欧美极品高清xxxxhd,国产日产欧美最新,无码AV国产东京热AV无码,国产精品人与动性XXX,国产传媒亚洲综合一区二区,四库影院永久国产精品,毛片免费免费高清视频,福利所导航夜趣136

^{<dfn id="i46k6"></dfn>}

標題: 存儲用途分分清—小白篇 [打印本頁]

作者: 51黑電子愛好者 時間: 2016-4-12 17:45
標題: 存儲用途分分清—小白篇
      SRAM、DRAM、SDRAM用途你分清了嗎？NAND Flash、NOR Flash的區別你知道嗎？各種高端處理器盛行的今天，這些問題已經成為人人必備的基礎知識。

      各類產品的研發過程中，總會遇到需要將數據、程序保存起來的情況，RAM、Flash、EEPROM也成為工程師經常會用到的器件，那它們相互之間的關系和區別是什么？其中又有多少種不同的類型呢，今天選了幾種常見的，讓我們一起來仔細辨別一下。

1RAM全稱Random-Access Memory(隨機存取存儲器)：
      靜態RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖cache。它具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。

      動態RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留數據的時間很短，需要設置刷新電路，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內存就是DRAM的。

      SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步動態隨機存取存儲器，是DRAM中的一種，“同步”是指Memory工作需要步時鐘，內部的命令的發送與數據的傳輸都以它為基準；“動態”是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失；“隨機”是指數據不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數據讀寫。

      從發展到現在已經經歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM (Double Data Rate，雙數據傳輸，相同時鐘下性能是SDRAM的2倍)，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM。后者在工作頻率、預取數位、突發數據長度上更強，而工作電壓更低、內部存儲單元集成度更高。

      還有特殊場合使用的RAM，譬如：VRAM(視頻內存)、EDO DRAM(延伸數據輸出動態隨機存取存儲器)、RDRAM(高頻動態隨機存取存儲器)等，因為用的環境較特殊，就不仔細介紹。

2輸ROM全稱Read Only Memory(只讀存儲器)：

      一次性制造，在元件正常工作的情況下，其中的代碼與數據將永久保存，并且不能夠進行修改。一般應用于PC系統的程序碼、主機板上的 BIOS 等，它的讀取速度比RAM慢很多，目前最常遇到的是EEPROM和Flash。

1EEPROM，電可擦可編程只讀存儲器) 功能與使用方式與EPROM一樣，不同之處是清除數據的方式，它是以約20V的電壓來進行清除的。另外它還可以用電信號進行數據寫入，這類ROM內存多應用于即插即用的應用中。

2Flash Memory(快閃存儲器) 結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還可以快速讀取數據（NVRAM的優勢），使數據不會因為斷電而丟失。Flash 的編程原理都是只能將1寫為0，而不能將0寫為1。所以在 Flash 編程之前，必須將對應的塊擦除，而擦除的過程就是把所有位都寫為 1的過程，塊內的所有字節變為0xFF。 Flash分兩類，即NAND 和 NOR Flash。

      NOR的特點是芯片內執行，這樣應用程序可以直接在 flash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

      NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統接口。

兩者的區別可以歸納為以下幾點：

      1、NOR的讀速度比NAND稍快一些，NAND的寫入速度比NOR快很多，NAND的擦除速度遠比NOR的快，NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。

      2、NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。

      3、在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。

      4、NAND器件中的壞塊是隨機分布的。NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，并將壞塊標記為不可用。在已制成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。

      5、可以非常直接地使用基于NOR的閃存，可以像其他存儲器那樣連接，并可以在上面直接運行代碼。由于需要I/O接口，NAND要復雜得多。在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程序，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。

歡迎光臨 (http://www.raoushi.com/bbs/)