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發布時間: 2024-7-6 10:27
正文摘要:實驗室測試電流25A，MOS最高溫度在125度,在75度環境下測試，工作正常；但是到了光伏現場，電流在18A左右，外殼就鼓包了，肯定是MOS管發熱嚴重，然后拆下來，發現MOS已經燒掉了 |
| 現在換了單MOS，還是會發生過熱燒毀的現象，電流只有15A左右,mos用的是NCEP039N10D |
| 100%是過熱，爆掉的。過熱原因自己找。 |
| 在實驗室的時候測試過，GS端電壓11.7V，應該是沒有的問題的，但是到了現場，這個就有點不好說了 |
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很明顯，驅動電壓不夠啊。 MOS是電壓驅動器件。當Vgs電壓不足以使其完全導通時，就成了放大電路了。 重點檢查Vgs驅動電壓，看這電路，用一個萬用表應該就可以檢查出來。往往是10K下拉電阻的問題。 |
yaosongjin 發表于 2024-8-9 12:00 MOS溫度=環境溫度+自生發熱溫度，環境溫度70左右，MOS溫度測量是103度，那么發熱溫度大概就是30多度，應該是正常的吧 |
| 在實驗室測試時MOS溫度這么高就說明有問題了吧 |
藍藍小星星 發表于 2024-7-19 16:58 同一批的MOS，用穩壓電源測試，同樣的電流，沒有問題，所以不存在假貨的說法 |
炸掉的電容 發表于 2024-7-15 16:35 不是這里 |
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MOS管在光伏現場出現燒毀的情況，而實驗室測試時則正常，這個問題可能是由以下幾個因素引起的： 1. **環境溫度差異**：實驗室的環境溫度通常比現場環境要低。MOS管在更低的環境溫度下工作時，其熱應力較小，不容易達到過熱的狀態。在光伏現場，由于外部環境（如太陽輻射、空氣溫度）較高，MOS管在相同的電流下產生的熱量可能超出其在實驗室條件下的預期，導致過熱。 2. **散熱條件差異**：在實驗室，MOS管可能有良好的散熱條件，比如有效的散熱片、風冷或水冷系統，能夠及時將熱量散發出去。但在現場環境下，散熱條件可能受限，比如部件周圍的溫度高，周圍介質的熱阻大，或者沒有充分的散熱措施，導致熱量積累，引發過熱。 3. **電流分布差異**：在光伏系統中，電流的分布情況可能與實驗室測試時不同。光伏陣列在高負載時，電流可能會更加集中或分布不均，這可能會導致MOS管局部過熱。而實驗室測試時，電流分布可能較為均勻，熱應力分布也更加合理。 4. **電壓波動**：光伏系統的電壓可能會因為光照強度、負載變化等外部因素而波動。在極端條件下，電壓波動可能會導致MOS管的工作條件不理想，進一步增加其發熱。 5. **MOS管選型或參數不匹配**：實驗室測試時可能使用的是在更低熱應力環境下的工作參數，而在現場環境下，MOS管需要承受更高的熱應力。如果MOS管的選型或參數設計不充分考慮現場環境的實際情況，可能會導致其在實際使用中過熱。 6. **封裝和安裝問題**：現場環境下，MOS管的封裝和安裝方式可能沒有實驗室那么嚴格或有效。封裝材料的熱導性、散熱路徑的完整性都可能影響MOS管的散熱效果。 解決這個問題，可以考慮以下措施： - **優化散熱設計**：在MOS管周圍增加有效的散熱材料或加大散熱面積，確保足夠的熱交換。 - **使用更耐熱的MOS管**：選擇在高溫環境下具有更好熱性能的MOS管，或者使用更高效能的散熱解決方案。 - **監測和控制環境溫度**：在可能的情況下，減少高溫的影響，比如通過遮陽、優化設備布局等方式減少外部熱源的影響。 - **優化電流管理**：確保電流分布均勻，減少局部過熱的風險。 - **定期檢查和維護**：在使用過程中定期檢查MOS管的溫度和狀態，及時發現并處理過熱問題。 通過綜合考慮以上因素，可以有效地減少MOS管在光伏現場使用時的熱應力，提高其使用壽命和可靠性。 |
