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標(biāo)題: MSP430F全系列Flash存儲(chǔ)器通用程序庫(kù) [打印本頁(yè)]
作者: 51hei單片    時(shí)間: 2016-3-14 20:10
標(biāo)題: MSP430F全系列Flash存儲(chǔ)器通用程序庫(kù)
本程序是《MSP430系列單片機(jī)系統(tǒng)工程設(shè)計(jì)與實(shí)踐》書(shū)里面的源碼，（包含工程文件(例4.1.6)）完整例程下載：http://www.raoushi.com/bbs/dpj-46245-1.html


關(guān)于本程序的詳細(xì)解說(shuō)大家可以點(diǎn)擊上圖下載電子書(shū)
這個(gè)Flash存儲(chǔ)器庫(kù)文件的調(diào)用方法可先下載完整代碼然后找到(例4.1.6)這一節(jié)，里面有調(diào)用方法
Flash.c文件：
  1. /*
  2.                
  3.                    MSP430F全系列Flash存儲(chǔ)器通用程序庫(kù)


  6.   說(shuō)明：該程序庫(kù)包含了內(nèi)部Flash存儲(chǔ)器常用的讀寫(xiě)功能,還包含了常用數(shù)據(jù)
  7.         格式變量的保存、讀取函數(shù)。除了字節(jié)讀寫(xiě)之外，還可以很方便的向
  8.         FlashROM里寫(xiě)入和讀出整型、浮點(diǎn)數(shù)、長(zhǎng)整型格式的數(shù)據(jù)。
  9.             由于Flash存儲(chǔ)器不能單字節(jié)擦除或改寫(xiě)，因此寫(xiě)入任何字節(jié)都需
  10.         要先備份整個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)再整塊擦除，之后恢復(fù)其他未改變數(shù)據(jù)。本程序利
  11.         用兩個(gè)Flash存儲(chǔ)區(qū)(InfoA和InfoB)互相備份信息，優(yōu)點(diǎn)是備份過(guò)程不
  12.         占用RAM，能在RAM小于256字節(jié)的單片機(jī)上運(yùn)行;缺點(diǎn)是速度慢，且浪費(fèi)
  13.         了1/2的存儲(chǔ)容量。適合小批量數(shù)據(jù)且不關(guān)心寫(xiě)入速度的場(chǎng)合，如菜單
  14.         保存設(shè)置參數(shù)等。另外注意Flash壽命只有10萬(wàn)次左右，不要頻繁調(diào)用
  15.         寫(xiě)函數(shù)。寫(xiě)Flash時(shí)，電源電壓必須高于2.7V。
  16.             本程序庫(kù)中所有的讀寫(xiě)函數(shù)對(duì)外已經(jīng)屏蔽了Flash特征，存儲(chǔ)地址
  17.         空間從0開(kāi)始到127。如果實(shí)際用到的數(shù)據(jù)量很少，可修改MAXNUM定義，
  18.         以節(jié)省執(zhí)行時(shí)間。如果需要保存的數(shù)據(jù)量大于128，可修改存儲(chǔ)區(qū)首地址
  19.         和備份區(qū)首地址的定義，指向程序Flash區(qū)中程序代碼和中斷向量表未
  20.         占用的空白區(qū)塊，能獲得512字節(jié)的存儲(chǔ)容量。
  21.             要使用該庫(kù)函數(shù)，需要將本文件(Flash.c)添加進(jìn)工程，并在需要
  22.         調(diào)用函數(shù)的文件開(kāi)頭處包含"Flash.h"。

  24.   (C)西安電子科技大學(xué) 測(cè)控技術(shù)與儀器教研中心 編寫(xiě)：謝楷 2008/02/04
  25.   
  26. */
  27. //
  28. //
  29. //                  MSP430F4XX
  30. //               +---------------+         
  31. //               |               |
  32. //               |           XOUT|-----
  33. //               |               |      32.768KHz Watch Crystal
  34. //               |            XIN|-----
  35. //               |               |
  36. //               +---------------+

  38. #include  "MSP430x42x.h"
  39. #define   MAXNUM  32      /*存儲(chǔ)的總數(shù)據(jù)量(字節(jié)),最大128*/
  40. /*由于每個(gè)數(shù)據(jù)都需要備份，總數(shù)據(jù)量越小速度越快，不要留太多余量*/
  41. /*后面存儲(chǔ)、讀取函數(shù)可用的存儲(chǔ)地址空間為0~(MAXNUM-1)*/

