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標題: 增強型、耗盡型MOS場效應管 [打印本頁]

作者: 51黑ren 時間: 2015-12-27 05:13
標題: 增強型、耗盡型MOS場效應管

根據(jù)導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加
上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而―增強‖了該區(qū)域的載流子，形成導電溝道。

溝道增強型MOSFET基本上是一種左右對稱的拓撲結構，它是在P型半導體上生成一層SiO2 薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的N型區(qū)，從N型區(qū)引出電極，一個是漏極D，一個是源極S。在源極和漏極之間的
絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。

當VGS＝0 V時，漏源之間相當兩個背靠背的二極管，在D、S之間加上電壓不會在D、S間形成電流。當柵極加有電壓時，若0＜VGS＜VGS(th)時，通過柵極和襯底間形成的電容電場作用，將靠近柵極下方的P型半導體中的多子空穴向下方排斥，出現(xiàn)了一薄層負離子的耗盡層；同時將吸引其中的少子向表層運動，但數(shù)量有限，
不足以形成導電溝道，將漏極和源極溝通，所以仍然不足以形成漏極電流ID。
進一步增加VGS，當VGS＞VGS(th)時（ VGS(th)稱為開啟電壓），由于此時的柵極電壓已經(jīng)比較強，在靠近柵極下方的P型半導體表層中聚集較多的電子，可以形成溝道，將漏極和源極溝通。如果此時加有漏源電壓，就可以形成漏極電流ID。在柵極下方形成的導電溝道中的電子，因與P型半導體的載流子空穴極性相反,故稱為反型層。

隨著
隨著VGS的繼續(xù)增加,ID將不斷增加。在VGS＝0V時ID＝0，只有當VGS＞VGS(th)后才會出現(xiàn)漏極電流，所
以,這種MOS管稱為增強型MOS管。
VGS對漏極電流的控制關系可用iD＝f(VGS(th))|VDS=const這一曲線描述，稱為轉移特性曲線。
轉移特性曲線的斜率gm的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。 gm的量綱為mA/V，所以gm也
稱為跨導。跨導。

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