| 這么多人怎么沒一個懷疑買到假貨，mos假貨泛濫，同等品牌100a的mos，假貨只有1/2電流或更低，更差的是縮水到原有的1/5. |
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樓主我看你圖片是貼了一個合金電阻 按你說的18*18*0.01>3W 這種合金電阻功率一般也就2w 3w的樣子 看看是不是這里 |
ljfljfljf321 發表于 2024-7-15 09:27 可以看看TI、英飛凌或者其他的都有關于這方面的 |
邵123456 發表于 2024-7-15 08:43 關于大功率MOS管的驅動電路設計這塊，您有資料可以推薦下嗎 |
| 大家看看還有什么原因可能導致這種情況的發生 |
ljfljfljf123 發表于 2024-7-14 17:46 期待您的測試結果 |
邵123456 發表于 2024-7-13 22:47 我再測試下，目前根據網友說的意見，暫時先卸掉一個MOS管掛網運行下，看看情況 |
ljfljfljf321 發表于 2024-7-13 16:58 你可以在實驗室測試一下MOS管開通時的Vgs，Vds波形，如果平臺震蕩很嚴重的話，說明在開通時候就已經損傷了，如果你的輸入電壓很高的話，建議選擇慢開通的MOS管，高壓的開通很難做，了解到你不需要管斷MOS，其實大電流的關斷也難做，具體情況需要測試配合平臺震蕩與否去匹配 |
邵123456 發表于 2024-7-13 16:29 燒毀的是遠離輸出的那一個（相對另外一個），有可能MOS管很有可能在開通時就被損壞，因為現場的話沒人巡視，只知道壞了，然后拆開來就是發現固定位置的那個MOS燒掉了 |
邵123456 發表于 2024-7-13 16:29 還有一種情況就是雖然檢流電阻上的電流在18A，MOS管有可能工作在了放大區，導致MOS管的Rdson就很大，此時MOS管上的功率就會很大，所以應該確認一下18A時，MOS管的VDS壓降是多少，判斷MOS管是不是工作在放大區，因為在MOS管的S端接檢流電阻，確實是類似N型三極管的恒流源接法，N型三極管的恒流源三極管是工作在放大區的 |
| 我是對樓主這個問題挺有興趣的，因為最近在搞MPPT電路，所以希望能繼續交流 |
| 看了這么多網友的回復消息，感覺可能忽略了一個問題，雖然你是并聯兩個MOS管，但是沒有性能完全一致的兩個MOS管，除非是在一個晶圓上的，很明顯樓主這是外接的兩個同型號MOS管，而MOS管的輸出電流大概18A左右，所以這里就要求對每個MOS管的驅動電流至少要大于1A，而樓主的最大驅動電流1A是分給兩個MOS管使用，這里不合理，導致開通時間加長，MOS管很有可能在開通時就被損壞（米勒平臺干擾很厲害，可以測試Vgs波形），因為樓主這設計屬于高壓、大電流開通，開通瞬間MOS管上的di/dt是很大的，會瞬間損傷MOS管，兩個并聯損壞程度不同，如果布局不合理的話就會每次都損壞對應位置的MOS，樓主可以關注一下大功率MOS管的驅動電路設計 |
tt2016 發表于 2024-7-11 22:35 不是做PWM開關，MOS常開，詭異的是總是燒同一個 |
| batter R?? |
