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標(biāo)題: TPS54821引腳圖應(yīng)用電路及pdf中文資料下載一個(gè)不錯(cuò)的buck芯片帶MOS QFN [打印本頁(yè)]

作者: shanghaiweiji 時(shí)間: 2017-5-24 08:12
標(biāo)題: TPS54821引腳圖應(yīng)用電路及pdf中文資料下載一個(gè)不錯(cuò)的buck芯片帶MOS QFN
TPS54821 QFN封裝集成同步整流管電流可達(dá)4A
采用耐熱性能增強(qiáng)型 3.5 毫米 x 3.5 毫米 QFN 封裝的 TPS54821 是一款全功能 17 V、8 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器。憑借
高效率和集成高側(cè)/低側(cè) MOSFET，此降壓器為適應(yīng)小型設(shè)計(jì)要求而進(jìn)行了優(yōu)化。通過(guò)電流模式控制減少組件數(shù)
量，并通過(guò)選擇高開(kāi)關(guān)頻率縮小電感器占位面積，從而可進(jìn)一步節(jié)省空間。
輸出電壓?jiǎn)?dòng)斜線(xiàn)上升由 SS/TR 引腳控制，其操作既支持獨(dú)立電源供電模式又支持跟蹤模式。通過(guò)正確配置使能
引腳與漏極開(kāi)路電源狀態(tài)正常引腳也可實(shí)現(xiàn)電源排序。
高側(cè) FET 的逐周期電流限制可在過(guò)載情況下保護(hù)器件不受損害，并可通過(guò)使用避免電流擊穿的低側(cè)源電流限制來(lái)
增強(qiáng)此功能。此外，還有一個(gè)可關(guān)閉低側(cè) MOSFET 的低側(cè)吸收電流限制以防止過(guò)大的反向電流。在過(guò)載電流情況
持續(xù)時(shí)間超過(guò)預(yù)設(shè)時(shí)間時(shí)，斷續(xù)保護(hù)功能將被觸發(fā)。當(dāng)裸片溫度超過(guò)熱關(guān)斷溫度時(shí)，過(guò)熱斷續(xù)保護(hù)功能將禁用該器
件，而在內(nèi)置熱關(guān)斷斷續(xù)時(shí)間之后，該部件會(huì)被重新啟用。

TPS54821簡(jiǎn)介：

TPS54821引腳圖：

TPS54821應(yīng)用電路：

帶MOS QFN的TPS54821中文資料下載：

TPS54821 BUCK8A 帶MOS QFN.pdf (960.76 KB, 下載次數(shù): 18)

作者: 步步高升1688 時(shí)間: 2020-3-23 10:41
好資料，學(xué)習(xí)一下

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