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標題: 新唐高速1T 8051單片機系列N76E003，18 KB Flash ROM，可與STM8S003PIN TO PIN使用 [打印本頁]
作者: andy003    時間: 2017-11-20 13:36
標題: 新唐高速1T 8051單片機系列N76E003，18 KB Flash ROM，可與STM8S003PIN TO PIN使用

N76E003為新唐高速1T 8051 單片機系列產品，提供18 KB Flash ROM、可配置Data Flash與高容量1 KB SRAM，支持2.4V 至 5.5V寬工作電壓與-40℃至105℃工作溫度，并具備高抗干擾能力 7KV ESD/4KV EFT。

N76E003 在20 pin封裝下提供高達18根I/O腳位；周邊包含雙串口、SPI、I2C、6通道PWM輸出；內建優于同類產品之 < 2% 誤差之高精確度16 MHz RC晶振與高分辨率8通道12位ADC；并具備自我喚醒、欠壓檢測等功能；提供TSSOP20 (4mm*6.5mm) 與QFN20 (3mm*3mm) 小封裝，兼具高性能與設計彈性。

應用領域 :

門禁系統/警報器、溫度傳感設備、藍牙音箱、電動車表頭、數字電壓表頭、氣體檢測器、采集器、充電器、美容儀器、小家電等。


關鍵特性 :

  • 內核(core)

- 1T 8051微處理器
- 工作頻率可達 16 MHz
- 工作電壓: 2.4V 至 5.5V
- 工作溫度: -40℃ 至 105℃

  • 內存(memory)

- 18 KB應用程序 Flash
- 內嵌1 KB SRAM
- 可配置的 Data Flash
- 支持在線系統更新：





          • ISP(In-System Programming)
          • ICP(In-Circuit Programming)
          • IAP(In-Application Programming)





  • 脈波寬度調變(PWM)

- 6通道PWM輸出
- 帶死區產生器


  • 模擬轉數字轉換器(ADC)

- 12位8通道ADC
- 每秒轉換速率可達500 kSPS

  • 通信接口(connectivity)

- 二組UART，可達115200 bps
- 一組SPI，可達8 MHz
- 一組 I2C，可達 400 kHz

  • 時鐘控制(clock control)

-內置< 2% 誤差16 MHz 高精度RC晶振
-內置低速省電10 kHz RC晶振


下面為N76E003與STM8S003參數對照：

N76E003STM8S003F3
內核8051 （1T）ST自有，哈佛架構，3-stage pipeline
工作電壓2.4~5.5V2.95~5.5V
主頻16M Hz(1T)16M Hz
APROM Flash(Byte)18K8K
SRAM1k1k
DATA Flash/EEPROM0~18k(與aprom共享) EEPROM 128Byte  
時鐘源3種，Oscillator,HIRC,LIRC3種，Crystal,HIRC,LIRC
外部高速晶振
必須有源時鐘源（Oscillator）1-16 MHz
外部低速晶振


內部高速時鐘
16 MHz ±1% @ 25℃
16 MHz ±2% @ -40~105℃		 16 MHz ±5% @ -40~85℃
內部低速時鐘
10 kHz(±50%)128 kHz
定時器3*16-bit + 1*16-bit(for PWM)2*16-bit, 1*8-bit
GPIO17+1 輸入口(復位腳）,最多同時1端口8路IO口中斷.16，16路硬件IO中斷
PWM6Chs*16bit : 一個16bit的定時器用于頻率設置，每個通道都可以單獨設置占空比3 CHs
ADC8Ch, 12-bit, 400 ksps, 單個模式, 帶隙電壓需校準*5Ch, 10-bit, 428 kHz/14 clocks，
單個/連續模式
比較器

CRC

UART2 Uart1Uart 1Mbps, 兼容SC,IrDA,LIN
SPI8 Mbit/s8 Mbit/s
I2C400Kbit/s400Kbit/s
掉電模式電流〈 5 uA6 uA
喚醒時間30us54us
EFT(電快速瞬變脈沖群)4.4KV
ESD(靜電釋放)ESD: HBM/8KV, MM/400V  ESD:HBM/4KV,CDM/1KV
ICE調試接口兩線+nReset一線
封裝TSSOP20/QFN20TSSOP20/UFQFN20(3*3)







作者: andy003    時間: 2017-11-22 23:13
智能硬件技術交流群647268561
作者: andy003    時間: 2018-12-16 20:54

N76E003為新唐高速1T 8051 單片機系列產品，提供18 KB Flash ROM、可配置Data Flash與高容量1 KB SRAM，支持2.4V 至 5.5V寬工作電壓與-40℃至105℃工作溫度，并具備高抗干擾能力 7KV ESD/4KV EFT。
N76E003 在20 pin封裝下提供高達18根I/O腳位；周邊包含雙串口、SPI、I2C、6通道PWM輸出；內建優于同類產品之 < 2% 誤差之高精確度16 MHz RC晶振與高分辨率8通道12位ADC；并具備自我喚醒、欠壓檢測等功能；提供TSSOP20 (4mm*6.5mm) 與QFN20 (3mm*3mm) 小封裝，兼具高性能與設計彈性。
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作者: andy003    時間: 2019-9-12 15:23
CMS8S003----主頻最高24MHz，內置高性能運放和比較器

1T 增強型8051內核，比80C51快約14倍以上
工作頻率：24MHz
兩路差分運放
增益：100dB，最高放大十萬倍，外置電阻可調增益
帶寬：2M，比324大近一倍
全溫全壓失調電壓：+/-4mV，324為+/-9mV
兩路比較器
共模輸入電壓Vcm范圍：0V - (VDD-1.5V)
增益：75dB
帶寬：120M
響應速度：40ns
共模抑制比：- 80dB@1MHz
電源抑制比：-85dB@1MHz
最多15通道12位ADC，內置1.2V基準電壓（全溫全壓1%精度）
工作電壓范圍：2.1V - 5.5V
工作溫度范圍：-40℃ - 105℃
正常工作電流< 2mA@3/5V 8M
指令代碼完全兼容8051
支持在線仿真，以及外部供電系統的仿真
內置16KB Flash ROM，擦寫次數2萬次以上
數據區APROM：1KB
支持IAP/ICP/ISP
通用RAM：256B
通用XRAM：1KB
支持串行調試（SWD）
支持4種振蕩方式
內部RC振蕩：8MHz/16MHz/24MHz，±2%精度
外部晶體振蕩：8MHz/16MHz
外部晶體振蕩：32.768KHz
內部低功耗振蕩：125KHz，同時作為WDT/WKT的時鐘源
最多22個通用GPIO
所有的GPIO均支持推挽輸出，開漏輸出，上拉電阻，高阻輸入模式
所有的I/O均支持外部中斷
所有的I/O均支持邊沿喚醒休眠狀態，邊沿可配置
5個16位定時器，timer2具備capture/compare功能
內置WDT定時器
最多支持23個中斷源以及2級中斷優先級
2個高速UART串口
1個I2C模塊，支持主控收發，從動收發模式
1個SPI模塊，支持主控收發，從動收發模式
6路16位增強型PWM，支持獨立和互補模式，以及可編程死區延時，PWM輸出口可多端口映射
內置低壓偵測電路：1.9/2.1/2.6/3.5V
硬件復位：上電復位，外部復位，看門狗復位（可配置時間），低壓偵測復位（可配置電壓）
軟件復位：軟件方式寫復位觸發寄存器
蜂鳴器Beeper
UID功能








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