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mos管燒毀無非2種：1過壓瞬間擊穿，2過熱很快燒毀（過流/Vgs半導通）；分析： 1、過壓：繼電器連接線太長，續流二極管應該靠近繼電器，不然感應電壓可能超限是有可能瞬間擊穿，燒開路就是蹦出一個壞點損壞，擊穿短路管子就是燒毀燒糊狀態； 2.若Vgs偏小或震蕩不穩定，導通電阻可能會急劇增大到2.56W/0.27A²≈35Ω時，發熱就會很嚴重弱散又熱欠佳時就有可能很快會燒毀； 3.自恢復保險PPTC瞬間過流保護能力不足的！往往要好多倍工作電流且好幾秒才能保護，這里燒毀前起不到丁點作用的！ 4.R15/R16值問題：沒有問題！驅動Vgs或泄露足夠的了！ 5.光耦U4問題： 光耦驅動電壓一般為1.2-1.4V,電流一般為5-20mA。而單片機引腳上電默認為準雙向口模式，灌電流可達20mA,但是拉電流只有幾百uA, 那么當引腳輸出1時是不可能正常驅動光耦的。應該該光耦驅動電路為低電平有效控制灌電流方式； 綜合判斷：光耦驅動電路錯誤造成MOS管Vgs未達到正常開關狀態或繼電器連線太長D19續流二極管位置不對等造成的感應過壓或震蕩等等原因，造成MOS管擊穿或燒毀！ |
| 是否在實驗室做過環境測試？環境測試不僅應包括高溫和高濕，還應包括沖擊、振動和機械項目。可以檢查現場環境條件是否與實驗室設置相當。 |
| 這兩個管子是并聯的，看樣子是走負載，不是做PWM開關，EG3001二腳應該是一個持續的高電平吧？但是你說管子熱的錫都化了這點電流應該不至于，你在工作的時候用萬用表測試下這兩個管子的D，S之間的電壓，看看是多少毫伏，如果不是毫伏級別的電壓那就是管子沒導通，如果沒導通那確實會熱化的 |
| EG3001二腳的控制波形是什么樣的，是一個高電平，還是一定頻率的高低電平 |
lzts88 發表于 2024-7-10 10:22 我默認不過載，實際運行電流在15A左右，我測試25A；就像您說的，光伏輸出不穩定，網上查了下，說是2個MOS在通不穩定電流的時候會形成環流，導致嚴重發熱 |
npn 發表于 2024-7-10 13:42 在實驗室恒溫箱測試條件：通25A直流電流，環境溫度70度，8小時通電測試，實測MOS溫度123度，通斷都沒有問題 |
ljfljfljf321 發表于 2024-7-9 08:25 請問這板子是你自己打的嗎? MOS管換TO-220等直插大功率封裝，加鋁片散熱、導熱硅脂與風扇，允許正常溫度范圍見數據手冊。 |
ljfljfljf321 發表于 2024-7-10 09:35 6 OUTS O 驅動輸出吸入端,能吸入 1.2A 的灌電流輸出能力 7 OUTD O 驅動輸出源出端,能源出 1A 的拉電流輸出能力 很明顯需要6和7搭配才能驅動一個mos管，你怎么會設計成驅動2個MOS管呢，你用示波器看看mos的G極波形是不是很差 |
| 都找不到本質, 實驗室沒問題, 應該這電路在這電流就應該沒問題了. 要從外部找原因, 外因就是, 過載了, 因為光伏輸出, 隨外部負載會變化的(如充電, 虧電和滿電的充電電流不一樣, 直接輸進電網, 高峰和谷底電流也不一樣), 知道原因, 再回看電路, 3毫歐電阻是過載檢測然后通過EG3001的SD關斷輸出的, 你把SD直接下地, 就認為永不過載了. 把這部分電路恢復吧 |
wufa1986 發表于 2024-7-9 17:01 我不想打擊你，我這個MOS一般來說不會關斷，這次出問題，也是在開啟狀態，所以你說的關斷時出現關不斷，也許可能存在，但不是現在這個問題的原因  |
| 說了這么多感覺你還是沒明白，不懂就按照規格書電路照搬，不要自作聰明，你這驅動接法完全不對，更神奇的是居然通過測試產品上線了 |
| 不是吧，outd和outs是連在一起的，如果關斷的話，outs直接拉低的 |
| 樓上的都和你給你找出原因了，按你的電路接法，接EG3001的outd的那一路mos管開通沒問題，關斷完全靠10k電阻放電，關斷時間太長，肯定發熱，接outs那一路的mos根本就沒工作。 |
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