  43. #define   FLASH_SAVEADDR  (0x1080) /*Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)區(qū)首地址(InfoB)*/
  44. #define   FLASH_COPYADDR  (0x1000) /*Flash備份存儲(chǔ)區(qū)首地址(InfoA)*/

  46. union LongChar      //長(zhǎng)整字節(jié)  復(fù)合結(jié)構(gòu)
  47. { unsigned long int Long;
  48.   struct ByteL4
  49.    { unsigned char  BHH;
  50.      unsigned char  BHL;
  51.      unsigned char  BLH;
  52.      unsigned char  BLL;
  53.    }Bytes;   
  54. };
  55. union FloatChar      //浮點(diǎn)字節(jié)  復(fù)合結(jié)構(gòu)
  56. { float Float;
  57.   struct ByteF4
  58.    { unsigned char  BHH;
  59.      unsigned char  BHL;
  60.      unsigned char  BLH;
  61.      unsigned char  BLL;
  62.    }Bytes;   
  63. };

  65. unsigned char FLASH_PSR;
  66. #define DISABLE_INT;  FLASH_PSR=__get_SR_register();_DINT();
  67. #define RESTORE_INT;  if(FLASH_PSR & GIE)           _EINT();
  68. /****************************************************************************
  69. * 名    稱(chēng)：Flash_Init()
  70. * 功    能：對(duì)Flash時(shí)鐘進(jìn)行初始化設(shè)置
  71. * 入口參數(shù)：無(wú)
  72. * 出口參數(shù)：無(wú)
  73. * 說(shuō)    明: 如需使用后面的讀寫(xiě)函數(shù)，在程序開(kāi)始必須先調(diào)用該初始化函數(shù)
  74.             配置Flash時(shí)鐘必須在257~476KHz之間!!
  75. ****************************************************************************/
  76. void Flash_Init(void)
  77. {
  78.   FCTL2 = FWKEY + FSSEL_2 + FN1; // 默認(rèn) SMCLK/3 =349KHz
  79. }
  80.   /* Flash時(shí)鐘必須在257~476KHz之間, */
  81.   /* 分頻系數(shù)= 32*FN5 + 16*FN4 + 8*FN3 + 4*FN2 + 2*FN1 + FN0 + 1 */

  83.   // Flash時(shí)鐘選擇:   
  84.   /* FSSEL_0 Flash clock select: 0 - ACLK */
  85.   /* FSSEL_1 Flash clock select: 1 - MCLK */
  86.   /* FSSEL_2 Flash clock select: 2 - SMCLK */


