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標(biāo)題: 三極管和pmos損壞 [打印本頁]

作者: 新手村小白 時間: 2025-6-18 16:55
標(biāo)題: 三極管和pmos損壞
想問一下用三極管和pmos組合控制5v通斷，如果頻繁開關(guān)三極管和pmos管會容易損壞嗎

51hei截圖_20250618165557.png (88.79 KB, 下載次數(shù): 0)

作者: zhuls 時間: 2025-6-18 19:53
R56小了

作者: rundstedt 時間: 2025-6-18 20:00
那么CPU內(nèi)部MOS管每秒鐘通斷40億次，每年通斷多少次提問者會算嗎？

作者: 藍(lán)藍(lán)小星星 時間: 2025-6-18 20:45
容性負(fù)載有一定風(fēng)險。

作者: hhdsdy 時間: 2025-6-18 20:54

zhuls 發(fā)表于 2025-6-18 19:53
R56小了

我對mos管不了解，只知道是電壓驅(qū)動型的，好像很多電路連R56都不用，有用的也在100~200Ω之間，所以，能說一下R56該如何取值嗎？

作者: rundstedt 時間: 2025-6-18 21:17

zhuls 發(fā)表于 2025-6-18 19:53
R56小了

MOSFET G極靜態(tài)電阻無窮大，R56多大是完全無所謂的，零都可以。如果從微功耗角度考慮，你還是關(guān)心一下R55的阻值吧。

作者: hgy123321 時間: 2025-6-18 21:22
重點在于降低開關(guān)損耗減小R56確保驅(qū)動足夠調(diào)整R58

作者: keemee 時間: 2025-6-19 04:16
Q8是MOS管的體二極管？

作者: WL0123 時間: 2025-6-19 06:38
樓主杞人憂天，此電路如果是單片機(jī)IO控制且VCC為5V，Q9也是多余的。

作者: vscos 時間: 2025-6-19 06:47
不滿功率工作，一般不會壞，

作者: DEpuma 時間: 2025-6-19 08:31
一般不會壞的

作者: GlenXu 時間: 2025-6-19 09:24
如果是連續(xù)的ms級甚至更快的連續(xù)開關(guān)，
則R55\R56都大了，特別是有點大的負(fù)載時，這會導(dǎo)致開關(guān)的前沿和后延不夠陡，最終MOS管發(fā)熱損壞，
我有過這樣的例子，是R55=10K引起的，改到4.7K以下就好很多，太小了三極管負(fù)擔(dān)重。

作者: cyi8 時間: 2025-6-19 13:49
看你說的頻繁開關(guān)到底有多頻繁,開關(guān)頻率是多少,選用的PMOS要與開關(guān)頻率匹配.一般開關(guān)頻率不高的不容易壞的,這種驅(qū)動電路最好是用一個NMOS搭配一個PMOS控制,也就是把Q9換成NMOS,功耗降低了還更耐用

作者: man1234567 時間: 2025-6-19 14:23
開關(guān)電源中MOS管每秒開關(guān)從幾十次到幾十萬次都有，不知道你對頻繁的定義是啥

作者: zch5200 時間: 2025-6-19 16:20
R56改成10Ω以下，R55=500Ω~1K讓9013工作電流5~10mA。你現(xiàn)在的參數(shù)估計SI2309會發(fā)熱。給個10K的信號MOS和三極管都不會損壞。

作者: TTQ001 時間: 2025-6-23 00:38
晶體管和PMOS并非機(jī)械開關(guān)。頻繁使用不會損壞它們，但它們工作的電氣條件會影響它們的壽命。

作者: m182892 時間: 2025-6-23 09:00

rundstedt 發(fā)表于 2025-6-18 20:00
那么CPU內(nèi)部MOS管每秒鐘通斷40億次，每年通斷多少次提問者會算嗎？

365*24*60*60*24*10*10^8次

作者: aayon1979 時間: 2025-6-29 22:07
如果是5V控制信號，Q9不需要，

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