|
發布時間: 2024-7-18 22:36
正文摘要:電路想過30安電流，用4個pmos并聯，現在實測用24安不到的電流，溫度一直能升到150度，求問，是否驅動電路有問題？ mos用的這款 |
君工創 發表于 2024-8-7 08:57 目前只短暫測試了一下，30安左右，裸露空氣中，54度左右。 |
和我的問題差不多 |
| 請問樓主，改成現在這樣的電路，會不會過熱？ |
coody_sz 發表于 2024-8-3 10:19 這個寫錯了，不是這個mos |
|
你電路圖用的AOD409，但是我手上的參數跟你貼測差別很大，60V 26A，40mR @VGS=10V。 |
| 這個是pmos,D1是穩壓管。 |
Y_G_G 發表于 2024-7-27 22:07 D1是12伏穩壓管 |
| 如果不是PWM控制，只是簡單開和關繼電器才是最優的，價格便宜，損耗小，不需要散熱器。 |
wifen 發表于 2024-7-22 21:44 既然不是PWM控制,那你這個電路原理是沒有問題的了 現在就看你PCB有沒有好的散熱和MOS引腳有沒有畫對,D1方向是不是對的,VGS的電壓是多少,檢查一下封裝,有時候會把P溝道的封裝搞錯 |
Y_G_G 發表于 2024-7-25 11:59 不是pwm的電路 |
|
首先,你要先告訴我們,這是不是PWM控制,如果是PWM你這個電路是肯定不行的,要上驅動電路了 如果不是PWM,而只是開和關而已,你這個電路是沒有問題的,而且,我感覺你第一個電路也不會有太大問題,MOS管的溫度都不應該到150度 按照你的電流,這不過也就5W左右的功耗,除非你是半點散熱的走線都沒有,而且,這還是6個管子的總功耗,你分到每個管子,也就1W左右 |
wufa1986 發表于 2024-7-22 09:04 你這算錯了吧 ，i² x r |
wufa1986 發表于 2024-7-22 09:04 我測試下來用6個管子有56度 |
| 如果你不是pwm控制沒問題啊，按道理一個足夠了，按發熱功率0.0046*30=0.138W，用一個管子也應該只有50度不到 |
| 你這驅動問題很大，雖然MOS是電壓控制，但是柵源電容比較大，你的R2電阻太大了，導致RC充電常數太大不能快速進入導通狀態，所以發熱。你用個500歐左右的因該就可以了。不知道驅動信號是哪里來，如果最大24V,R3也要適當減小一些，弄個3.3K左右,如果5V驅動信號，那就用510歐 |
zch5200 發表于 2024-7-19 17:13 不用R1，直接在R1位置改為12伏的穩壓管呢？ |
coody_sz 發表于 2024-7-19 22:18 這里電阻分壓為12伏 |
|
如果是靜態驅動，不會那么發熱的，有點溫熱正常。 如果是PWM驅動，則速度不夠，上驅動IC吧。 最后，你的柵壓24V，確定安全？一般不超過15V，典型值用12V為好。 |
wifen 發表于 2024-7-19 13:44 R1上并12V穩壓管，電路開啟的時候電流經穩壓管有足夠的電流驅動MOS管，關閉的時候R1的作用是提高G極電壓而關斷MOS管。PMOS和NMOS 一樣 驅動也要電流的。穩壓管的作用很大的 可以鉗位G極電壓不會電壓波動時超過20V而損壞MOS管。 |
| 要做均流控制或者把每個PMOS的ID額定電流放寬到100A |
| 現在R1 R2更換為1K 電阻，發熱問題解決，看來是驅動電流不夠，mos沒有完全開啟 |
zch5200 發表于 2024-7-19 08:27 R1上為什么并12伏的穩壓管 |
| 注意電路阻抗，三極管增加散熱片 |
| R1與R2是分壓12伏用來驅動mos，給vgs電壓的。所以阻值相等情況下才會有-12v,我試試看改R1和R2 改1k看看。 |
| 可以測一下MOS在導通狀態下的阻值，或者是過24A時MOS DS端的壓降，應該是MOS沒完全導通 |
|
因為是不是PWM 10歐可能小了, 可以改為300~510歐, 這個是防止自激振蕩. 越大越穩定. 每個管子G,S間可以考慮加穩壓二極管,18V. 這時R2可以改為1K. 還有管子的封裝和散熱. 有的封裝在沒有大散熱器的情況下, 可能每W溫升幾十度. |
| MOS管可能沒有完全導通； 把R2換成100歐姆試試； |
| 如果是PWM驅動，肯定有問題 |
| MOS管的驅動電流不夠的話會發熱，R1和R2改成1K，或者R1上并聯個12V的穩壓管 |
| R2改為5K，試試。 |
| 沒有問題，只是電流過大導致的正常過熱，注意安全，應該多并幾路mos |
組圖打開中，請稍候......
收藏
頂
踩
