從描述來看，方案不會有問題。程序也不會有問題。一定是現在的電路有了問題，和程序不匹配了。導致進入低功耗時，某幾個IO口的配置導致大電流的。需要硬件逐一排查。

單片機休眠了，外圍電路可能才睡醒

應該是外圍電路的問題

不可能是芯片本身產生的電流，最大的可能是休眠時IO的狀態可以驅動外圍電路產生的電流。

要查下IO口的狀態, 是不是把NPN的B拉高了, PNP的B拉低了.導致三極管/mos管等進入導通狀態了.

有些高阻抗的元件（如MOS管的G極）懸空時可能會導通。

單片機工作時對后面電路狀態有個鎖定，一旦單片機休眠，IO口若無上拉或下拉電阻給鎖定電位，后續電路處于隨機開啟狀態，可能是飽和狀態，甚至會自激；還有就是在開啟和關閉的狀態轉換時，突然變化的電平，可能讓電路變得不聽話
找出具體哪個模塊讓電流這么大的；

休眠前要根據實際電路配置IO模式，關閉所有可能耗電的外圍電路。

只有單片機可以休眠，顯然是休眠時IO口狀態讓外圍電路進入高功耗狀態了唄。