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標(biāo)題: STM8S硬件電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng) [打印本頁(yè)]

作者: yulijun 時(shí)間: 2017-6-14 14:18
標(biāo)題: STM8S硬件電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
給大家分享個(gè)STM8S硬件電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)：
STM8S 可以不需要晶振跟復(fù)位電路，但是為了最小系統(tǒng)能夠穩(wěn)定運(yùn)行，所以最好增加外部電路。
注意事項(xiàng)
(1)VCAP電容引腳(STM8S103PX是第 8 個(gè)管腳)： STM8S 的VCAP 管腳上的電容是一個(gè)很特別的電容。它是 STM8S 的內(nèi)核的工作電壓。需要在外部加一個(gè)外部的電容，以保證內(nèi)核工作電壓的穩(wěn)定。一般推薦 1uF的瓷片電容。而且 1uF的瓷片電容在進(jìn)行 PCB布線時(shí)，必須要盡可能地靠近 VCAP 引腳，一直靠近到不能再靠近為止。這一點(diǎn)非常非常重要，
切記！切記！（STM8L 系列上沒(méi)有此電容）
(2)電源 VDD和VSS電源引腳上，建議加上退耦電容(10uF點(diǎn)解電容和0.1uF瓷片電容) 在用電源對(duì) VDDIO_x 和 VSSIO_x 的引腳上，建議加上退耦電(10uF 點(diǎn)解電容和 0.1uF瓷片電容),或者至少加上一個(gè) 0.1uF瓷片電容。若在電路中，有用到外部的設(shè)備（如 FLASH, 24C02 等），建議在其電源上加上退耦電容(10uF點(diǎn)解電容和0.1uF瓷片電容)。或者至少加上一個(gè)1uF瓷片電容。最好不要使其與MCU共地。

2、STM8復(fù)位電路設(shè)計(jì)
STM8 單片機(jī)內(nèi)置上電復(fù)位(POR)，所以，STM8 單片機(jī)可以不設(shè)外部上電復(fù)位電路，
依然可以正常復(fù)位，穩(wěn)定工作。若是系統(tǒng)需要設(shè)置按鍵復(fù)位電路，那么注意，STM8 單片
機(jī)是低電平復(fù)位，如下圖，設(shè)計(jì)按鍵復(fù)位電路：

STM8 單片機(jī)內(nèi)置 RC 振蕩電路。出廠時(shí)，未進(jìn)行時(shí)鐘源設(shè)置的 STM8，其時(shí)鐘源使用的是內(nèi)部 16M 高速 RC振蕩器，然后經(jīng)過(guò) 8 分頻則是 2M頻率。
通過(guò)程序?qū)拇嫫鞯脑O(shè)置，可以設(shè)置 MCU的內(nèi)部 RC 振蕩頻率。例如：4M、8M 等。
不過(guò)，內(nèi)置 RC 振蕩，在一致性方面存在差異，它因生產(chǎn)的批次有所差異，亦與溫度等因素有較大的相關(guān)性。所以，在一些對(duì)時(shí)鐘要求較高的場(chǎng)合，如：精確定時(shí)，RS232 通信等，這些場(chǎng)合，建議使用外部的晶振線路。

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作者: xfxy_008 時(shí)間: 2017-7-29 10:51
使用STMS系列單片機(jī)最主要的一個(gè)目的多是因?yàn)槠鋬r(jià)錢便宜，此時(shí)成本是設(shè)計(jì)的的重要考慮因素，如果加外部晶振，復(fù)位電路等，無(wú)疑是增加了成本哇。。。。

作者: robter 時(shí)間: 2018-2-22 09:35
很好很好，學(xué)習(xí)了

作者: GeChan 時(shí)間: 2018-3-17 12:46
我用的是STM8S103F3U6，復(fù)位NRST管腳上用10K電阻上拉到VCC，104電容下拉到GND，同樣也試過(guò)10K+1uF，10K+2.2uF，10K+0.01uF，和不用電阻就0.1uF電容，0.01uF電容，1uF電容。
但是單片機(jī)上電之后都無(wú)法工作，只有我把NRST管腳和GND短路一下，在松開(kāi)，單片機(jī)才會(huì)運(yùn)行相應(yīng)的程序。請(qǐng)教下是不是復(fù)位電路設(shè)計(jì)的問(wèn)題？？？？

作者: languiwen 時(shí)間: 2019-6-5 23:01
感謝分享

作者: jotliu 時(shí)間: 2020-1-1 08:48
很好，學(xué)習(xí)了，謝謝

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