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單片機io設置高阻+MOS電路容易燒壞?

查看數: 2986 | 評論數: 15 | 收藏 1
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發布時間: 2022-9-16 17:24

正文摘要:

為了低功耗分壓電阻的電流用MOS關閉,測電壓時打開MOS,但有個問題關閉MOS,24V經過100K電阻到IO口,雖然IO口設置高阻,但還是容易燒壞單片機。不想用PMOS和NMOS組合關斷正極。有什么更簡單的解決辦法嗎 目前有三種 ...

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ID:466250 發表于 2024-6-26 18:01
188610329 發表于 2022-9-19 14:49
不知道你那個MOS管,是用來干什么的……

這個電路用了3年半,從來沒出過問題,IOA測電壓, IOB 控制通斷 ...

你這個電路ioa的電壓肯定是6v以內的,iob關斷后,60v經680k到ioa還是會有電流,iob關不關意義何在?
ID:466250 發表于 2024-6-26 17:59
io內部已經有鉗位二極管,并不能解決燒單片機的問題,加穩壓管或tvs可以解決燒單片機的問題
電路本身是想在睡眠時直接關斷支路降低功耗
所以增加穩壓管和tvs后,并不能低功耗,因為支路電流=(vin-zd)/r
ID:88256 發表于 2024-6-26 16:35
需要那么省電嗎?就算使用電池長期通電,電流才多少?
ID:1045316 發表于 2022-9-20 15:16
MOS管最容易燒的  我覺得dir8870這個不錯
ID:624769 發表于 2022-9-20 14:40
李冬 發表于 2022-9-19 17:21
你用是什么單片機

該方式,51核的多種單片機都用過,都沒有出問題。(當然,前提是支持 開漏,但凡有默認上拉的單片機引腳都不可以)

上面提到的+60V用了3年半的 是用 STC15W408As的 部分電路。(不過,此單片機默認是準雙向,需要保證單片機先通電,改變端口模式后,高電壓再通電,這個設計比較煩,所以后來的項目都是用的默認高阻或者默認開漏的片子。)
ID:420836 發表于 2022-9-20 09:45
可以不用 MOSFET, 保持分壓器不變,或使用雙二極管進行電壓鉗位。
ID:709761 發表于 2022-9-19 17:21
188610329 發表于 2022-9-19 14:49
不知道你那個MOS管,是用來干什么的……

這個電路用了3年半,從來沒出過問題,IOA測電壓, IOB 控制通斷 ...

你用是什么單片機
ID:1034948 發表于 2022-9-19 15:09
你把檢測電路和MOS換一個位置就不會燒IC了,24V經MOS管再來IO口檢測。你上面檢測的時候R7電阻沒有接地,所有電壓24V直接供IC了。
ID:624769 發表于 2022-9-19 14:49
不知道你那個MOS管,是用來干什么的……

這個電路用了3年半,從來沒出過問題,IOA測電壓, IOB 控制通斷。
60V 都OK 實在不知道你怎么做到 24V 就燒單片機的。


ID:398754 發表于 2022-9-19 09:06
單片機推動MOS管,不能直接用這種電路,要通過隔離電路或高阻單通道才不會損壞單片機
ID:725110 發表于 2022-9-19 08:37
李冬 發表于 2022-9-17 07:52
不是有100K電阻限流嗎

瞬間電壓無法保證
ID:709761 發表于 2022-9-17 07:52
圓就是圈圈 發表于 2022-9-16 18:47
24V直接沖IO口,怎么看也會燒壞的,開漏輸出也不能這么整

不是有100K電阻限流嗎
ID:796531 發表于 2022-9-16 19:26
IO5要么接一個3V穩壓管到地,要么IO5接一個二極管到單片機電源
ID:725110 發表于 2022-9-16 18:50
或許可以試試在24V和單片機之間接一個20V的穩壓管
ID:725110 發表于 2022-9-16 18:47
24V直接沖IO口,怎么看也會燒壞的,開漏輸出也不能這么整

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