  89. /****************************************************************************
  90. * 名    稱(chēng)：Flash_Busy()
  91. * 功    能：Flash忙等待
  92. * 入口參數(shù)：無(wú)
  93. * 出口參數(shù)：無(wú)
  94. * 說(shuō)    明: 若Flash忙則等待，直到Flash操作完成(空閑)才返回。
  95. ****************************************************************************/
  96. void Flash_Busy()
  97. {
  98.   while((FCTL3 & BUSY) == BUSY){_NOP();}    //Busy
  99. }
  100. /****************************************************************************
  101. * 名    稱(chēng)：Flash_Erase()
  102. * 功    能：擦除Flash的一個(gè)數(shù)據(jù)塊
  103. * 入口參數(shù)：Addr:被擦除數(shù)據(jù)塊的首地址
  104. * 出口參數(shù)：無(wú)
  105. ****************************************************************************/
  106. void Flash_Erase(unsigned int Addr)  
  107. { unsigned char *Flash_ptr;
  108.   Flash_ptr=(unsigned char *)Addr;
  109.   FCTL1 = FWKEY + ERASE;                    // Set Erase bit
  110.   FCTL3 = FWKEY;                            // Clear Lock bit
  111.   DISABLE_INT;
  112.   *Flash_ptr = 0;                          // Dummy write to erase Flash segment B
  113.   Flash_Busy();                            //Busy
  114.   RESTORE_INT;
  115.   FCTL1 = FWKEY;                            // Lock
  116.   FCTL3 = FWKEY+LOCK;                       // Set Lock bit  
  117. }
  118. /****************************************************************************
  119. * 名    稱(chēng)：Flash_CopyA2B()
  120. * 功    能：將數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)容拷貝到備份區(qū)
  121. * 入口參數(shù)：無(wú)
  122. * 出口參數(shù)：無(wú)
  123. ****************************************************************************/
  124. void Flash_CopyA2B()
  125. {
  126.   unsigned char *Flash_ptrA;                      // Segment A pointer
  127.   unsigned char *Flash_ptrB;                      // Segment B pointer
  128.   unsigned int i;
  129.   Flash_ptrA = (unsigned char *) FLASH_SAVEADDR;  // Initialize Flash segment A pointer
  130.   Flash_ptrB = (unsigned char *) FLASH_COPYADDR;  // Initialize Flash segment B pointer
  131.   Flash_Erase(FLASH_COPYADDR);
  132.   FCTL1 = FWKEY + WRT;                      // Set WRT bit for write operation
  133.   FCTL3 = FWKEY;                            // Clear Lock bit
  134.   for (i=0; i<MAXNUM; i++)
  135.   {
  136.     DISABLE_INT;
  137.     *Flash_ptrB++ = *Flash_ptrA++;           // copy value segment A to segment B
  138.     Flash_Busy();                              //Busy
  139.     RESTORE_INT;
  140.   }
  141.   FCTL1 = FWKEY;                            // Clear WRT bit
  142.   FCTL3 = FWKEY + LOCK;                     // Set LOCK bit
  143. }
  144. /****************************************************************************
  145. * 名    稱(chēng)：Flash_WriteChar()
  146. * 功    能：向Flash中寫(xiě)入一個(gè)字節(jié)(Char型變量)
  147. * 入口參數(shù)：Addr:存放數(shù)據(jù)的地址
  148.             Data:待寫(xiě)入的數(shù)據(jù)
  149. * 出口參數(shù)：無(wú)
  150. * 范    例：Flash_WriteChar(0,123);將常數(shù)123寫(xiě)入0單元
  151.             Flash_WriteChar(1,a);將整型變量a寫(xiě)入1單元
  152. ****************************************************************************/
  153. void Flash_WriteChar (unsigned int Addr,unsigned char Data)
  154. {
  155.   unsigned char *Flash_ptrA;                         // Segment A pointer
  156.   unsigned char *Flash_ptrB;                         // Segment B pointer
  157.   unsigned int i;
  158.   Flash_CopyA2B();                          //Flash內(nèi)的數(shù)據(jù)先保存起來(lái)
  159.   Flash_ptrA = (unsigned char *) FLASH_SAVEADDR;// Initialize Flash segment A pointer
  160.   Flash_ptrB = (unsigned char *) FLASH_COPYADDR;// Initialize Flash segment B pointer
  161.   Flash_Erase(FLASH_SAVEADDR);  
  162.   FCTL1 = FWKEY + WRT;                      // Set WRT bit for write operation
  163.   FCTL3 = FWKEY;                            // Clear Lock bit
