寫外RAM時用MOVX指令,用RD選通RAM OE端,用WR選能RAM WE端。

擴展外RAM芯片一般采用靜態RAM(SRAM),也可根據需要采用E2PROM芯片或其他RAM芯片。本實驗使用SRAM 6264芯片進行片外RAM擴展。6264具有8KB空間,因此它需要13位地址(A0~A12),使用P0、P2.0~P2.3作為地址線,P2.7作為片選線。6264的全部地址空間為0000H~1FFFH。

6264芯片引腳圖及管腳功能介紹:
D0D7:數據線
A0A12:地址線
WE:寫允許,低電平有效
OE:讀允許,低電平有效
CS1、CS2:片選端,CS1低電平有效,CS2高電平有效
 
三、實驗內容與步驟
單片機在SRAM中填入不斷增加的數值:0,1,2,3到9,然后再從0開始,共填入256個字節。然后把這些字符一個個類似串行方式在8位LED以二進制顯示。從左邊間隔1秒的方式不斷進入,滾動顯示。
1、單片機最小應用系統的 P0口接SRAM的D0~D7口,單片機最小應用系統的Q0~Q7口接SRAM的A0~A7口,單片機最小應用系統的 P2口接SRAM的A8~A12口,單片機最小應用系統的RD、WR、P2.7分別接SRAM的OE、WE、CS1,單片機最小應用系統的P1口接八位邏輯電平顯示的JD10,仿真器與PC機用串口線連接,打開相關模塊電源。
2、用串行數據通信線連接計算機與仿真器,把仿真器插到模塊的鎖緊插座中,請注意仿真器的方向:缺口朝上。
3、打開Keil uVision2仿真軟件,首先建立本實驗的項目文件,接著添加“SRAM.ASM”源程序,進行編譯,直到編譯無誤。
4、編譯無誤后,運行程序邏輯電平顯示0—9二進制數來回顯示。
5、也可以把源程序編譯成可執行文件,把可執行文件用ISP燒錄器燒錄到89S52/89S51芯片中運行。(ISP燒錄器的使用查看AT89s51編程器制作方法
 
四、流程圖
 

開 始
初始化地址參數
0~9到SRAM
寫完256個
串行顯示
 

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