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防反接二極管導(dǎo)致采集電壓不準(zhǔn)的問(wèn)題

查看數(shù): 2451 | 評(píng)論數(shù): 8 | 收藏 0
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發(fā)布時(shí)間: 2025-1-5 10:47

正文摘要:

請(qǐng)教大家, MCU ADC采集電壓取在C1后面, 當(dāng)接入負(fù)載后(負(fù)載是一個(gè)DCDC電源板驅(qū)動(dòng)LED燈珠)。 發(fā)現(xiàn)接入負(fù)載后采集的電壓就會(huì)升高0.3V,萬(wàn)用表量也確實(shí)升高了0.3V。而把采集點(diǎn)放在D1前就沒(méi)有這個(gè)問(wèn)題。 懷疑是不是D ...

回復(fù)

ID:705846 發(fā)表于 2025-1-7 12:57
coody_sz 發(fā)表于 2025-1-6 13:13
從VIN采樣,ZD3不要用。

ZD3不用,萬(wàn)一出現(xiàn)過(guò)壓,不就燒掉IO 口
ID:940483 發(fā)表于 2025-1-6 15:22
在采樣點(diǎn)前增加一個(gè)低通濾波器
ID:1034262 發(fā)表于 2025-1-6 13:13
從VIN采樣,ZD3不要用。
ID:446156 發(fā)表于 2025-1-6 09:13
把完整電路貼出來(lái)
ID:879348 發(fā)表于 2025-1-6 08:43
是因?yàn)闃?gòu)成了boost升壓電路拓?fù)洌@種情況電壓會(huì)隨著電流變化升高而不是降低
ID:705846 發(fā)表于 2025-1-5 17:05
xiaobendan001 發(fā)表于 2025-1-5 15:11
D1并聯(lián)一個(gè)高頻電容?

原因是什么呢。串個(gè)多大的高頻電容呢。謝謝。
ID:1109793 發(fā)表于 2025-1-5 15:11
D1并聯(lián)一個(gè)高頻電容?
ID:1110945 發(fā)表于 2025-1-5 14:26
可以考慮用MOS管構(gòu)建防反接電路,電路設(shè)計(jì)的好的話(huà)就可以完美解決這個(gè)問(wèn)題。

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