熱門： 51單片機(jī) | 24小時(shí)必答區(qū) | 單片機(jī)教程 | 單片機(jī)DIY制作 | STM32 | Cortex M3 | 模數(shù)電子 | 電子DIY制作 | 音響/功放 | 拆機(jī)樂園 | Arduino | 嵌入式OS | 程序設(shè)計(jì)
熱門： 51單片機(jī) | 24小時(shí)必答區(qū) | 單片機(jī)教程 | 單片機(jī)DIY制作 | STM32 | Cortex M3 | 模數(shù)電子 | 電子DIY制作 | 音響/功放 | 拆機(jī)樂園 | Arduino | 嵌入式OS | 程序設(shè)計(jì)
|
發(fā)布時(shí)間: 2017-3-28 10:27
正文摘要:功率MOSFET的Coss會(huì)產(chǎn)生開關(guān)損耗，在正常的硬開關(guān)過(guò)程中，關(guān)斷時(shí)VDS的電壓上升，電流ID對(duì)Coss充電，儲(chǔ)存能量。 在MOSFET開通的過(guò)程中，由于VDS具有一定的電壓，那么Coss中儲(chǔ)能的能量將會(huì)通過(guò)MOSFET放電，產(chǎn)生損耗。 ... |
Powered by 單片機(jī)教程網(wǎng)
組圖打開中，請(qǐng)稍候......
收藏
頂
踩
