| len一般是長度吧，看函數名應該是頁寫，但是可以一次寫好幾頁吧。 |
哈嘍，現在是2024年 |
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本帖最后由 zl2168 于 2016-8-3 20:51 編輯 而且，若不是從頁寫緩沖器頁內零地址0000寫起，一次寫入地址超出頁內最大地址1111時，也將出錯。例如，若從頁內地址0000寫起，一次最多可寫16字節；若從頁內地址0010寫起，一次最多只能寫14字節，若要寫16字節，超出頁內地址1111，將會引起地址翻卷，導致出錯。 以上摘自張志良編著《80C51單片機實用教程》ISBN978-7-04-044532-9，高教社出版。 實驗18 讀寫AT24C02 書中電路和程序設計有詳細說明，程序語句條條有注解。 歡迎咨詢，zzlls@126.com |
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本帖最后由 zl2168 于 2016-8-3 20:50 編輯 由于E2PROM的半導體工藝特性，對E2PROM的寫入時間需要5～10ms，但AT24Cxx系列串行E2PROM芯片內部設置了一個具有SRAM性質的輸入緩沖器，稱為頁寫緩沖器。CPU對該芯片寫操作時，AT24Cxx系列芯片先將CPU輸入的數據暫存在頁寫緩沖器內，然后，慢慢寫入E2PROM中。因此，CPU對AT24Cxx系列E2PROM一次寫入的字節數，受到該芯片頁寫緩沖器容量的限制。頁寫緩沖器的容量為16B，若CPU寫入字節數超過芯片頁寫緩沖器容量，應在一頁寫完后，隔5～10ms重新啟動一次寫操作。 以上摘自張志良編著《80C51單片機實用教程》ISBN978-7-04-044532-9，高教社出版。 實驗18 讀寫AT24C02 書中電路和程序設計有詳細說明，程序語句條條有注解。 歡迎咨詢，zzlls@126.com |
| 可以是20字節啊，你只有在寫FLASH的時候 有頁的劃分 |
| 頁的定義在不同的環境（IC不同，協議不同，等等……）下是不同的，所以不確定。 |
| 不知道問什么 |
組圖打開中，請稍候......
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