大電流，小體積，到了一定的極限要求就像魚和熊掌不可兼得了。建議從設計方案一開始就要考慮PCB面積，器件體積和性能指標的匹配度。

持續(xù)30A, 你最好要用散熱器(鋁/銅).

你選的這種封裝,不容易加散熱器. 你可以用多片并聯(lián)的方式, 用5個并聯(lián),每個就才1W左右的功耗.
你也可以選擇,容易加散熱的封裝如TO-220 TO-247
如: TO-247 不加散執(zhí)器  大約 40度/W   加散熱 0.5度/W

多個MOS并聯(lián), 主要原因是二個方面,一個是解決散熱問題(溫度升高, 導通電阻增大),另一個才是電流原因.

PMOS的工藝決定了導通能力比NMOS弱，特別是高壓PMOS的內阻更差

QWE4562012 發(fā)表于 2025-1-14 20:33
你好  那怎么選呢 告訴一下方法

要看你的實際應用。考慮使用環(huán)境、散熱情況和器件自身，算出散熱面積，或者采用最直接的方法，直接試，用點溫計測量溫升。溫升+最高環(huán)境溫度不能超過結溫。如果超過了，就想辦法散熱或換器件

liuzanshui 發(fā)表于 2025-1-14 08:48
這個MOS在VGS=-10V, ID=-15A時，導通電阻5.5mΩ，夠小了。30A電流，消耗功率4.95W。這種封裝，熱阻約50℃/W ...

你好  那怎么選呢 告訴一下方法

封裝越小，散熱越差，大電流還是用TO-220之類的封裝，加散熱器。

這個MOS在VGS=-10V, ID=-15A時，導通電阻5.5mΩ，夠小了。30A電流，消耗功率4.95W。這種封裝，熱阻約50℃/W，也就是說，溫升約250W，肯定不行。如果VGS=-4.5V, ID=-10A，導通電阻最大到11.3mΩ，那么溫升可達到500多度。。。換成更小的體積，溫升只會更高。器件不是這么選的

藍藍小星星 發(fā)表于 2025-1-12 19:36
你需要多大的電流？體積大可以裝載更大的晶圓，如果使用小管子，只能多個管子并聯(lián)。

持續(xù)電流30A

你需要多大的電流？體積大可以裝載更大的晶圓，如果使用小管子，只能多個管子并聯(lián)。