  164.   for (i=0; i<MAXNUM; i++)
  165.   {
  166.     DISABLE_INT;
  167.     if(i==Addr)
  168.     {
  169.      *Flash_ptrA++ =Data;                    // Save Data
  170.      Flash_Busy();                              //Busy
  171.      Flash_ptrB++;
  172.     }
  173.     else
  174.     {
  175.      *Flash_ptrA++ = *Flash_ptrB++;           // 恢復(fù)Flash內(nèi)的其他數(shù)據(jù)
  176.      Flash_Busy();                              //Busy
  177.     }
  178.     RESTORE_INT;
  179.   }
  180.   FCTL1 = FWKEY;                            // Clear WRT bit
  181.   FCTL3 = FWKEY + LOCK;                     // Set LOCK bit
  182. }  
  183. /****************************************************************************
  184. * 名    稱(chēng)：Flash_ReadChar()
  185. * 功    能：從Flash中讀取一個(gè)字節(jié)
  186. * 入口參數(shù)：Addr:存放數(shù)據(jù)的地址
  187. * 出口參數(shù)：讀回的數(shù)據(jù)
  188. ****************************************************************************/
  189. unsigned char Flash_ReadChar (unsigned int Addr)
  190. { unsigned char Data;
  191.   unsigned char *Flash_ptrA;                         // Segment A pointer
  192.   Flash_ptrA = (unsigned char *) FLASH_SAVEADDR;             // Initialize Flash segment A pointer
  193.   Data=*(Flash_ptrA+Addr);
  194.   return(Data);
  195. }
  196. /****************************************************************************
  197. * 名    稱(chēng)：Flash_WriteWord()
  198. * 功    能：向Flash寫(xiě)入一個(gè)整型變量
  199. * 入口參數(shù)：Addr:被寫(xiě)入FlashROM單元的地址
  200.             Data:待寫(xiě)入的整型變量(2字節(jié)數(shù)據(jù))
  201. * 出口參數(shù)：無(wú)
  202. * 說(shuō)    明: 該函數(shù)保存數(shù)據(jù)將占用Addr和Addr+1兩個(gè)存儲(chǔ)單元
  203. * 范    例：Flash_WriteWord(2,1234);將常數(shù)1233寫(xiě)入2~3單元
  204.             Flash_WriteWord(4,a);將整型變量a寫(xiě)入4~5單元
  205. ****************************************************************************/
  206. void Flash_WriteWord (unsigned int Addr,unsigned int Data)
  207. {
  208.   unsigned char *Flash_ptrA;                // Segment A pointer
  209.   unsigned char *Flash_ptrB;                // Segment B pointer
  210.   unsigned int i;
  211.   Flash_CopyA2B();                          //Flash內(nèi)的數(shù)據(jù)先保存起來(lái)
  212.   Flash_ptrA = (unsigned char *) FLASH_SAVEADDR;// Initialize Flash segment A pointer
  213.   Flash_ptrB = (unsigned char *) FLASH_COPYADDR;// Initialize Flash segment B pointer
  214.   Flash_Erase(FLASH_SAVEADDR);
  215.   FCTL1 = FWKEY + WRT;                      // Set WRT bit for write operation
  216.   FCTL3 = FWKEY;                            // Clear Lock bit
  217.   for (i=0; i<MAXNUM; i++)
  218.   {
  219.     DISABLE_INT;
  220.     if(i==Addr)
  221.     {
  222.      *Flash_ptrA++ =Data/256;                    // Save Data
  223.      Flash_Busy();                                //Busy
  224.      *Flash_ptrA++ =Data%256;                    // Save Data     
  225.      Flash_Busy();                                //Busy
  226.      Flash_ptrB+=2;
  227.     }
  228.     else
  229.     {
  230.      *Flash_ptrA++ = *Flash_ptrB++;            // 恢復(fù)Flash內(nèi)的其他數(shù)據(jù)
  231.      Flash_Busy();                              //Busy
  232.     }
  233.     RESTORE_INT;
  234.   }
  235.   FCTL1 = FWKEY;                            // Clear WRT bit
  236.   FCTL3 = FWKEY + LOCK;                     // Set LOCK bit
  237. }
  238. /****************************************************************************
  239. * 名    稱(chēng)：Flash_ReadWord()
  240. * 功    能：從FlashROM讀回一個(gè)整型變量
  241. * 入口參數(shù)：Addr:待讀出變量FlashROM單元的起始地址(存入的地址)
  242. * 出口參數(shù)：讀回的整型變量值
  243. ****************************************************************************/
  244. unsigned int Flash_ReadWord (unsigned int Addr)
  245. { unsigned int Data;
  246.   unsigned char *Flash_ptrA;                    // Segment A pointer
