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標(biāo)題: 開(kāi)關(guān)電源EMI不同頻段干擾原因及抑制辦法 [打印本頁(yè)]

作者: 電子黑    時(shí)間: 2016-6-29 02:26
標(biāo)題: 開(kāi)關(guān)電源EMI不同頻段干擾原因及抑制辦法
開(kāi)關(guān)電源EMI不同頻段干擾原因及抑制辦法:

1MHz以內(nèi):以差模干擾為主


   1.增大X電容量;

  2.添加差模電感;

  3.小功率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。

1MHz~5MHz:差模共模混合

  采用輸入 端并聯(lián)一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決,

  1.對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量,添加差模電感器,調(diào)差模電感量;

  2.對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)抑制;

  3.也可改變整流二極管特性來(lái)處理,對(duì)快速二極管如FR107,對(duì)普通整流二極管1N4007。

5MHz以上:以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法

   對(duì)于外殼接地的,在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3圈會(huì)對(duì)10MHz以上干擾有較大的衰減作用;

  可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán).

  處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大 小。

對(duì)于20~30MHz:

  1.對(duì)于一類產(chǎn)品 可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置;

  2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值;

  3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。

  4.改變PCB LAYOUT;

  5.輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;

  6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù);

  7.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE;

  8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。

   9. 可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻.

30~50MHz 普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起:

   1.可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻;

  2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管;

  3.VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決;

  4.或者輸出線前端串 接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;

  5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路;

   6.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE;

  7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容;

   8.PCB心LAYOUT時(shí)大電解電容,變壓器,MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的 小;

  9.變壓器,輸出二極管,輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。

50~100MHz 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起:

   1.可以在整流管上串磁珠;

  2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù);

  3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如 PIN腳處加BEAD CORE或串接適當(dāng)?shù)碾娮瑁?br />
  4.也可改變 MOSFET,輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE,改變散熱器的接地點(diǎn))。

  5.增加屏蔽 銅箔抑制向空間輻射.

  200MHz以上開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小,一般可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)。

補(bǔ)充說(shuō) 明:

  開(kāi)關(guān)電源高頻變壓器初次間一般是屏蔽層的,以上未加綴述.

  開(kāi)關(guān)電源是高頻產(chǎn)品,PCB的元器件布局對(duì)EMI.,請(qǐng)密切注意此點(diǎn).

  開(kāi)關(guān)電源若有機(jī)械外殼,外殼的結(jié)構(gòu)對(duì)輻射 有很大的影響,請(qǐng)密切注意此點(diǎn).

  主開(kāi)關(guān)管,主二極管不同的生產(chǎn)廠家參數(shù)有一定的差異,對(duì)EMC有一定的影響.請(qǐng)密切注意此點(diǎn)。







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