  247.   Flash_ptrA = (unsigned char *) FLASH_SAVEADDR;// Initialize Flash segment A pointer
  248.   Data=*(Flash_ptrA+Addr)*256+*(Flash_ptrA+Addr+1);
  249.   return(Data);
  250. }
  251. /****************************************************************************
  252. * 名    稱(chēng)：Flash_WriteLong()
  253. * 功    能：向FlashROM寫(xiě)入一個(gè)長(zhǎng)整型變量
  254. * 入口參數(shù)：Addr:被寫(xiě)入FlashROM單元的地址
  255.             Data:待寫(xiě)入的長(zhǎng)整型變量(4字節(jié)數(shù)據(jù))
  256. * 出口參數(shù)：無(wú)
  257. * 說(shuō)    明: 該函數(shù)保存數(shù)據(jù)將占用Addr到Addr+3 共4個(gè)存儲(chǔ)單元
  258. * 范    例：Flash_WriteLong(7,123456);將長(zhǎng)整型數(shù)123456寫(xiě)入7~10單元
  259.             Flash_WriteLong(11,a);將長(zhǎng)整型變量a寫(xiě)入11~14單元
  260. ****************************************************************************/
  261. void Flash_WriteLong (unsigned int Addr,unsigned long int Data)
  262. {
  263.   union LongChar LData;
  264.   unsigned char *Flash_ptrA;                         // Segment A pointer
  265.   unsigned char *Flash_ptrB;                         // Segment B pointer
  266.   unsigned int i;
  267.   LData.Long=Data;
  268.   Flash_CopyA2B();                          //Flash內(nèi)的數(shù)據(jù)先保存起來(lái)
  269.   Flash_ptrA = (unsigned char *) FLASH_SAVEADDR;// Initialize Flash segment A pointer
  270.   Flash_ptrB = (unsigned char *) FLASH_COPYADDR;// Initialize Flash segment B pointer
  271.   Flash_Erase(FLASH_SAVEADDR);
  272.   FCTL1 = FWKEY + WRT;                      // Set WRT bit for write operation
  273.   FCTL3 = FWKEY;                            // Clear Lock bit
  274.   for (i=0; i<MAXNUM; i++)
  275.   {
  276.     DISABLE_INT;
  277.     if(i==Addr)
  278.     {
  279.      *Flash_ptrA++ =LData.Bytes.BHH;            // Save Data
  280.      Flash_Busy();                              //Busy
  281.      *Flash_ptrA++ =LData.Bytes.BHL;            // Save Data   
  282.      Flash_Busy();                              //Busy
  283.      *Flash_ptrA++ =LData.Bytes.BLH;            // Save Data
  284.      Flash_Busy();                              //Busy
  285.      *Flash_ptrA++ =LData.Bytes.BLL;            // Save Data     
  286.      Flash_Busy();                              //Busy
  287.      Flash_ptrB+=4;
  288.      }
  289.     else
  290.     {
  291.      *Flash_ptrA++ = *Flash_ptrB++;           // 恢復(fù)Flash內(nèi)的其他數(shù)據(jù)
  292.      Flash_Busy();                              //Busy
  293.     }
  294.     RESTORE_INT;   
  295.   }
  296.   FCTL1 = FWKEY;                            // Clear WRT bit
  297.   FCTL3 = FWKEY + LOCK;                     // Set LOCK bit
  298. }
  299. /****************************************************************************
  300. * 名    稱(chēng)：Flash_ReadLong()
  301. * 功    能：從FlashROM讀回一個(gè)長(zhǎng)整型變量
  302. * 入口參數(shù)：Addr:待讀出變量所在FlashROM單元的起始地址(存入的地址)
  303. * 出口參數(shù)：讀回的長(zhǎng)整型變量值
  304. ****************************************************************************/
  305. unsigned long int Flash_ReadLong (unsigned int Addr)
  306. {
  307.   unsigned char *Flash_ptrA;                    // Segment A pointer
  308.   union LongChar Data;
  309.   Flash_ptrA = (unsigned char *) FLASH_SAVEADDR;// Initialize Flash segment A pointer
  310.   Flash_ptrA+=Addr;
  311.   Data.Bytes.BHH=*Flash_ptrA++;
  312.   Data.Bytes.BHL=*Flash_ptrA++;
  313.   Data.Bytes.BLH=*Flash_ptrA++;
  314.   Data.Bytes.BLL=*Flash_ptrA++;     
  315.   return(Data.Long);
  316. }
  317. /****************************************************************************
  318. * 名    稱(chēng)：Flash_WriteFloat()
  319. * 功    能：向FlashROM寫(xiě)入一個(gè)浮點(diǎn)型變量
  320. * 入口參數(shù)：Addr:被寫(xiě)入FlashROM單元的地址
  321.             Data:待寫(xiě)入的浮點(diǎn)型變量(4字節(jié)數(shù)據(jù))
  322. * 出口參數(shù)：無(wú)
  323. * 說(shuō)    明: 該函數(shù)保存數(shù)據(jù)將占用Addr到Addr+3 共4個(gè)存儲(chǔ)單元
  324. * 范    例：Flash_WriteFloat(15,3.14159);將浮點(diǎn)數(shù)3.14159寫(xiě)入15~18單元
  325.             Flash_WriteFloat(19,a);將浮點(diǎn)變量a寫(xiě)入19~22單元
  326. ****************************************************************************/
  327. void Flash_WriteFloat (unsigned int Addr,float Data)
  328. {
  329.   union FloatChar FData;
  330.   unsigned char *Flash_ptrA;                // Segment A pointer
  331.   unsigned char *Flash_ptrB;                // Segment B pointer
  332.   unsigned int i;
  333.   FData.Float=Data;
  334.   Flash_CopyA2B();                          //Flash內(nèi)的數(shù)據(jù)先保存起來(lái)
  335.   Flash_ptrA = (unsigned char *) FLASH_SAVEADDR;// Initialize Flash segment A pointer
  336.   Flash_ptrB = (unsigned char *) FLASH_COPYADDR;// Initialize Flash segment B pointer
  337.   Flash_Erase(FLASH_SAVEADDR);
  338.   FCTL1 = FWKEY + WRT;                      // Set WRT bit for write operation
  339.   FCTL3 = FWKEY;                            // Clear Lock bit
  340.   for (i=0; i<MAXNUM; i++)
  341.   {
  342.     DISABLE_INT;
  343.     if(i==Addr)
  344.     {
  345.      *Flash_ptrA++ =FData.Bytes.BHH;            // Save Data
  346.      Flash_Busy();                              //Busy
  347.      *Flash_ptrA++ =FData.Bytes.BHL;            // Save Data   
  348.      Flash_Busy();                              //Busy
  349.      *Flash_ptrA++ =FData.Bytes.BLH;            // Save Data
  350.      Flash_Busy();                              //Busy
  351.      *Flash_ptrA++ =FData.Bytes.BLL;            // Save Data     
  352.      Flash_Busy();                              //Busy
  353.      Flash_ptrB+=4;
  354.     }
  355.     else
  356.     {
  357.      *Flash_ptrA++ = *Flash_ptrB++;           // 恢復(fù)Flash內(nèi)的其他數(shù)據(jù)
  358.      Flash_Busy();                              //Busy
  359.     }
  360.     RESTORE_INT;
  361.   }
  362.   FCTL1 = FWKEY;                            // Clear WRT bit
  363.   FCTL3 = FWKEY + LOCK;                     // Set LOCK bit
  364. }
  365. /****************************************************************************
  366. * 名    稱(chēng)：Flash_ReadFloat()
  367. * 功    能：從FlashROM讀回一個(gè)浮點(diǎn)型變量
  368. * 入口參數(shù)：Addr:待讀出變量所在FlashROM單元的起始地址(存入的地址)
  369. * 出口參數(shù)：讀回的浮點(diǎn)型變量值
  370. ****************************************************************************/
  371. float Flash_ReadFloat (unsigned int Addr)
  372. {
  373.   unsigned char *Flash_ptrA;                   // Segment A pointer
  374.   union FloatChar Data;
  375.   Flash_ptrA = (unsigned char *) FLASH_SAVEADDR;// Initialize Flash segment A pointer
  376.   Flash_ptrA+=Addr;
  377.   Data.Bytes.BHH=*Flash_ptrA++;
  378.   Data.Bytes.BHL=*Flash_ptrA++;
  379.   Data.Bytes.BLH=*Flash_ptrA++;
  380.   Data.Bytes.BLL=*Flash_ptrA++;     
  381.   return(Data.Float);
  382. }
  383. //==============================================================================================
復(fù)制代碼

Flash.h文件：
  1. extern void          Flash_Init  (void);
  2. extern void          Flash_WriteChar  (unsigned int Addr,unsigned char Data);
  3. extern unsigned char Flash_ReadChar   (unsigned int Addr);
  4. extern void          Flash_WriteWord  (unsigned int Addr,unsigned int  Data);
  5. extern unsigned int  Flash_ReadWord   (unsigned int Addr);
  6. extern void          Flash_WriteLong  (unsigned int Addr,unsigned long Data);
  7. extern unsigned long Flash_ReadLong   (unsigned int Addr);
  8. extern void          Flash_WriteFloat (unsigned int Addr,float         Data);
  9. extern float         Flash_ReadFloat  (unsigned int Addr);
復(fù)制代碼



作者: 落筆    時(shí)間: 2019-6-24 18:14
求大神指點(diǎn)一下，我往信息存儲(chǔ)器中寫(xiě)數(shù)據(jù)可以按我設(shè)定的地址中寫(xiě)，但是我往主存儲(chǔ)器中寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)，我設(shè)置的起始地址時(shí)bank3的首地址038000H，為啥調(diào)試的時(shí)候顯示的寫(xiě)在了08000H為首地址的Bank0區(qū)中呢？



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